Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IPB60R060C7ATMA1
  • В избранное
  • В сравнение
IPB60R060C7ATMA1

IPB60R060C7ATMA1

IPB60R060C7ATMA1
;
IPB60R060C7ATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    INFINEON
  • Артикул:
    IPB60R060C7ATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 650V 35A TO263-3Все характеристики

Минимальная цена IPB60R060C7ATMA1 при покупке от 1 шт 1504.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPB60R060C7ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPB60R060C7ATMA1

IPB60R060C7ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 35A TO263-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)) - 650В
    • Номинальный ток (ID(on)) - 35А
    • Тип - N-канальный
    • Оболочка - TO263-3
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении включенного состояния (VDS(on))
    • Высокая надежность и долговечность
    • Удобство монтажа благодаря оболочке TO263-3
    • Малый тепловыделение и высокая термостойкость
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с менее качественными аналогами
    • Требует соблюдения специальных условий охлаждения для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных системах, требующих высокой проводимости и надежности
    • Применяется в источниках питания, преобразователях энергии, инверторах и других устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Преобразователи энергии
    • Инверторы
    • Драйверы двигателей
    • Автомобильная электроника
Выбрано: Показать

Характеристики IPB60R060C7ATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    35A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    60mOhm @ 15.9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 800µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    68 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2850 pF @ 400 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    162W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D2PAK (TO-263)
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    IPB60R060

Техническая документация

 IPB60R060C7ATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 737 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 504 ₽
  • 10
    1 060 ₽
  • 100
    885 ₽
  • 500
    724 ₽
  • 1000
    644 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    INFINEON
  • Артикул:
    IPB60R060C7ATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 650V 35A TO263-3Все характеристики

Минимальная цена IPB60R060C7ATMA1 при покупке от 1 шт 1504.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPB60R060C7ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPB60R060C7ATMA1

IPB60R060C7ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 35A TO263-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)) - 650В
    • Номинальный ток (ID(on)) - 35А
    • Тип - N-канальный
    • Оболочка - TO263-3
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении включенного состояния (VDS(on))
    • Высокая надежность и долговечность
    • Удобство монтажа благодаря оболочке TO263-3
    • Малый тепловыделение и высокая термостойкость
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с менее качественными аналогами
    • Требует соблюдения специальных условий охлаждения для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных системах, требующих высокой проводимости и надежности
    • Применяется в источниках питания, преобразователях энергии, инверторах и других устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Преобразователи энергии
    • Инверторы
    • Драйверы двигателей
    • Автомобильная электроника
Выбрано: Показать

Характеристики IPB60R060C7ATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    35A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    60mOhm @ 15.9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 800µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    68 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2850 pF @ 400 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    162W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D2PAK (TO-263)
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    IPB60R060

Техническая документация

 IPB60R060C7ATMA1.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    AUIRFS3306TRLMOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
    936Кешбэк 140 баллов
    IRF7739L1TRPBFMOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET
    941Кешбэк 141 балл
    IPB120N08S404ATMA1MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
    953Кешбэк 142 балла
    IPP100N06S2L05AKSA2MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
    957Кешбэк 143 балла
    IPZ65R095C7XKSA1MOSFET N-CH 650V 24A TO247-4
    974Кешбэк 146 баллов
    IPP120N20NFDAKSA1MOSFET N-CH 200V 84A TO220-3
    990Кешбэк 148 баллов
    IPB011N04NGATMA1MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
    990Кешбэк 148 баллов
    IPB180N08S402ATMA1MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
    1 006Кешбэк 150 баллов
    IPL65R099C7AUMA1MOSFET N-CH 650V 21A 4VSON
    1 011Кешбэк 151 балл
    IPP60R125CPXKSA1MOSFET N-CH 650V 25A TO220-3
    1 011Кешбэк 151 балл
    IPB180N10S403ATMA1MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
    1 011Кешбэк 151 балл
    IRFS7734TRL7PPMOSFET N-CH 75V 197A D2PAK
    1 044Кешбэк 156 баллов
    IPA60R165CPXKSA1MOSFET N-CH 600V 21A TO220-FP
    1 055Кешбэк 158 баллов
    AUIRFS4310ZTRLТранзистор: AUIRFS4310Z - 75V-100V N-CHANNEL
    1 086Кешбэк 162 балла
    IPP60R099P6XKSA1MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-3
    1 093Кешбэк 163 балла
    IRFP4468PBFMOSFET N-CH 100V 195A TO247AC
    1 125Кешбэк 168 баллов
    IPB80N08S207ATMA1MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
    1 142Кешбэк 171 балл
    IPB64N25S320ATMA1MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
    1 151Кешбэк 172 балла
    AUIRF1404MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB
    1 223Кешбэк 183 балла
    AUIRF2804STRLMOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
    1 226Кешбэк 183 балла
    AUIRFS8409-7TRLMOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
    1 275Кешбэк 191 балл
    IPLU300N04S4R8XTMA1
    1 294Кешбэк 194 балла
    BTS244ZE3062AATMA2MOSFET N-CH 55V 35A TO263-5
    1 308Кешбэк 196 баллов
    BTS244ZE3043AKSA2MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5-12
    1 310Кешбэк 196 баллов
    IPP028N08N3GXKSA1MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
    1 317Кешбэк 197 баллов
    AUIRF7759L2TRMOSFET N-CH 75V 375A DIRECTFET
    1 340Кешбэк 201 балл
    IRF135SA204MOSFET N-CH 135V 160A D2PAK-7
    1 359Кешбэк 203 балла
    AUIRF4905SТранзистор: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
    1 378Кешбэк 206 баллов
    IPB60R060C7ATMA1MOSFET N-CH 650V 35A TO263-3
    1 504Кешбэк 225 баллов
    AUIRF4905STRLТранзистор: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
    1 560Кешбэк 234 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Диодные мосты - Модули
    Диодные мосты
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    IGBT транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Модули триодных тиристоров
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - JFET
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Модули драйверов питания
    Транзисторы специального назначения
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды силовые
    Сборки биполярных транзисторов
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды выпрямительные - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторные модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП