Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
IKZ50N65EH5XKSA1
  • В избранное
  • В сравнение
IKZ50N65EH5XKSA1

IKZ50N65EH5XKSA1

IKZ50N65EH5XKSA1
;
IKZ50N65EH5XKSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    INFINEON
  • Артикул:
    IKZ50N65EH5XKSA1
  • Описание:
    Транзистор: IGBT 650V 50A CO-PACK TO-247-4Все характеристики

Минимальная цена IKZ50N65EH5XKSA1 при покупке от 1 шт 1272.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IKZ50N65EH5XKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IKZ50N65EH5XKSA1

ИКЗ50N65EH5XKSA1 Infineon Technologies — это транзистор типа IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с напряжением верхнего предела срабатывания 650В и током непрерывного тока 50А. Он упакован в корпус CO-PACK TO-247-4.

  • Основные параметры:
    • Напряжение верхнего предела срабатывания: 650В
    • Ток непрерывного тока: 50А
    • Корпус: CO-PACK TO-247-4
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер и вес
    • Простота использования
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Необходимость дополнительного охлаждения из-за теплового потока
  • Общее назначение:
    • Переключение высоковольтных и высотокороткосопротивленных цепей
    • Регулировка мощности в промышленных приборах
    • Изменение частоты вращения электродвигателей
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильная индустрия (например, системы управления двигателем)
    • Промышленное оборудование (например, преобразователи частоты)
    • Энергетика (например, системы управления мощностью)
Выбрано: Показать

Характеристики IKZ50N65EH5XKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    Trench
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    85 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    200 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 50A
  • Рассеивание мощности
    273 W
  • Энергия переключения
    410µJ (on), 190µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    109 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    20ns/250ns
  • Условие испытаний
    400V, 25A, 12Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    53 ns
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-4
  • Исполнение корпуса
    PG-TO247-4
  • Base Product Number
    IKZ50N65

Техническая документация

 IKZ50N65EH5XKSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 1292 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 272 ₽
  • 10
    723 ₽
  • 100
    602 ₽
  • 500
    582 ₽
  • 1000
    562 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    INFINEON
  • Артикул:
    IKZ50N65EH5XKSA1
  • Описание:
    Транзистор: IGBT 650V 50A CO-PACK TO-247-4Все характеристики

Минимальная цена IKZ50N65EH5XKSA1 при покупке от 1 шт 1272.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IKZ50N65EH5XKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IKZ50N65EH5XKSA1

ИКЗ50N65EH5XKSA1 Infineon Technologies — это транзистор типа IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с напряжением верхнего предела срабатывания 650В и током непрерывного тока 50А. Он упакован в корпус CO-PACK TO-247-4.

  • Основные параметры:
    • Напряжение верхнего предела срабатывания: 650В
    • Ток непрерывного тока: 50А
    • Корпус: CO-PACK TO-247-4
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер и вес
    • Простота использования
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Необходимость дополнительного охлаждения из-за теплового потока
  • Общее назначение:
    • Переключение высоковольтных и высотокороткосопротивленных цепей
    • Регулировка мощности в промышленных приборах
    • Изменение частоты вращения электродвигателей
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильная индустрия (например, системы управления двигателем)
    • Промышленное оборудование (например, преобразователи частоты)
    • Энергетика (например, системы управления мощностью)
Выбрано: Показать

Характеристики IKZ50N65EH5XKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    Trench
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    85 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    200 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 50A
  • Рассеивание мощности
    273 W
  • Энергия переключения
    410µJ (on), 190µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    109 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    20ns/250ns
  • Условие испытаний
    400V, 25A, 12Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    53 ns
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-4
  • Исполнение корпуса
    PG-TO247-4
  • Base Product Number
    IKZ50N65

Техническая документация

 IKZ50N65EH5XKSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IKP20N65F5XKSA1Транзистор: IGBT TRENCH 650V 42A TO220-3
    659Кешбэк 98 баллов
    IGP30N60H3XKSA1Транзистор: IGBT 600V 60A 187W TO220-3
    697Кешбэк 104 балла
    IHW20N120R5XKSA1Транзистор: IGBT 1200V 40A TO247-3
    796Кешбэк 119 баллов
    IHW30N110R3FKSA1Транзистор: IGBT TRENCH 1100V 60A TO247-3
    864Кешбэк 129 баллов
    IKW40N65H5FKSA1Транзистор: IGBT 650V 74A TO247-3
    866Кешбэк 129 баллов
    IKW50N65EH5XKSA1Транзистор: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
    954Кешбэк 143 балла
    IKW75N65ES5XKSA1Транзистор: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
    1 206Кешбэк 180 баллов
    IKZ50N65EH5XKSA1Транзистор: IGBT 650V 50A CO-PACK TO-247-4
    1 272Кешбэк 190 баллов
    IGW100N60H3FKSA1Транзистор: IGBT 600V 140A TO247-3
    1 576Кешбэк 236 баллов
    IGZ100N65H5XKSA1Транзистор: IGBT TRENCH 650V 161A TO247-4
    1 605Кешбэк 240 баллов
    AUIRG4PH50SТранзистор: IGBT 1200V 57A TO247AC
    2 295Кешбэк 344 балла
    AUIRGDC0250Транзистор: IGBT 1200V 141A 543W TO-220
    2 980Кешбэк 447 баллов
    IXBH16N170AТранзистор: IGBT 1700V 16A 150W TO247AD
    3 593Кешбэк 538 баллов
    IXYX140N90C3Транзистор: IGBT 900V 310A 1630W TO247
    4 499Кешбэк 674 балла
    IXBT42N300HVТранзистор: IGBT 3000V 42A 357W TO268
    10 415Кешбэк 1 562 балла
    FGD5T120SHТранзистор: IGBT 1200V 5A FS3 DPAK
    424Кешбэк 63 балла
    FGH40N60UFDTUТранзистор: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
    646Кешбэк 96 баллов
    ISL9V5036S3STТранзистор: IGBT 390V 46A 250W TO263AB
    722Кешбэк 108 баллов
    FGH40N60SMDТранзистор: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
    766Кешбэк 114 баллов
    FGA60N65SMDТранзистор: IGBT FIELD STOP 650V 120A TO3P
    885Кешбэк 132 балла
    FGH40N60SFDTUТранзистор: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
    897Кешбэк 134 балла
    FGH60N60SMDТранзистор: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247
    1 256Кешбэк 188 баллов
    FGH40T120SMDТранзистор: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
    1 725Кешбэк 258 баллов
    GT30J121(Q)Транзистор: IGBT 600V 30A 170W TO3PN
    781Кешбэк 117 баллов
    AOD5B65M1Транзистор: IGBT 650V 5A TO252
    336Кешбэк 50 баллов
    FGP20N6S2Транзистор: N-CHANNEL IGBT
    144Кешбэк 21 балл
    FGB20N6S2Транзистор: N-CHANNEL IGBT
    182Кешбэк 27 баллов
    HGTP12N60A4Транзистор: UFS SERIES N-CH IGBT
    201Кешбэк 30 баллов
    FGH20N6S2DТранзистор: N-CHANNEL IGBT
    230Кешбэк 34 балла
    FGPF70N30TDTUТранзистор: IGBT 300V 49.2W TO220F
    236Кешбэк 35 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диодные мосты - Модули
    Диодные мосты
    Одиночные триодные тиристоры
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Сборки биполярных транзисторов
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Симисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Модули триодных тиристоров
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Варикапы и Варакторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    IGBT транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторные модули
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Сборки
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Симисторы - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП