Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
IPB017N10N5LFATMA1
  • В избранное
  • В сравнение
IPB017N10N5LFATMA1

IPB017N10N5LFATMA1

IPB017N10N5LFATMA1
;
IPB017N10N5LFATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPB017N10N5LFATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7Все характеристики

Минимальная цена IPB017N10N5LFATMA1 при покупке от 1 шт 1294.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPB017N10N5LFATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPB017N10N5LFATMA1

IPB017N10N5LFATMA1 — это MOSFET (MOSFET N-канальный) производства Infineon Technologies, работающий при напряжении питания до 100 В и максимальном токе 180 А.

  • Напряжение включения: 100 В
  • Максимальный ток: 180 А
  • Тип корпуса: TO263-7
  • Тип канала: N-канальный

Плюсы:

  • Высокая мощность: способен передавать большие токи.
  • Малый ток утечки: низкий уровень утечечного тока обеспечивает высокую эффективность работы.
  • Корпус TO263-7: обеспечивает хорошую термическую конduction.

Минусы:

  • Высокое напряжение: подходит только для систем с напряжением до 100 В.
  • Сложность в размещении: большой размер корпуса может ограничивать его использование в компактных устройствах.

Общее назначение:

Используется в различных приборах, требующих высокопроизводительной электроники, таких как:

  • Автомобильные системы управления двигателем
  • Электропитание бытовой техники
  • Инверторы и преобразователи
  • Мощные регуляторы напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики IPB017N10N5LFATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    180A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.7mOhm @ 100A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.1V @ 270µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    195 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    840 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    313W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TO263-7
  • Корпус
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
  • Base Product Number
    IPB017

Техническая документация

 IPB017N10N5LFATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 4813 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 294 ₽
  • 10
    873 ₽
  • 100
    648 ₽
  • 500
    645 ₽
  • 1000
    527 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPB017N10N5LFATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7Все характеристики

Минимальная цена IPB017N10N5LFATMA1 при покупке от 1 шт 1294.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPB017N10N5LFATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPB017N10N5LFATMA1

IPB017N10N5LFATMA1 — это MOSFET (MOSFET N-канальный) производства Infineon Technologies, работающий при напряжении питания до 100 В и максимальном токе 180 А.

  • Напряжение включения: 100 В
  • Максимальный ток: 180 А
  • Тип корпуса: TO263-7
  • Тип канала: N-канальный

Плюсы:

  • Высокая мощность: способен передавать большие токи.
  • Малый ток утечки: низкий уровень утечечного тока обеспечивает высокую эффективность работы.
  • Корпус TO263-7: обеспечивает хорошую термическую конduction.

Минусы:

  • Высокое напряжение: подходит только для систем с напряжением до 100 В.
  • Сложность в размещении: большой размер корпуса может ограничивать его использование в компактных устройствах.

Общее назначение:

Используется в различных приборах, требующих высокопроизводительной электроники, таких как:

  • Автомобильные системы управления двигателем
  • Электропитание бытовой техники
  • Инверторы и преобразователи
  • Мощные регуляторы напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики IPB017N10N5LFATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    180A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.7mOhm @ 100A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.1V @ 270µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    195 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    840 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    313W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TO263-7
  • Корпус
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
  • Base Product Number
    IPB017

Техническая документация

 IPB017N10N5LFATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IXTP44P15TMOSFET P-CH 150V 44A TO220AB
    1 226Кешбэк 183 балла
    IXTP130N15X4MOSFET N-CH 150V 130A TO220
    1 240Кешбэк 186 баллов
    IXTA180N10T-TRLMOSFET N-CH 100V 180A TO263
    1 277Кешбэк 191 балл
    IXTP24N65X2MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
    1 281Кешбэк 192 балла
    IXTA96P085T-TRLMOSFET P-CH 85V 96A TO263
    1 302Кешбэк 195 баллов
    IXFP30N25X3MOSFET N-CHANNEL 250V 30A TO220
    1 310Кешбэк 196 баллов
    IXTA3N100D2HVMOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV
    1 357Кешбэк 203 балла
    IXTP140N12T2MOSFET N-CH 120V 140A TO220AB
    1 368Кешбэк 205 баллов
    IXTP34N65X2MOSFET N-CH 650V 34A TO220AB
    1 398Кешбэк 209 баллов
    IXFA60N25X3MOSFET N-CH 250V 60A TO263AA
    1 421Кешбэк 213 баллов
    IXTH20N65X2MOSFET N-CH 650V 20A TO247
    1 436Кешбэк 215 баллов
    IXTA10P50P-TRLMOSFET P-CH 500V 10A TO263
    1 512Кешбэк 226 баллов
    IXTA26P20P-TRLТранзистор: MOSFET P-CH 200V 26A TO263
    1 516Кешбэк 227 баллов
    IXTA52P10P-TRLMOSFET P-CH 100V 52A TO263
    1 517Кешбэк 227 баллов
    IXFA30N25X3MOSFET N-CHANNEL 250V 30A TO263
    1 529Кешбэк 229 баллов
    IXFP72N20X3MOSFET N-CH 200V 72A TO220
    1 536Кешбэк 230 баллов
    IXFA72N20X3MOSFET N-CH 200V 72A TO263AA
    1 540Кешбэк 231 балл
    IXFP56N30X3MOSFET N-CH 300V 56A TO220AB
    1 548Кешбэк 232 балла
    IXFH90N20X3MOSFET N-CH 200V 90A TO247
    1 580Кешбэк 237 баллов
    IXTA3N120HVMOSFET N-CH 1200V 3A TO263
    1 614Кешбэк 242 балла
    IXFA56N30X3MOSFET N-CH 300V 56A TO263AA
    1 616Кешбэк 242 балла
    IXFP56N30X3MMOSFET N-CH 300V 56A TO220
    1 629Кешбэк 244 балла
    IXFH34N65X3MOSFET 34A 650V X3 TO247
    1 629Кешбэк 244 балла
    IXFP60N25X3MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
    1 631Кешбэк 244 балла
    IXFP60N25X3MMOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
    1 642Кешбэк 246 баллов
    IXFP34N65X2MMOSFET N-CH 650V 34A TO220
    1 667Кешбэк 250 баллов
    IXFT60N65X2HVMOSFET N-CH 650V 60A TO268HV
    1 697Кешбэк 254 балла
    IXFA80N25X3MOSFET N-CH 250V 80A TO263AA
    1 699Кешбэк 254 балла
    IXTA3N120-TRLMOSFET N-CH 1200V 3A TO263
    1 714Кешбэк 257 баллов
    IXFH36N60X3MOSFET ULTRA JCT 600V 36A TO247
    1 782Кешбэк 267 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды силовые
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    IGBT транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - JFET
    Одиночные биполярные транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Тиристоры - TRIACs
    Диодные мосты
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Симисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Симисторы - Модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы специального назначения
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные диоды
    Транзисторные модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - SCR - модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП