Каталог товаров
Доставка
Оплата
Кешбэк
Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров

Как заказать

О компании

8 800 550-00-22

Доставка Оплата Кешбэк Контакты

Загрузить BOM

Избранное Сравнение Корзина

Вход/Регистрация

Избранное

Войти

Каталог товаров

Дискретные полупроводники

Полевые транзисторы - Одиночные

IPB80N06S209ATMA2

IPB80N06S209ATMA2

IPB80N06S209ATMA2

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IPB80N06S209ATMA2
Описание:
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Все характеристики

Минимальная цена IPB80N06S209ATMA2 при покупке от 1 шт 460.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPB80N06S209ATMA2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики IPB80N06S209ATMA2

Package
Tape & Reel (TR)
Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.8mOhm @ 50A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 125µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2360 pF @ 25 V
Рассеивание мощности (Макс)
190W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
PG-TO263-3-2
Корпус
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number
IPB80N

Техническая документация

IPB80N06S209ATMA2.pdf

pdf. 0 kb

В избранное
В сравнение

434 шт
3-6 недель

Количество
Цена
1
460 ₽
10
341 ₽
100
247 ₽
500
228 ₽
1000
195 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IPB80N06S209ATMA2
Описание:
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3Все характеристики

Минимальная цена IPB80N06S209ATMA2 при покупке от 1 шт 460.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPB80N06S209ATMA2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики IPB80N06S209ATMA2

Package
Tape & Reel (TR)
Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.8mOhm @ 50A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 125µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2360 pF @ 25 V
Рассеивание мощности (Макс)
190W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
PG-TO263-3-2
Корпус
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number
IPB80N

Техническая документация

IPB80N06S209ATMA2.pdf

pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары

Похожие товары

RU1C001UNTCL MOSFET N-CH 20V 100MA UMT3F

55Кешбэк 8 баллов

FDPF680N10T MOSFET N-CH 100V 12A TO220F

127Кешбэк 19 баллов

SIR166DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

312Кешбэк 46 баллов

SI1416EDH-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363

61Кешбэк 9 баллов

IRFR420TRPBF MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK

161Кешбэк 24 балла

STH180N10F3-2 MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2

1 077Кешбэк 161 балл

APT42F50B MOSFET N-CH 500V 42A TO247

1 707Кешбэк 256 баллов

STD3NK80ZT4 MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK

371Кешбэк 55 баллов

IRFI720GPBF MOSFET N-CH 400V 2.6A TO220-3

534Кешбэк 80 баллов

RJK0456DPB-00#J5

222Кешбэк 33 балла

2N7002E MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3

18.5Кешбэк 2 балла

CSD18537NQ5AT MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON

185Кешбэк 27 баллов

FDMS7694 MOSFET N-CH 30V 13.2A/20A 8PQFN

85Кешбэк 12 баллов

BUK7Y20-30B,115 MOSFET N-CH 30V 39.5A LFPAK56

129Кешбэк 19 баллов

BSS87H6327FTSA1 MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89-4

79Кешбэк 11 баллов

AO4425 MOSFET P-CH 38V 14A 8SOIC

126Кешбэк 18 баллов

STD46P4LLF6 MOSFET P-CH 40V 46A DPAK

174Кешбэк 26 баллов

FQB17N08TM MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK

50Кешбэк 7 баллов

FQB19N20TM MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK

539Кешбэк 80 баллов

NTMFS5C612NLT3G MOSFET N-CH 60V 36A/235A 5DFN

589Кешбэк 88 баллов

TK22A10N1,S4X MOSFET N-CH 100V 22A TO220SIS

410Кешбэк 61 балл

SI4156DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 24A 8SO

224Кешбэк 33 балла

MMBF170-7-F MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3

46Кешбэк 6 баллов

IRFIZ48GPBF MOSFET N-CH 60V 37A TO220-3

316Кешбэк 47 баллов

FQB5N60CTM 4.5A, 600V, 2OHM, N CHANNEL , D2

135Кешбэк 20 баллов

STD25NF10T4 MOSFET N-CH 100V 25A DPAK

311Кешбэк 46 баллов

SIR846ADP-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

484Кешбэк 72 балла

DMN62D0U-7 MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23

19.5Кешбэк 2 балла

PMV130ENEAR MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB

78Кешбэк 11 баллов

STW21N150K5 MOSFET N-CH 1500V 14A TO247

2 498Кешбэк 374 балла

Похожие категории

Все товары

Похожие категории

Варикапы и Варакторы

Триодные тиристоры - Одиночные

Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные

Симисторы - Модули

Диоды выпрямительные - Одиночные

Триодные тиристоры - Модули

Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением

Полевые транзисторы - Модули

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами

Модули драйверов питания

Тиристоры - SCR

Биполярные транзисторы - Сборки

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули

Транзисторы - IGBT - одиночные

Высокочастотные диоды

Транзисторы - Специального назначения

Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)

Динисторы (DIAC, SIDAC)

Полевые транзисторы - Одиночные

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

Диодные мосты - Модули

Диоды силовые

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные

Транзисторы - Модули

Высокочастотные полевые транзисторы

Транзисторы - программируемые однопереходные

Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки

Высокочастотные биполярные транзисторы

IGBT транзисторы

Диоды - выпрямители - массивы

Диоды выпрямительные - Сборки

Транзисторы - IGBT - модули

Биполярные транзисторы

Регулирование тока - диоды, транзисторы

Тиристоры - TRIACs

Диоды выпрямительные - Модули

Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ

Диоды - мостовые выпрямители

Транзисторы - JFET

Симисторы

Диодные мосты

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные

Принадлежности

Диоды - ВЧ

Полевые транзисторы - Сборки

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки

Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы

Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением

Программируемые однопереходные транзисторы

Диоды - выпрямители - одиночные

Биполярные транзисторы - Одиночные

Драйверы питания - Модули

Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)

Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET

Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ

Тиристоры - SCR - модули

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором

Оставьте оценку на Яндексе

Каталог товаров
Доставка
Оплата
Производители
Акции

Как купить
Кешбэк
Как сделать заказ
Загрузка BOM-листа
Возврат и обмен
Состояние заказа

О компании
Отзывы
Новости
Статьи
Вакансии
Правовая информация
Контакты

8 800 550-00-22

Пн-Пт 9:30 - 17:30

Оставьте оценку на Яндексе

Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.

© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали