IMH21T110

IMH21T110 Rohm Semiconductor Транзистор

• Основные параметры:
• Тип: полевая транзисторная трубка (MOSFET)
• Номинальное напряжение вдоль канала V_GS(th): 3.0 В
• Максимальное напряжение между дреном и эмиттером V_DS(max): 65 В
• Максимальный ток дrena I_D(max): 1.1 А
• Рабочий диапазон температур: -40°C до +125°C
• Плюсы:
• Высокая эффективность работы
• Малый ток утечки при отключенном сигнале
• Хорошая термостойкость
• Малый размер и легкость монтажа
• Минусы:
• Относительно высокое значение порогового напряжения
• Необходимо использование дополнительного источника питания для управления
• Общее назначение:
• Управление током в электрических цепях
• Уменьшение энергопотерь в электронных устройствах
• Переключение нагрузок
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы
• Электронные блоки питания
• Инверторы и преобразователи
• Компьютерные периферийные устройства
• Системы управления двигателем