Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IPB320N20N3GATMA1

IPB320N20N3GATMA1

IPB320N20N3GATMA1
;
IPB320N20N3GATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена IPB320N20N3GATMA1 при покупке от 1 шт 691.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPB320N20N3GATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPB320N20N3GATMA1

IPB320N20N3GATMA1 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства Infineon Technologies, принадлежащий к типу N-канального с низким напряжением гатывающего электрода.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VGS(th)) - 200 В
    • Размер тока (ID(on)) - 34 А
    • Формат пакета - D2PAK

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность благодаря использованию современных технологий производства.
  • Малый размер и легкость для интеграции в различные электронные устройства.
  • Устойчивость к перегреву и высокие температурные характеристики.
  • Минимальный включение и отключение времени, что улучшает работу в высокочастотных режимах.

Минусы:

  • Высокое значение тока может привести к увеличению тепловыделения, требующего эффективного охлаждения.
  • Стоимость может быть выше по сравнению с менее мощными MOSFET.

Общее назначение: Используется для управления токами в различных приборах и системах, где требуется высокая проводимость и точное управление током. Может применяться в:

  • Автомобильных системах (например, системах управления двигателем).
  • Инверторах и преобразователях напряжения.
  • Электронных системах управления мощностью.
  • Системах энергосбережения.
Выбрано: Показать

Характеристики IPB320N20N3GATMA1

Техническая документация

IPB320N20N3GATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 5888 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    691 ₽
  • 10
    452 ₽
  • 100
    316 ₽
  • 500
    279 ₽
  • 1000
    233 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена IPB320N20N3GATMA1 при покупке от 1 шт 691.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPB320N20N3GATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPB320N20N3GATMA1

IPB320N20N3GATMA1 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства Infineon Technologies, принадлежащий к типу N-канального с низким напряжением гатывающего электрода.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VGS(th)) - 200 В
    • Размер тока (ID(on)) - 34 А
    • Формат пакета - D2PAK

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность благодаря использованию современных технологий производства.
  • Малый размер и легкость для интеграции в различные электронные устройства.
  • Устойчивость к перегреву и высокие температурные характеристики.
  • Минимальный включение и отключение времени, что улучшает работу в высокочастотных режимах.

Минусы:

  • Высокое значение тока может привести к увеличению тепловыделения, требующего эффективного охлаждения.
  • Стоимость может быть выше по сравнению с менее мощными MOSFET.

Общее назначение: Используется для управления токами в различных приборах и системах, где требуется высокая проводимость и точное управление током. Может применяться в:

  • Автомобильных системах (например, системах управления двигателем).
  • Инверторах и преобразователях напряжения.
  • Электронных системах управления мощностью.
  • Системах энергосбережения.
Выбрано: Показать

Характеристики IPB320N20N3GATMA1

Техническая документация

IPB320N20N3GATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории