IPD053N08N3GATMA1

IPD053N08N3GATMA1

IPD053N08N3GATMA1

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IPD053N08N3GATMA1
Описание:
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3Все характеристики

Минимальная цена IPD053N08N3GATMA1 при покупке от 1 шт 288.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPD053N08N3GATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPD053N08N3GATMA1

IPD053N08N3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3

Основные параметры:

Напряжение риски (V_DS(on)): 80В
Рейтингный ток проводимости (I_D(on)): 90А
Тип: N-канальный MOSFET
Комплектация: TO252-3

Плюсы:

Высокая проводимость при низком сопротивлении
Малый тепловыделение
Снижение энергопотерь
Устойчивость к скачкам напряжения
Простота управления

Минусы:

Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от перенапряжений

Общее назначение:

Использование в высоковольтных и высокотоковых цепях
Регулирование напряжения в блоках питания
Драйверы для электрических двигателей
Автомобильная электроника

В каких устройствах применяется:

Блоки питания
Электромобили
Промышленное оборудование
Автомобильные системы управления двигателем
Инверторы

Техническая документация