Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранители
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IPB160N04S4H1ATMA1
  • В избранное
  • В сравнение
IPB160N04S4H1ATMA1

IPB160N04S4H1ATMA1

IPB160N04S4H1ATMA1
;
IPB160N04S4H1ATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    INFINEON
  • Артикул:
    IPB160N04S4H1ATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7Все характеристики

Минимальная цена IPB160N04S4H1ATMA1 при покупке от 1 шт 503.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPB160N04S4H1ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPB160N04S4H1ATMA1

IPB160N04S4H1ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

  • Основные параметры:
    • Номинальный ток (IDS(on)): 160 А
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 40 В
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Коллектор-эмиттерный диод: отсутствует
    • Пакет: TO263-7
  • Плюсы:
    • Высокая номинальная conductive тока (IDS(on))
    • Устойчивость к высоким напряжениям до 40 В
    • Эффективность работы
    • Малый размер и легкий вес благодаря компактному пакету TO263-7
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами MOSFET
    • Требуют дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Привод управления двигателями
    • Автоматизация и контроль систем
    • Распределение тока в различных электроприборах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Энергосберегающие системы
    • Системы управления двигателем
    • Измерительные приборы
Выбрано: Показать

Характеристики IPB160N04S4H1ATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    160A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.6mOhm @ 100A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 110µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    137 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    10920 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    167W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TO263-7-3
  • Корпус
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
  • Base Product Number
    IPB160

Техническая документация

 IPB160N04S4H1ATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 8302 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    503 ₽
  • 10
    287 ₽
  • 100
    253 ₽
  • 500
    206 ₽
  • 1000
    188 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    INFINEON
  • Артикул:
    IPB160N04S4H1ATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7Все характеристики

Минимальная цена IPB160N04S4H1ATMA1 при покупке от 1 шт 503.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPB160N04S4H1ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPB160N04S4H1ATMA1

IPB160N04S4H1ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

  • Основные параметры:
    • Номинальный ток (IDS(on)): 160 А
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 40 В
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Коллектор-эмиттерный диод: отсутствует
    • Пакет: TO263-7
  • Плюсы:
    • Высокая номинальная conductive тока (IDS(on))
    • Устойчивость к высоким напряжениям до 40 В
    • Эффективность работы
    • Малый размер и легкий вес благодаря компактному пакету TO263-7
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами MOSFET
    • Требуют дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Привод управления двигателями
    • Автоматизация и контроль систем
    • Распределение тока в различных электроприборах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Энергосберегающие системы
    • Системы управления двигателем
    • Измерительные приборы
Выбрано: Показать

Характеристики IPB160N04S4H1ATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    160A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.6mOhm @ 100A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 110µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    137 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    10920 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    167W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TO263-7-3
  • Корпус
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
  • Base Product Number
    IPB160

Техническая документация

 IPB160N04S4H1ATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IPD50P03P4L11ATMA1MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3
    307Кешбэк 46 баллов
    IRLR2703TRPBFMOSFET N-CH 30V 23A DPAK
    168Кешбэк 25 баллов
    BSS138WH6433XTMA1MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3
    79Кешбэк 11 баллов
    IRF540ZLPBFТранзистор: MOSFET N-CH 100V 36A TO262
    340Кешбэк 51 балл
    IRLMS2002TRPBFMOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6
    104Кешбэк 15 баллов
    IPB160N04S4H1ATMA1MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
    503Кешбэк 75 баллов
    IRFU3607PBFMOSFET N-CH 75V 56A IPAK
    145Кешбэк 21 балл
    IPD80R1K4CEATMA1MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
    340Кешбэк 51 балл
    IPB70N10S3L12ATMA1MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
    749Кешбэк 112 баллов
    IPB120P04P4L03ATMA1MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
    804Кешбэк 120 баллов
    BSP135H6433XTMA1MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223
    377Кешбэк 56 баллов
    IRFH7787TRPBFMOSFET N-CH 75V 68A PQFN
    442Кешбэк 66 баллов
    BSC079N03LSCGATMA1MOSFET N-CH 30V 14A/50A TDSON
    120Кешбэк 18 баллов
    IRLHM630TRPBFMOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
    71Кешбэк 10 баллов
    BSZ0501NSIATMA1MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
    327Кешбэк 49 баллов
    IPZ40N04S5L7R4ATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
    109Кешбэк 16 баллов
    IRFP4668PBFMOSFET N-CH 200V 130A TO247AC
    616Кешбэк 92 балла
    BSZ017NE2LS5IATMA1MOSFET N-CH 25V 27A/40A TSDSON
    327Кешбэк 49 баллов
    BSC886N03LSGATMA1MOSFET N-CH 30V 13A/65A TDSON
    214Кешбэк 32 балла
    BSZ013NE2LS5IATMA1MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
    414Кешбэк 62 балла
    IPZ40N04S5L4R8ATMA1MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
    186Кешбэк 27 баллов
    IPD70P04P4L08ATMA1MOSFET P-CH 40V 70A TO252-3
    366Кешбэк 54 балла
    IRF6715MTRPBFMOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET
    778Кешбэк 116 баллов
    AUIRF8739L2TRMOSFET N-CH 40V 57A DIRECTFET
    1 579Кешбэк 236 баллов
    IRF9383MTRPBFMOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET
    581Кешбэк 87 баллов
    IRF7739L1TRPBFMOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET
    878Кешбэк 131 балл
    IRF8301MTRPBFMOSFET N-CH 30V 34A DIRECTFET
    701Кешбэк 105 баллов
    IPB120N04S402ATMA1MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
    240Кешбэк 36 баллов
    IRFH5250DTRPBFMOSFET N-CH 25V 40A/100A 8PQFN
    226Кешбэк 33 балла
    SPD04P10PGBTMA1MOSFET P-CH 100V 4A TO252-3
    184Кешбэк 27 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторные модули
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Модули драйверов питания
    Одиночные биполярные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Модули триодных тиристоров
    Тиристоры - TRIACs
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Модули драйверов питания
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды силовые
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диодные мосты
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - JFET
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Симисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы специального назначения
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП