Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IPD50N10S3L16ATMA1
  • В избранное
  • В сравнение
IPD50N10S3L16ATMA1

IPD50N10S3L16ATMA1

IPD50N10S3L16ATMA1
;
IPD50N10S3L16ATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPD50N10S3L16ATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3Все характеристики

Минимальная цена IPD50N10S3L16ATMA1 при покупке от 1 шт 530.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPD50N10S3L16ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPD50N10S3L16ATMA1

IPD50N10S3L16ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100В 50А TO252-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 100В
    • Номинальная токовая способность (ID(on)): 50А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO252-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Малый ток утечки
    • Высокая скорость включения/выключения
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Необходимо соблюдение правил охлаждения для обеспечения длительной работы
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных цепях с высокими требованиями к надежности и скорости работы
    • Применяются в преобразователях питания
    • Используются в системах управления двигателей
    • Выполняют функции регулирования напряжения и тока
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Преобразователи напряжения для бытовой техники
    • Системы управления электродвигателями
    • Инверторы для солнечных батарей
    • Цифровые блоки питания
Выбрано: Показать

Характеристики IPD50N10S3L16ATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    50A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    15mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.4V @ 60µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    64 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4180 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    100W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TO252-3-11
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    IPD50N10

Техническая документация

 IPD50N10S3L16ATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 2546 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    530 ₽
  • 10
    342 ₽
  • 100
    236 ₽
  • 500
    193 ₽
  • 2500
    157 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPD50N10S3L16ATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3Все характеристики

Минимальная цена IPD50N10S3L16ATMA1 при покупке от 1 шт 530.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPD50N10S3L16ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPD50N10S3L16ATMA1

IPD50N10S3L16ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100В 50А TO252-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 100В
    • Номинальная токовая способность (ID(on)): 50А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO252-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Малый ток утечки
    • Высокая скорость включения/выключения
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Необходимо соблюдение правил охлаждения для обеспечения длительной работы
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных цепях с высокими требованиями к надежности и скорости работы
    • Применяются в преобразователях питания
    • Используются в системах управления двигателей
    • Выполняют функции регулирования напряжения и тока
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Преобразователи напряжения для бытовой техники
    • Системы управления электродвигателями
    • Инверторы для солнечных батарей
    • Цифровые блоки питания
Выбрано: Показать

Характеристики IPD50N10S3L16ATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    50A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    15mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.4V @ 60µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    64 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4180 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    100W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TO252-3-11
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    IPD50N10

Техническая документация

 IPD50N10S3L16ATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BSC040N08NS5ATMA1MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
    520Кешбэк 78 баллов
    IRFP250NPBFТранзистор: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
    520Кешбэк 78 баллов
    IRF3805PBFMOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
    520Кешбэк 78 баллов
    IRF5210PBFТранзистор: MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB
    522Кешбэк 78 баллов
    IRL1404ZPBFMOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
    522Кешбэк 78 баллов
    IPW60R125P6XKSA1MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
    522Кешбэк 78 баллов
    IRF6643TRPBFMOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
    526Кешбэк 78 баллов
    IPD65R190C7ATMA1MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3
    528Кешбэк 79 баллов
    IRF1010ZPBFMOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
    528Кешбэк 79 баллов
    IRFB4310PBFMOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
    528Кешбэк 79 баллов
    BSZ300N15NS5ATMA1
    530Кешбэк 79 баллов
    IPD50N10S3L16ATMA1MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3
    530Кешбэк 79 баллов
    IRF3415STRLPBFMOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
    530Кешбэк 79 баллов
    IRFSL5615PBF
    532Кешбэк 79 баллов
    IPD60R180C7ATMA1MOSFET N-CH 600V 13A TO252-3
    534Кешбэк 80 баллов
    IRFI3205PBFMOSFET N-CH 55V 64A TO220AB FP
    534Кешбэк 80 баллов
    IRFS4410ZTRLPBFMOSFET N-CH 100V 97A D2PAK
    536Кешбэк 80 баллов
    IPD90N10S4L06ATMA1MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
    536Кешбэк 80 баллов
    IRF1010ZSTRLPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
    536Кешбэк 80 баллов
    IPD65R225C7ATMA1MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3
    538Кешбэк 80 баллов
    IRFB3306GPBFMOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
    539Кешбэк 80 баллов
    IPP60R280P6XKSA1MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-3
    541Кешбэк 81 балл
    IPD90N04S304ATMA1MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
    547Кешбэк 82 балла
    AUIRFR8403TRLMOSFET N-CH 40V 100A DPAK
    547Кешбэк 82 балла
    IRFS4310ZTRLPBFMOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
    549Кешбэк 82 балла
    IRFB4228PBFMOSFET N-CH 150V 83A TO220AB
    549Кешбэк 82 балла
    IRFP054NPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 81A TO247AC
    549Кешбэк 82 балла
    IRF6727MTRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
    551Кешбэк 82 балла
    IPB80N06S2L11ATMA2MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
    551Кешбэк 82 балла
    IRL3705ZSTRLPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
    551Кешбэк 82 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды силовые
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Сборки биполярных транзисторов
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Модули драйверов питания
    Транзисторные модули
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные диоды
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    IGBT транзисторы
    Симисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы специального назначения
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Одиночные IGBT транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные полевые транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - JFET
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП