Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IPD60N10S4L12ATMA1
  • В избранное
  • В сравнение
IPD60N10S4L12ATMA1

IPD60N10S4L12ATMA1

IPD60N10S4L12ATMA1
;
IPD60N10S4L12ATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPD60N10S4L12ATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3Все характеристики

Минимальная цена IPD60N10S4L12ATMA1 при покупке от 1 шт 205.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPD60N10S4L12ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPD60N10S4L12ATMA1

IPD60N10S4L12ATMA1 — это MOSFET (Массивный проводник сопротивления) от компании Infineon Technologies. Это ненасыщенный N-канальный MOSFET с напряжением верхней мембраны 100В и током тока 60А.

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Напряжение верхней мембраны: 100В
    • Ток тока: 60А
    • Коллектор-эмиттерное сопротивление при Vgs=10V: 12mΩ
    • Пакет: TO252-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Низкое коллектор-эмиттерное сопротивление
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер и легкий вес
    • Эффективная работа при высоких температурах
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при работе в условиях высокой мощности
    • Необходимо соблюдать правила подключения для предотвращения повреждений
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных системах для управления током
    • Применение в преобразователях питания
    • Работа в источниках питания для компьютеров и серверов
    • Использование в инверторах и других устройствах, требующих управляемого тока
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Преобразователи питания
    • Инверторы
    • Автомобильные системы
    • Системы управления двигателем
    • Инверторы для солнечных батарей
Выбрано: Показать

Характеристики IPD60N10S4L12ATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    60A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    12mOhm @ 60A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.1V @ 46µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    49 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3170 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    94W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TO252-3-313
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    IPD60N10

Техническая документация

 IPD60N10S4L12ATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 611 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    205 ₽
  • 10
    142 ₽
  • 500
    126 ₽
  • 2500
    103 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPD60N10S4L12ATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3Все характеристики

Минимальная цена IPD60N10S4L12ATMA1 при покупке от 1 шт 205.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPD60N10S4L12ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPD60N10S4L12ATMA1

IPD60N10S4L12ATMA1 — это MOSFET (Массивный проводник сопротивления) от компании Infineon Technologies. Это ненасыщенный N-канальный MOSFET с напряжением верхней мембраны 100В и током тока 60А.

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Напряжение верхней мембраны: 100В
    • Ток тока: 60А
    • Коллектор-эмиттерное сопротивление при Vgs=10V: 12mΩ
    • Пакет: TO252-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Низкое коллектор-эмиттерное сопротивление
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер и легкий вес
    • Эффективная работа при высоких температурах
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при работе в условиях высокой мощности
    • Необходимо соблюдать правила подключения для предотвращения повреждений
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных системах для управления током
    • Применение в преобразователях питания
    • Работа в источниках питания для компьютеров и серверов
    • Использование в инверторах и других устройствах, требующих управляемого тока
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Преобразователи питания
    • Инверторы
    • Автомобильные системы
    • Системы управления двигателем
    • Инверторы для солнечных батарей
Выбрано: Показать

Характеристики IPD60N10S4L12ATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    60A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    12mOhm @ 60A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.1V @ 46µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    49 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3170 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    94W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TO252-3-313
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    IPD60N10

Техническая документация

 IPD60N10S4L12ATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RAL035P01TCRMOSFET P-CH 12V 3.5A TUMT6
    150Кешбэк 22 балла
    RQ5H020SPTLMOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
    151Кешбэк 22 балла
    RQ6E055BNTCRMOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT6
    152Кешбэк 22 балла
    QS5U12TRMOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
    154Кешбэк 23 балла
    RQ3E180AJTBMOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT
    155Кешбэк 23 балла
    QS5U34TRТранзистор: MOSFET N-CH 20V 1.5A TSMT5
    156Кешбэк 23 балла
    RS1E170GNTBMOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP
    156Кешбэк 23 балла
    RVQ040N05TRMOSFET N-CH 45V 4A TSMT6
    156Кешбэк 23 балла
    RZF020P01TLMOSFET P-CH 12V 2A TUMT3
    158Кешбэк 23 балла
    RS1E200BNTBMOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
    158Кешбэк 23 балла
    RSF014N03TLMOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT3
    160Кешбэк 24 балла
    QS5U17TRMOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
    160Кешбэк 24 балла
    RS1G120MNTBMOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP
    161Кешбэк 24 балла
    RZR025P01TLMOSFET P-CH 12V 2.5A TSMT3
    163Кешбэк 24 балла
    RUF025N02TLMOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3
    167Кешбэк 25 баллов
    QS5U36TRMOSFET N-CH 20V 2.5A TSMT5
    167Кешбэк 25 баллов
    RQ1C065UNTRMOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
    167Кешбэк 25 баллов
    RTL035N03TRMOSFET N-CH 30V 3.5A TUMT6
    169Кешбэк 25 баллов
    RSR015P03TLMOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3
    169Кешбэк 25 баллов
    RUL035N02TRMOSFET N-CH 20V 3.5A TUMT6
    169Кешбэк 25 баллов
    RZF030P01TLMOSFET P-CH 12V 3A TUMT3
    171Кешбэк 25 баллов
    RUR040N02TLMOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
    171Кешбэк 25 баллов
    RTR030P02TLMOSFET P-CH 20V 3A TSMT3
    175Кешбэк 26 баллов
    RQ3E150BNTBMOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT
    175Кешбэк 26 баллов
    RSL020P03TRMOSFET P-CH 30V 2A TUMT6
    177Кешбэк 26 баллов
    RS1E150GNTBMOSFET N-CH 30V 15A 8HSOP
    179Кешбэк 26 баллов
    RS1G150MNTBТранзистор: MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP
    180Кешбэк 27 баллов
    RHP020N06T100MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
    182Кешбэк 27 баллов
    QS5U16TRMOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
    186Кешбэк 27 баллов
    RSR025N03TLMOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
    188Кешбэк 28 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Сборки биполярных транзисторов
    Высокочастотные диоды
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диодные мосты
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Модули триодных тиристоров
    IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды силовые
    Симисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторные модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    Диоды - мостовые выпрямители
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы специального назначения
    Одиночные биполярные транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП