Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IPB180N10S403ATMA1
IPB180N10S403ATMA1

IPB180N10S403ATMA1

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPB180N10S403ATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7Все характеристики

Минимальная цена IPB180N10S403ATMA1 при покупке от 1 шт 1102.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPB180N10S403ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IPB180N10S403ATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    180A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.3mOhm @ 100A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.5V @ 180µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    140 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    10120 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    250W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TO263-7-3
  • Корпус
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
  • Base Product Number
    IPB180
Техническая документация
 IPB180N10S403ATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 1062 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 102 ₽
  • 10
    762 ₽
  • 100
    551 ₽
  • 500
    463 ₽
  • 1000
    461 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPB180N10S403ATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7Все характеристики

Минимальная цена IPB180N10S403ATMA1 при покупке от 1 шт 1102.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPB180N10S403ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IPB180N10S403ATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    180A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.3mOhm @ 100A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.5V @ 180µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    140 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    10120 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    250W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TO263-7-3
  • Корпус
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
  • Base Product Number
    IPB180
Техническая документация
 IPB180N10S403ATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SUM55P06-19L-E3MOSFET P-CH 60V 55A TO263
    473Кешбэк 70 баллов
    IXFX32N100Q3MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247-3
    6 046Кешбэк 906 баллов
    FQD7N10LTMMOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
    211Кешбэк 31 балл
    NTTFS4985NFTAGMOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN
    136Кешбэк 20 баллов
    PSMN011-80YS,115MOSFET N-CH 80V 67A LFPAK56
    342Кешбэк 51 балл
    CSD17308Q3TТранзистор: MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON
    316Кешбэк 47 баллов
    FQB20N06TMMOSFET N-CH 60V 20A D2PAK
    92Кешбэк 13 баллов
    IRFR024NTRLPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
    170Кешбэк 25 баллов
    FDMA86551LMOSFET N-CH 60V 7.5A 6MICROFET
    288Кешбэк 43 балла
    VP2206N3-GMOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
    480Кешбэк 72 балла
    5HP01M-TL-H
    22.4Кешбэк 3 балла
    HUF75329D3MOSFET N-CH 55V 20A IPAK
    181Кешбэк 27 баллов
    NIF9N05CLT3MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223
    403Кешбэк 60 баллов
    IXTP1R6N100D2MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB
    865Кешбэк 129 баллов
    IRFS7530TRL7PPТранзистор: MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
    743Кешбэк 111 баллов
    IRFR2307ZTRLPBFMOSFET N-CH 75V 42A DPAK
    392Кешбэк 58 баллов
    NTLUS3A18PZTCGMOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
    54Кешбэк 8 баллов
    SIHA20N50E-E3MOSFET N-CH 500V 19A TO220
    661Кешбэк 99 баллов
    ZVNL120AMOSFET N-CH 200V 180MA TO92-3
    204Кешбэк 30 баллов
    FQPF13N50CТранзистор: QFC 500V 480MOHM TO220F
    295Кешбэк 44 балла
    PSMN2R0-30YL,115MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
    420Кешбэк 63 балла
    IRF7805TRPBFPFET, 30V, 0.011OHM, 1OXIDE SEMI
    112Кешбэк 16 баллов
    FCPF067N65S3MOSFET N-CH 650V 44A TO220F
    1 349Кешбэк 202 балла
    STH160N4LF6-2MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
    445Кешбэк 66 баллов
    FDMC86240MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8MLP
    385Кешбэк 57 баллов
    DMTH4005SPSQ-13MOSFET N-CH 40V 20.9A PWRDI5060
    288Кешбэк 43 балла
    STF18N55M5MOSFET N-CH 550V 16A TO220FP
    689Кешбэк 103 балла
    FDD306PMOSFET P-CH 12V 6.7A TO252
    213Кешбэк 31 балл
    DMN2004K-7MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3
    77Кешбэк 11 баллов
    SI3473CDV-T1-GE3MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP
    191Кешбэк 28 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Принадлежности
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Драйверы питания - Модули
    Диоды силовые
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диодные мосты
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Триодные тиристоры - Модули
    Модули драйверов питания
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП