Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IPD60R1K4C6ATMA1

IPD60R1K4C6ATMA1

IPD60R1K4C6ATMA1
;
IPD60R1K4C6ATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена IPD60R1K4C6ATMA1 при покупке от 1 шт 205.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPD60R1K4C6ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPD60R1K4C6ATMA1

Основные параметры:

  • Напряжение сток-исток (Vds): 600V
  • Максимальный ток стока (Id): 3.2A
  • Тип канала: N-канал
  • Корпус: TO252-3
  • Технология: MOSFET

Плюсы:

  • Высокое напряжение пробоя (600V) – подходит для применения в высоковольтных схемах.
  • Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)) – для уменьшения потерь мощности. (Точное значение Rds(on) требует уточнения по даташиту)
  • Высокая эффективность переключения – для быстродействующих приложений.
  • Компактный корпус TO252-3 – позволяет экономить место на плате.

Минусы:

  • Ограниченный ток (3.2A) – может быть недостаточно для мощных приложений.
  • Требуется драйвер затвора – для эффективного управления.

Общее назначение:

MOSFET IPD60R1K4C6ATMA1 предназначен для использования в силовых схемах преобразователей напряжения, импульсных источниках питания, инверторах и других приложениях, где требуется высокое напряжение и относительно небольшой ток.

Применение:

  • Импульсные блоки питания (SMPS)
  • Инверторы
  • Схемы управления двигателями
  • Преобразователи DC-DC
  • Зарядные устройства
  • Силовая электроника
Выбрано: Показать

Характеристики IPD60R1K4C6ATMA1

Техническая документация

IPD60R1K4C6ATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 240 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    205 ₽
  • 10
    123 ₽
  • 500
    79 ₽
  • 2500
    55 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена IPD60R1K4C6ATMA1 при покупке от 1 шт 205.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPD60R1K4C6ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPD60R1K4C6ATMA1

Основные параметры:

  • Напряжение сток-исток (Vds): 600V
  • Максимальный ток стока (Id): 3.2A
  • Тип канала: N-канал
  • Корпус: TO252-3
  • Технология: MOSFET

Плюсы:

  • Высокое напряжение пробоя (600V) – подходит для применения в высоковольтных схемах.
  • Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)) – для уменьшения потерь мощности. (Точное значение Rds(on) требует уточнения по даташиту)
  • Высокая эффективность переключения – для быстродействующих приложений.
  • Компактный корпус TO252-3 – позволяет экономить место на плате.

Минусы:

  • Ограниченный ток (3.2A) – может быть недостаточно для мощных приложений.
  • Требуется драйвер затвора – для эффективного управления.

Общее назначение:

MOSFET IPD60R1K4C6ATMA1 предназначен для использования в силовых схемах преобразователей напряжения, импульсных источниках питания, инверторах и других приложениях, где требуется высокое напряжение и относительно небольшой ток.

Применение:

  • Импульсные блоки питания (SMPS)
  • Инверторы
  • Схемы управления двигателями
  • Преобразователи DC-DC
  • Зарядные устройства
  • Силовая электроника
Выбрано: Показать

Характеристики IPD60R1K4C6ATMA1

Техническая документация

IPD60R1K4C6ATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории