Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды выпрямительные - Одиночные
IMBD4448-E3-08
  • В избранное
  • В сравнение
IMBD4448-E3-08

IMBD4448-E3-08

IMBD4448-E3-08
;
IMBD4448-E3-08

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Артикул:
    IMBD4448-E3-08
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23Все характеристики

Минимальная цена IMBD4448-E3-08 при покупке от 1 шт 58.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IMBD4448-E3-08 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IMBD4448-E3-08

IMBD4448-E3-08 - это диод Vishay General Semiconductor из серии SOT23.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 75В
    • Номинальный ток: 150mA
    • Форм-фактор: SOT23
  • Плюсы:
    • Малый размер и легкость при интеграции в печатные платы
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к тепловому стрессу
  • Минусы:
    • Меньшая мощность по сравнению с большими диодами
    • Требует дополнительных термических решений для высоких мощностей
  • Общее назначение:
    • Защита электронных компонентов от обратного напряжения
    • Сброс избыточного напряжения
    • Регулировка напряжения
  • Применение:
    • Мобильные устройства
    • Игровые консоли
    • Автомобили
    • Микросистемная электроника
    • Беспроводные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики IMBD4448-E3-08

  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    75 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    150mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 10 mA
  • Скорость
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    4 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    2.5 µA @ 70 V
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Рабочая температура pn-прехода
    150°C (Max)
  • Base Product Number
    IMBD4448

Техническая документация

 IMBD4448-E3-08.pdf
pdf. 0 kb
  • 11990 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    58 ₽
  • 100
    17.7 ₽
  • 1000
    11.5 ₽
  • 6000
    8.5 ₽
  • 15000
    7.5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Артикул:
    IMBD4448-E3-08
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23Все характеристики

Минимальная цена IMBD4448-E3-08 при покупке от 1 шт 58.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IMBD4448-E3-08 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IMBD4448-E3-08

IMBD4448-E3-08 - это диод Vishay General Semiconductor из серии SOT23.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 75В
    • Номинальный ток: 150mA
    • Форм-фактор: SOT23
  • Плюсы:
    • Малый размер и легкость при интеграции в печатные платы
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к тепловому стрессу
  • Минусы:
    • Меньшая мощность по сравнению с большими диодами
    • Требует дополнительных термических решений для высоких мощностей
  • Общее назначение:
    • Защита электронных компонентов от обратного напряжения
    • Сброс избыточного напряжения
    • Регулировка напряжения
  • Применение:
    • Мобильные устройства
    • Игровые консоли
    • Автомобили
    • Микросистемная электроника
    • Беспроводные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики IMBD4448-E3-08

  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    75 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    150mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 10 mA
  • Скорость
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    4 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    2.5 µA @ 70 V
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Рабочая температура pn-прехода
    150°C (Max)
  • Base Product Number
    IMBD4448

Техническая документация

 IMBD4448-E3-08.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    GP10G-E3/54DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
    52Кешбэк 7 баллов
    BY448TRDIODE AVALANCHE 1500V 2A SOD57
    54Кешбэк 8 баллов
    S1MHE3_A/IDIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
    54Кешбэк 8 баллов
    BAT43W-G3-08DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123
    54Кешбэк 8 баллов
    1N4934GPE-E3/54DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL
    54Кешбэк 8 баллов
    RS07D-M-08DIODE GP 200V 500MA DO219AB
    54Кешбэк 8 баллов
    SS26HE3_A/IДиод: DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO214AA
    54Кешбэк 8 баллов
    RS1K-E3/5ATDIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
    54Кешбэк 8 баллов
    BAT85S-TRДиод: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA DO35
    56Кешбэк 8 баллов
    BAV20W-G3-08DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD123
    56Кешбэк 8 баллов
    1N5403-E3/54DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD
    56Кешбэк 8 баллов
    S1PG-M3/84AДиод: DIODE GEN PURP 400V 1A DO220AA
    56Кешбэк 8 баллов
    BAT54WS-E3-18Диод: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD323
    56Кешбэк 8 баллов
    RGP02-16E-E3/53DIODE GP 1.6KV 500MA DO204AL
    57Кешбэк 8 баллов
    BAT86S-TAPDIODE SCHOTTKY 50V 200MA DO35
    58Кешбэк 8 баллов
    IMBD4448-E3-08DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23
    58Кешбэк 8 баллов
    ESH1B-E3/61TDIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
    58Кешбэк 8 баллов
    US1M-M3/61TДиод: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
    60Кешбэк 9 баллов
    S1M-M3/5ATДиод: DIODE GPP 1A 1000V DO-214AC
    60Кешбэк 9 баллов
    US1M-M3/5ATДиод: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
    60Кешбэк 9 баллов
    ES1PD-M3/84ADIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA
    60Кешбэк 9 баллов
    BAT42WS-HE3-08DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD323
    60Кешбэк 9 баллов
    BAS40-00-G3-08DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOT23
    62Кешбэк 9 баллов
    RS07G-M-08DIODE GP 400V 500MA DO219AB
    62Кешбэк 9 баллов
    SS25S-E3/5ATДиод: DIODE SCHOTTKY 50V 2A DO214AC
    62Кешбэк 9 баллов
    BAS40-00-E3-18DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOT23
    62Кешбэк 9 баллов
    AU1PD-M3/84ADIODE AVALANCHE 200V 1A DO220AA
    62Кешбэк 9 баллов
    SS25S-E3/61TДиод: DIODE SCHOTTKY 50V 2A DO214AC
    62Кешбэк 9 баллов
    BAT81S-TAPDIODE SCHOTTKY 40V 30MA DO35
    64Кешбэк 9 баллов
    SE10FJHM3/IDIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
    64Кешбэк 9 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды силовые
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторные модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы специального назначения
    Варикапы и Варакторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Тиристоры - TRIACs
    Модули драйверов питания
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные диоды
    Диоды - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Сборки биполярных транзисторов
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR - модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Модули триодных тиристоров
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Симисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП