Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IPA65R1K5CEXKSA1
  • В избранное
  • В сравнение
IPA65R1K5CEXKSA1

IPA65R1K5CEXKSA1

IPA65R1K5CEXKSA1
;
IPA65R1K5CEXKSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPA65R1K5CEXKSA1
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 650V 5.2A TO220Все характеристики

Минимальная цена IPA65R1K5CEXKSA1 при покупке от 1 шт 267.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPA65R1K5CEXKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPA65R1K5CEXKSA1

Транзистор: MOSFET N-CH 650V 5.2A TO220 (Infineon Technologies IPA65R1K5CEXKSA1)

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 650В
    • Номинальный ток: 5.2А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Форм-фактор: TO220
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме насыщения
    • Малый ток стока при отключенном транзисторе
    • Устойчивость к электрическим и термическим шокам
    • Компактный размер и легкий вес
  • Минусы:
    • Необходимо дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
    • Существует вероятность повреждения при несоблюдении правил работы с высоким напряжением
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение нагрузок
    • Уменьшение потерь энергии в электронных цепях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления
    • Электропитание и преобразование энергии
    • Беспроводные устройства
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики IPA65R1K5CEXKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5.2A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.5Ohm @ 1A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.5V @ 130µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    10.5 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    225 pF @ 100 V
  • Особенности полевого транзистора
    Super Junction
  • Рассеивание мощности (Макс)
    30W (Tc)
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO220-FP
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Base Product Number
    IPA65R1

Техническая документация

 IPA65R1K5CEXKSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 170 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    267 ₽
  • 10
    168 ₽
  • 500
    88 ₽
  • 2500
    73 ₽
  • 10000
    63 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPA65R1K5CEXKSA1
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 650V 5.2A TO220Все характеристики

Минимальная цена IPA65R1K5CEXKSA1 при покупке от 1 шт 267.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPA65R1K5CEXKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPA65R1K5CEXKSA1

Транзистор: MOSFET N-CH 650V 5.2A TO220 (Infineon Technologies IPA65R1K5CEXKSA1)

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 650В
    • Номинальный ток: 5.2А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Форм-фактор: TO220
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме насыщения
    • Малый ток стока при отключенном транзисторе
    • Устойчивость к электрическим и термическим шокам
    • Компактный размер и легкий вес
  • Минусы:
    • Необходимо дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
    • Существует вероятность повреждения при несоблюдении правил работы с высоким напряжением
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение нагрузок
    • Уменьшение потерь энергии в электронных цепях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления
    • Электропитание и преобразование энергии
    • Беспроводные устройства
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики IPA65R1K5CEXKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5.2A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.5Ohm @ 1A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.5V @ 130µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    10.5 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    225 pF @ 100 V
  • Особенности полевого транзистора
    Super Junction
  • Рассеивание мощности (Макс)
    30W (Tc)
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO220-FP
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Base Product Number
    IPA65R1

Техническая документация

 IPA65R1K5CEXKSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IRFB3077PBFMOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
    503Кешбэк 75 баллов
    IPA60R400CEXKSA1MOSFET N-CH 600V 10.3A TO220-FP
    324Кешбэк 48 баллов
    IRFB3207ZPBFТранзистор: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
    462Кешбэк 69 баллов
    AUIRFR8403TRLMOSFET N-CH 40V 100A DPAK
    530Кешбэк 79 баллов
    IRFP054NPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 81A TO247AC
    547Кешбэк 82 балла
    IRFB3006PBFMOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
    468Кешбэк 70 баллов
    IRFS3207ZTRRPBFMOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
    897Кешбэк 134 балла
    IPA50R800CEXKSA2MOSFET N-CH 500V 4.1A TO220
    217Кешбэк 32 балла
    IPA65R1K5CEXKSA1Транзистор: MOSFET N-CH 650V 5.2A TO220
    267Кешбэк 40 баллов
    IRFB4229PBFMOSFET N-CH 250V 46A TO220AB
    586Кешбэк 87 баллов
    IPB60R120C7ATMA1MOSFET N-CH 650V 19A TO263-3
    814Кешбэк 122 балла
    IRF9383MTRPBFMOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET
    578Кешбэк 86 баллов
    IPZ65R019C7XKSA1MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
    3 096Кешбэк 464 балла
    IRFZ34NPBFMOSFET N-CH 55V 29A TO220AB
    67Кешбэк 10 баллов
    IPW60R099C7XKSA1MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3
    1 022Кешбэк 153 балла
    IPA65R1K0CEXKSA1MOSFET N-CH 650V 7.2A TO220
    173Кешбэк 25 баллов
    IPD60R180C7ATMA1MOSFET N-CH 600V 13A TO252-3
    518Кешбэк 77 баллов
    SPA11N80C3XKSA2Транзистор: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
    611Кешбэк 91 балл
    IRFR3709ZTRLPBFMOSFET N-CH 30V 86A DPAK
    262Кешбэк 39 баллов
    IRF630NPBFТранзистор: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB
    235Кешбэк 35 баллов
    IRFB3206GPBFMOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
    308Кешбэк 46 баллов
    AUIRF3710ZSTRLMOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
    858Кешбэк 128 баллов
    IPI076N12N3GAKSA1MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3
    742Кешбэк 111 баллов
    IRFB7540PBFMOSFET N-CH 60V 110A TO220
    304Кешбэк 45 баллов
    IRFU120NPBFТранзистор: MOSFET N-CH 100V 9.4A IPAK
    158Кешбэк 23 балла
    IRFB7430PBFMOSFET N CH 40V 195A TO220
    624Кешбэк 93 балла
    IPA60R180C7XKSA1MOSFET N-CH 600V 9A TO220-FP
    525Кешбэк 78 баллов
    IRFP90N20DPBFMOSFET N-CH 200V 94A TO247AC
    939Кешбэк 140 баллов
    AUIRFP4568-EMOSFET N-CH 150V 171A TO247AD
    2 322Кешбэк 348 баллов
    SPW12N50C3FKSA1MOSFET N-CH 560V 11.6A TO247-3
    392Кешбэк 58 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Принадлежности
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды силовые
    Тиристоры - TRIACs
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Триодные тиристоры - Модули
    Симисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - Модули
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - SCR
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП