Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
IKW40N65WR5XKSA1
  • В избранное
  • В сравнение
IKW40N65WR5XKSA1

IKW40N65WR5XKSA1

IKW40N65WR5XKSA1
;
IKW40N65WR5XKSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    INFINEON TECHNOLOGIES
  • Артикул:
    IKW40N65WR5XKSA1
  • Описание:
    Транзистор: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3Все характеристики

Минимальная цена IKW40N65WR5XKSA1 при покупке от 1 шт 598.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IKW40N65WR5XKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IKW40N65WR5XKSA1

Транзистор: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (UDSS): 650В
    • Номинальная токовая характеристика (ITO): 80А
    • Форм-фактор корпуса: TO247-3
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность при работе с переменным током
    • Малый коэффициент вольт-амперной Characteristic (Vcesat)
    • Устойчивость к перегрузкам и скачкам напряжения
    • Высокая скорость включения и выключения
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуется дополнительное охлаждение из-за высокой теплопроводности
  • Общее назначение:
    • Использование в промышленных преобразователях частоты
    • Работа в источниках питания для бытовых приборов и серверных систем
    • Применение в системах управления двигателем
    • Использование в солнечных батареях и других источниках возобновляемой энергии
  • В каких устройствах применяется:
    • Промышленные электропитания и преобразователи
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Бытовые приборы с высокими потребностями в энергоэффективности
    • Системы управления и преобразования энергии в солнечных и ветровых энергетических установках
Выбрано: Показать

Характеристики IKW40N65WR5XKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    Trench
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    80 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    120 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    1.8V @ 15V, 40A
  • Рассеивание мощности
    230 W
  • Энергия переключения
    770µJ (on), 160µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    193 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    42ns/432ns
  • Условие испытаний
    400V, 20A, 20Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    112 ns
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    PG-TO247-3
  • Base Product Number
    IKW40N65

Техническая документация

 IKW40N65WR5XKSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 12 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    598 ₽
  • 10
    506 ₽
  • 20
    456 ₽
  • 30
    422 ₽
  • 120
    408 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    INFINEON TECHNOLOGIES
  • Артикул:
    IKW40N65WR5XKSA1
  • Описание:
    Транзистор: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3Все характеристики

Минимальная цена IKW40N65WR5XKSA1 при покупке от 1 шт 598.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IKW40N65WR5XKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IKW40N65WR5XKSA1

Транзистор: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (UDSS): 650В
    • Номинальная токовая характеристика (ITO): 80А
    • Форм-фактор корпуса: TO247-3
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность при работе с переменным током
    • Малый коэффициент вольт-амперной Characteristic (Vcesat)
    • Устойчивость к перегрузкам и скачкам напряжения
    • Высокая скорость включения и выключения
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуется дополнительное охлаждение из-за высокой теплопроводности
  • Общее назначение:
    • Использование в промышленных преобразователях частоты
    • Работа в источниках питания для бытовых приборов и серверных систем
    • Применение в системах управления двигателем
    • Использование в солнечных батареях и других источниках возобновляемой энергии
  • В каких устройствах применяется:
    • Промышленные электропитания и преобразователи
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Бытовые приборы с высокими потребностями в энергоэффективности
    • Системы управления и преобразования энергии в солнечных и ветровых энергетических установках
Выбрано: Показать

Характеристики IKW40N65WR5XKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    Trench
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    80 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    120 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    1.8V @ 15V, 40A
  • Рассеивание мощности
    230 W
  • Энергия переключения
    770µJ (on), 160µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    193 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    42ns/432ns
  • Условие испытаний
    400V, 20A, 20Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    112 ns
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    PG-TO247-3
  • Base Product Number
    IKW40N65

Техническая документация

 IKW40N65WR5XKSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IXGH6N170Транзистор: IGBT 1700V 12A 75W TO247
    2 444Кешбэк 366 баллов
    IXXH60N65B4H1Транзистор: IGBT 650V 116A 380W TO247AD
    2 451Кешбэк 367 баллов
    IXXH80N65B4H1Транзистор: IGBT 650V 160A 625W TO247AD
    2 473Кешбэк 370 баллов
    IXXH100N60C3Транзистор: IGBT 600V 190A 830W TO247AD
    2 475Кешбэк 371 балл
    IXXH110N65C4Транзистор: IGBT 650V 234A 880W TO247AD
    2 486Кешбэк 372 балла
    IXYH50N120C3D1Транзистор: IGBT 1200V 90A 625W TO247
    2 570Кешбэк 385 баллов
    IXGH50N90B2D1Транзистор: IGBT 900V 75A 400W TO247AD
    2 581Кешбэк 387 баллов
    IXXH50N60B3D1Транзистор: IGBT 600V 120A 600W TO247
    2 599Кешбэк 389 баллов
    IXA33IF1200HBТранзистор: IGBT 1200V 58A 250W TO247
    2 640Кешбэк 396 баллов
    IXBT6N170Транзистор: IGBT 1700V 12A 75W TO268
    2 709Кешбэк 406 баллов
    IXGH30N120B3D1Транзистор
    2 731Кешбэк 409 баллов
    IXXH150N60C3Транзистор: IGBT 600V TO247
    2 736Кешбэк 410 баллов
    IXYH80N90C3Транзистор: IGBT 900V 165A 830W TO247
    2 747Кешбэк 412 баллов
    IXGT10N170AТранзистор: IGBT 1700V 10A 140W TO268
    2 788Кешбэк 418 баллов
    IXGH40N120C3D1Транзистор: IGBT 1200V 75A 380W TO247
    2 803Кешбэк 420 баллов
    IXGH10N170Транзистор: IGBT 1700V 20A 110W TO247
    2 938Кешбэк 440 баллов
    IXGH16N170AТранзистор: IGBT 1700V 16A 190W TO247
    2 944Кешбэк 441 балл
    IXBH6N170Транзистор: IGBT 1700V 12A 75W TO247AD
    2 957Кешбэк 443 балла
    IXGT6N170Транзистор: IGBT 1700V 12A 75W TO268
    2 977Кешбэк 446 баллов
    IXGT6N170AТранзистор: IGBT 1700V 6A 75W TO268
    3 031Кешбэк 454 балла
    IXA17IF1200HJТранзистор: IGBT 1200V 28A 100W TO247
    3 049Кешбэк 457 баллов
    IXYH75N65C3H1Транзистор: IGBT 650V 170A 750W TO247
    3 183Кешбэк 477 баллов
    IXA45IF1200HBТранзистор: IGBT 1200V 78A 325W TO247
    3 216Кешбэк 482 балла
    IXGT10N170Транзистор: IGBT 1700V 20A 110W TO268
    3 242Кешбэк 486 баллов
    IXBH16N170Транзистор: IGBT 1700V 40A 250W TO247AD
    3 335Кешбэк 500 баллов
    IXGR48N60C3D1Транзистор: IGBT 600V 56A 125W ISOPLUS247
    3 338Кешбэк 500 баллов
    IXGH40N120B2D1Транзистор: IGBT 1200V 75A 380W TO247
    3 340Кешбэк 501 балл
    IXGH40N120A2Транзистор: IGBT 1200V 75A 360W TO247
    3 385Кешбэк 507 баллов
    IXBT16N170AТранзистор: IGBT 1700V 16A 150W TO268
    3 435Кешбэк 515 баллов
    IXBH16N170AТранзистор: IGBT 1700V 16A 150W TO247AD
    3 525Кешбэк 528 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - TRIACs
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Принадлежности
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды силовые
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП