IKW50N60T

IKW50N60T от Infineon Technologies — это дискретный IGBT с анодным охлаждением.

• Основные параметры:
  • Рейтингная мощность: 50 A
  • Рейтингное напряжение: 600 V
  • Тип: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
  • Форм-фактор: с анодным охлаждением
• Плюсы:
  • Высокая эффективность при работе в средних и больших токах
  • Низкое значение тока тока утечки
  • Высокая надежность и долгий срок службы
  • Удобство установки благодаря анодному охлаждению
• Минусы:
  • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
  • Требует дополнительного охлаждения для обеспечения надлежащей работы
• Общее назначение:
  • Используется в промышленных преобразователях частоты
  • Аккумуляторных системах энергии
  • Системах управления двигателем
  • Автомобильной электронике
• В каких устройствах применяется:
  • Преобразователи напряжения и частоты (VFD)
  • Инверторы для электромобилей
  • Системы управления двигателями
  • Солнечные системы энергопитания