Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IPB65R190CFDAATMA1
  • В избранное
  • В сравнение
IPB65R190CFDAATMA1

IPB65R190CFDAATMA1

IPB65R190CFDAATMA1
;
IPB65R190CFDAATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPB65R190CFDAATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAKВсе характеристики

Минимальная цена IPB65R190CFDAATMA1 при покупке от 1 шт 751.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPB65R190CFDAATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPB65R190CFDAATMA1

IPB65R190CFDAATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 650В
    • Рейтингный ток (ID): 17.5А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: D2PAK
    • Защита от перегрева: IPB (Integrated Power Braking)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря защите от перегрева IPB
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Малый динамический сопротивление при переходе
    • Компактный размер пакета D2PAK
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с обычными MOSFET
    • Необходимость наличия дополнительной системы охлаждения для достижения максимальных характеристик
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в системах управления электропитанием
    • Интеграция в конвертеры напряжения
    • Применение в инверторах для электромобилей
  • В каких устройствах применяется:
    • Смартфоны и ноутбуки
    • Автомобильные системы питания
    • Промышленное оборудование
    • Электропоезда и электромобили
Выбрано: Показать

Характеристики IPB65R190CFDAATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    17.5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    190mOhm @ 7.3A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 700µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    68 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1850 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    151W (Tc)
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TO263-3
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    IPB65R190

Техническая документация

 IPB65R190CFDAATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 25 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    751 ₽
  • 10
    529 ₽
  • 100
    374 ₽
  • 500
    343 ₽
  • 1000
    278 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPB65R190CFDAATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAKВсе характеристики

Минимальная цена IPB65R190CFDAATMA1 при покупке от 1 шт 751.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPB65R190CFDAATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPB65R190CFDAATMA1

IPB65R190CFDAATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 650В
    • Рейтингный ток (ID): 17.5А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: D2PAK
    • Защита от перегрева: IPB (Integrated Power Braking)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря защите от перегрева IPB
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Малый динамический сопротивление при переходе
    • Компактный размер пакета D2PAK
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с обычными MOSFET
    • Необходимость наличия дополнительной системы охлаждения для достижения максимальных характеристик
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в системах управления электропитанием
    • Интеграция в конвертеры напряжения
    • Применение в инверторах для электромобилей
  • В каких устройствах применяется:
    • Смартфоны и ноутбуки
    • Автомобильные системы питания
    • Промышленное оборудование
    • Электропоезда и электромобили
Выбрано: Показать

Характеристики IPB65R190CFDAATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    17.5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    190mOhm @ 7.3A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 700µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    68 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1850 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    151W (Tc)
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TO263-3
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    IPB65R190

Техническая документация

 IPB65R190CFDAATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IPP65R125C7XKSA1MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3
    700Кешбэк 105 баллов
    IRFB52N15DPBFТранзистор: MOSFET N-CH 150V 51A TO220AB
    387Кешбэк 58 баллов
    IPA60R125CPXKSA1MOSFET N-CH 650V 25A TO220-FP
    1 267Кешбэк 190 баллов
    IRF2807ZPBFТранзистор: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
    449Кешбэк 67 баллов
    SPP11N60C3XKSA1MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
    492Кешбэк 73 балла
    IRFB4610PBFMOSFET N-CH 100V 73A TO220AB
    457Кешбэк 68 баллов
    BSP135H6327XTSA1Транзистор: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
    282Кешбэк 42 балла
    IRLH6224TRPBFMOSFET N-CH 20V 28A/105A 8PQFN
    308Кешбэк 46 баллов
    IPP039N04LGXKSA1MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
    234Кешбэк 35 баллов
    IPP052N06L3GXKSA1MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
    389Кешбэк 58 баллов
    IRL3705NSTRLPBFMOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
    556Кешбэк 83 балла
    IPW60R125P6XKSA1MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
    519Кешбэк 77 баллов
    BTS282ZE3230AKSA2MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
    1 451Кешбэк 217 баллов
    IRFR7440TRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
    297Кешбэк 44 балла
    IRF9310TRPBFТранзистор: MOSFET P-CH 30V 20A 8SO
    305Кешбэк 45 баллов
    IRFH7110TRPBFMOSFET N-CH 100V 11A/58A 8PQFN
    145Кешбэк 21 балл
    IPW60R099CPAFKSA1MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3
    1 459Кешбэк 218 баллов
    IPW60R060C7XKSA1MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3
    1 195Кешбэк 179 баллов
    IRFSL7437PBFMOSFET N-CH 40V 195A TO262
    438Кешбэк 65 баллов
    IPA65R225C7XKSA1MOSFET N-CH 650V 7A TO220-FP
    558Кешбэк 83 балла
    SPW32N50C3FKSA1MOSFET N-CH 560V 32A TO247-3
    1 536Кешбэк 230 баллов
    IRFS3307ZTRLPBFТранзистор: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
    785Кешбэк 117 баллов
    IPP030N10N3GXKSA1MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
    873Кешбэк 130 баллов
    IPP60R160P6XKSA1Транзистор: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-3
    295Кешбэк 44 балла
    IPP024N06N3GXKSA1MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
    1 083Кешбэк 162 балла
    IPZ60R099C7XKSA1MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4
    1 085Кешбэк 162 балла
    IPB65R190CFDAATMA1MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK
    751Кешбэк 112 баллов
    IRFB4310ZPBFMOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
    582Кешбэк 87 баллов
    IRFZ44VZPBFMOSFET N-CH 60V 57A TO220AB
    484Кешбэк 72 балла
    SPP11N80C3XKSA1MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
    582Кешбэк 87 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды силовые
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диодные мосты
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Принадлежности
    Симисторы
    Драйверы питания - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП