Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IPA60R165CP
  • В избранное
  • В сравнение
IPA60R165CP

IPA60R165CP

IPA60R165CP
;
IPA60R165CP

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPA60R165CP
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 21A TO220Все характеристики

Минимальная цена IPA60R165CP при покупке от 1 шт 1205.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPA60R165CP с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPA60R165CP

IPA60R165CP — это MOSFET N-канального типа от Infineon Technologies, предназначенный для использования в различных электронных устройствах.

  • Номинальное напряжение (VDS(on)): 600В
  • Размер токов: 21А
  • Тип корпуса: TO220

Плюсы:

  • Высокая надежность благодаря качественному исполнению и проверенной технологии производства Infineon.
  • Малый динамический ток (trrm) позволяет эффективно управлять нагрузкой.
  • Устойчивость к перегреву, что обеспечивает долгий срок службы.
  • Низкое сопротивление резистора ON (RDSON), что уменьшает потери энергии.

Минусы:

  • Высокая цена по сравнению с аналогичными MOSFETами других производителей.
  • Необходимость дополнительного охлаждения при работе с высокими токами.

Общее назначение:

  • Использование в источниках питания.
  • Контроль мощности в системах управления двигателем.
  • Драйверы для светодиодных лент и других LED-устройств.
  • Применение в инверторах и преобразователях.

Эти MOSFETы широко используются в устройствах, требующих высокой надежности и эффективности, таких как бытовые приборы, промышленное оборудование и автомобильная электроника.

Выбрано: Показать

Характеристики IPA60R165CP

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    21A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    165mOhm @ 12A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.5V @ 790µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    52 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2000 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    34W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO220 Full Pack
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • 502 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 205 ₽
  • 10
    718 ₽
  • 100
    563 ₽
  • 500
    385 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPA60R165CP
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 21A TO220Все характеристики

Минимальная цена IPA60R165CP при покупке от 1 шт 1205.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPA60R165CP с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPA60R165CP

IPA60R165CP — это MOSFET N-канального типа от Infineon Technologies, предназначенный для использования в различных электронных устройствах.

  • Номинальное напряжение (VDS(on)): 600В
  • Размер токов: 21А
  • Тип корпуса: TO220

Плюсы:

  • Высокая надежность благодаря качественному исполнению и проверенной технологии производства Infineon.
  • Малый динамический ток (trrm) позволяет эффективно управлять нагрузкой.
  • Устойчивость к перегреву, что обеспечивает долгий срок службы.
  • Низкое сопротивление резистора ON (RDSON), что уменьшает потери энергии.

Минусы:

  • Высокая цена по сравнению с аналогичными MOSFETами других производителей.
  • Необходимость дополнительного охлаждения при работе с высокими токами.

Общее назначение:

  • Использование в источниках питания.
  • Контроль мощности в системах управления двигателем.
  • Драйверы для светодиодных лент и других LED-устройств.
  • Применение в инверторах и преобразователях.

Эти MOSFETы широко используются в устройствах, требующих высокой надежности и эффективности, таких как бытовые приборы, промышленное оборудование и автомобильная электроника.

Выбрано: Показать

Характеристики IPA60R165CP

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    21A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    165mOhm @ 12A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.5V @ 790µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    52 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2000 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    34W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO220 Full Pack
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NP90N055VUK-E1-AYMOSFET N-CH 55V 90A TO252-3
    567Кешбэк 85 баллов
    NP50P06SDG-E1-AYMOSFET P-CH 60V 50A TO-252
    608Кешбэк 91 балл
    RJK03M1DPA-00#J5AMOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
    612Кешбэк 91 балл
    NP50P03YDG-E1-AYMOSFET P-CH 30V 50A 8HSON
    614Кешбэк 92 балла
    N0603N-S23-AYMOSFET N-CH 60V 100A TO262
    616Кешбэк 92 балла
    RJK1055DPB-00#J5MOSFET N-CH 100V 23A LFPAK
    620Кешбэк 93 балла
    N0413N-ZK-E1-AYMOSFET N-CH 40V 100A TO263
    652Кешбэк 97 баллов
    RJK0655DPB-00#J5MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK
    696Кешбэк 104 балла
    RJK1056DPB-00#J5MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK
    730Кешбэк 109 баллов
    RJK0656DPB-00#J5MOSFET N-CH 60V 40A LFPAK
    740Кешбэк 111 баллов
    NP83P06PDG-E1-AYMOSFET P-CH 60V 83A TO263
    934Кешбэк 140 баллов
    NP83P04PDG-E1-AYMOSFET P-CH 40V 83A TO-263
    936Кешбэк 140 баллов
    NP110N04PUK-E1-AYТранзистор: MOSFET N-CH 40V 110A TO263-3
    1 131Кешбэк 169 баллов
    NP100P06PDG-E1-AYMOSFET P-CH 60V 100A TO263
    1 185Кешбэк 177 баллов
    NP100P06PLG-E1-AYMOSFET P-CH 60V 100A TO263
    1 193Кешбэк 178 баллов
    NP180N04TUK-E1-AYMOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
    1 297Кешбэк 194 балла
    C3M0280090DSICFET N-CH 900V 11.5A TO247-3
    1 988Кешбэк 298 баллов
    C2M0280120DТранзистор: SICFET N-CH 1200V 10A TO247-3
    2 324Кешбэк 348 баллов
    C2M1000170JТранзистор: SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK
    2 467Кешбэк 370 баллов
    C2M1000170J-TRSICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK-7
    2 512Кешбэк 376 баллов
    C2M0040120DSICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
    11 122Кешбэк 1 668 баллов
    C2M0025120DSICFET N-CH 1200V 90A TO247-3
    14 751Кешбэк 2 212 баллов
    SI8406DB-T2-E1MOSFET N-CH 20V 16A 6MICRO FOOT
    96Кешбэк 14 баллов
    SI8466EDB-T2-E1MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
    96Кешбэк 14 баллов
    SI5442DU-T1-GE3MOSFET N-CH 20V 25A PPAK
    104Кешбэк 15 баллов
    SI1424EDH-T1-GE3MOSFET N-CH 20V 4A SOT-363
    108Кешбэк 16 баллов
    SI1077X-T1-GE3MOSFET P-CH 20V SC89-6
    122Кешбэк 18 баллов
    SI8810EDB-T2-E1MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
    122Кешбэк 18 баллов
    SIS435DNT-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8
    124Кешбэк 18 баллов
    SI3464DV-T1-GE3MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
    126Кешбэк 18 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Симисторы - Модули
    Диоды силовые
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - IGBT - модули
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды выпрямительные - Модули
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    IGBT транзисторы
    Симисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторные модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Сборки биполярных транзисторов
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные диоды
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - TRIACs
    Модули триодных тиристоров
    Одиночные IGBT транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы специального назначения
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП