Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
IPB320N20N3GATMA1
  • В избранное
  • В сравнение
IPB320N20N3GATMA1

IPB320N20N3GATMA1

IPB320N20N3GATMA1
;
IPB320N20N3GATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    INFINEON
  • Артикул:
    IPB320N20N3GATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 200V 34A D2PAKВсе характеристики

Минимальная цена IPB320N20N3GATMA1 при покупке от 1 шт 716.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPB320N20N3GATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPB320N20N3GATMA1

IPB320N20N3GATMA1 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства Infineon Technologies, принадлежащий к типу N-канального с низким напряжением гатывающего электрода.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VGS(th)) - 200 В
    • Размер тока (ID(on)) - 34 А
    • Формат пакета - D2PAK

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность благодаря использованию современных технологий производства.
  • Малый размер и легкость для интеграции в различные электронные устройства.
  • Устойчивость к перегреву и высокие температурные характеристики.
  • Минимальный включение и отключение времени, что улучшает работу в высокочастотных режимах.

Минусы:

  • Высокое значение тока может привести к увеличению тепловыделения, требующего эффективного охлаждения.
  • Стоимость может быть выше по сравнению с менее мощными MOSFET.

Общее назначение: Используется для управления токами в различных приборах и системах, где требуется высокая проводимость и точное управление током. Может применяться в:

  • Автомобильных системах (например, системах управления двигателем).
  • Инверторах и преобразователях напряжения.
  • Электронных системах управления мощностью.
  • Системах энергосбережения.
Выбрано: Показать

Характеристики IPB320N20N3GATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    34A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    32mOhm @ 34A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 90µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    29 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2350 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    136W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TO263-3
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    IPB320

Техническая документация

 IPB320N20N3GATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 12457 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    716 ₽
  • 10
    469 ₽
  • 100
    329 ₽
  • 500
    276 ₽
  • 1000
    229 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    INFINEON
  • Артикул:
    IPB320N20N3GATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 200V 34A D2PAKВсе характеристики

Минимальная цена IPB320N20N3GATMA1 при покупке от 1 шт 716.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPB320N20N3GATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPB320N20N3GATMA1

IPB320N20N3GATMA1 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства Infineon Technologies, принадлежащий к типу N-канального с низким напряжением гатывающего электрода.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VGS(th)) - 200 В
    • Размер тока (ID(on)) - 34 А
    • Формат пакета - D2PAK

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность благодаря использованию современных технологий производства.
  • Малый размер и легкость для интеграции в различные электронные устройства.
  • Устойчивость к перегреву и высокие температурные характеристики.
  • Минимальный включение и отключение времени, что улучшает работу в высокочастотных режимах.

Минусы:

  • Высокое значение тока может привести к увеличению тепловыделения, требующего эффективного охлаждения.
  • Стоимость может быть выше по сравнению с менее мощными MOSFET.

Общее назначение: Используется для управления токами в различных приборах и системах, где требуется высокая проводимость и точное управление током. Может применяться в:

  • Автомобильных системах (например, системах управления двигателем).
  • Инверторах и преобразователях напряжения.
  • Электронных системах управления мощностью.
  • Системах энергосбережения.
Выбрано: Показать

Характеристики IPB320N20N3GATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    34A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    32mOhm @ 34A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 90µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    29 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2350 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    136W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TO263-3
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    IPB320

Техническая документация

 IPB320N20N3GATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BSC080N12LSGATMA1TRENCH >=100V PG-TDSON-8
    709Кешбэк 106 баллов
    IPB65R190CFDATMA1MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK
    714Кешбэк 107 баллов
    IPB320N20N3GATMA1MOSFET N-CH 200V 34A D2PAK
    716Кешбэк 107 баллов
    SPP17N80C3XKSA1Транзистор: MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
    729Кешбэк 109 баллов
    IPAN80R280P7XKSA1MOSFET N-CH 800V 17A TO220
    732Кешбэк 109 баллов
    BSC010N04LSTATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 40V 39A/100A TDSON
    734Кешбэк 110 баллов
    IPB60R145CFD7ATMA1MOSFET N-CH 600V 16A TO263-3-2
    734Кешбэк 110 баллов
    IPB65R190CFD7AATMA1MOSFET N-CH 650V 14A TO263-3
    738Кешбэк 110 баллов
    IPT60R150G7XTMA1MOSFET N-CH 650V 17A 8HSOF
    745Кешбэк 111 баллов
    IPB80N04S2H4ATMA2MOSFET N-CHANNEL_30/40V
    745Кешбэк 111 баллов
    IPB019N08NF2SATMA1TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
    756Кешбэк 113 баллов
    IPB80P04P4L04ATMA2MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
    776Кешбэк 116 баллов
    IPB180P04P403ATMA2MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
    792Кешбэк 118 баллов
    SPB17N80C3ATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
    805Кешбэк 120 баллов
    IST007N04NM6AUMA1MOSFET N-CH 40V 54A/440A HSOF-5
    805Кешбэк 120 баллов
    IPW60R190E6FKSA1MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
    809Кешбэк 121 балл
    IAUA250N04S6N005AUMA1OPTIMOS POWER MOSFET
    818Кешбэк 122 балла
    IPB60R125CFD7ATMA1MOSFET N-CH 650V 18A TO263-3-2
    829Кешбэк 124 балла
    IPW65R155CFD7XKSA1HIGH POWER_NEW
    836Кешбэк 125 баллов
    BSC670N25NSFDATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 250V 24A TDSON-8-1
    836Кешбэк 125 баллов
    BSC13DN30NSFDATMA1MOSFET N-CH 300V 16A TDSON-8-1
    861Кешбэк 129 баллов
    IPP039N10N5AKSA1MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
    863Кешбэк 129 баллов
    IAUA250N04S6N007AUMA1MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
    865Кешбэк 129 баллов
    BSC014N06NSATMA1MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON7
    872Кешбэк 130 баллов
    BSC0402NSATMA1150V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL,
    878Кешбэк 131 балл
    IPW60R160C6FKSA1MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247-3
    878Кешбэк 131 балл
    SPB11N60C3ATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
    883Кешбэк 132 балла
    BSC040N10NS5SCATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 100V 140A WSON-8
    898Кешбэк 134 балла
    IAUA250N04S6N006AUMA1MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
    901Кешбэк 135 баллов
    IRF60SC241ARMA1MOSFET N-CH 60V 360A TO263-7
    905Кешбэк 135 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Симисторы - Модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диодные мосты - Модули
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - ВЧ
    Диоды силовые
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Симисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторные модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Модули драйверов питания
    Модули триодных тиристоров
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы специального назначения
    Диодные мосты
    Тиристоры - SCR
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Сборки биполярных транзисторов
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП