Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
IPD60R600E6ATMA1
IPD60R600E6ATMA1

IPD60R600E6ATMA1

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPD60R600E6ATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252Все характеристики

Минимальная цена IPD60R600E6ATMA1 при покупке от 1 шт 351.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPD60R600E6ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IPD60R600E6ATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    7.3A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    600mOhm @ 2.4A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.5V @ 200µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20.5 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    440 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    63W (Tc)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TO252-3
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    IPD60R600
Техническая документация
 IPD60R600E6ATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 94 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    351 ₽
  • 10
    224 ₽
  • 100
    148 ₽
  • 1000
    106 ₽
  • 5000
    85 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPD60R600E6ATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252Все характеристики

Минимальная цена IPD60R600E6ATMA1 при покупке от 1 шт 351.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPD60R600E6ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IPD60R600E6ATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    7.3A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    600mOhm @ 2.4A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.5V @ 200µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20.5 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    440 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    63W (Tc)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TO252-3
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    IPD60R600
Техническая документация
 IPD60R600E6ATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SQJQ404E-T1_GE3MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
    708Кешбэк 106 баллов
    DMN3071LFR4-7MOSFET N-CH 30V 3.4A 3DFN
    75Кешбэк 11 баллов
    BSC670N25NSFDATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 250V 24A TDSON-8-1
    744Кешбэк 111 баллов
    BSC031N06NS3GATMA1MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8-1
    628Кешбэк 94 балла
    PJD16P06A-AU_L2_000A160V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    204Кешбэк 30 баллов
    SIHP5N80AE-GE3E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,
    385Кешбэк 57 баллов
    PJL9411_R2_0000130V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    121Кешбэк 18 баллов
    IRFP245N-CHANNEL POWER MOSFET
    273Кешбэк 40 баллов
    RTR020P02HZGTLMOSFET P-CH 20V 2A TSMT3
    196Кешбэк 29 баллов
    R6011END3TL1MOSFET N-CH 600V 11A TO252
    558Кешбэк 83 балла
    RJK0351DPA-WS#J0N-CHANNEL POWER MOSFET
    252Кешбэк 37 баллов
    MTB55N06ZN-CHANNEL POWER MOSFET
    105Кешбэк 15 баллов
    IPD50R280CEAUMA1MOSFET N-CH 550V 13A TO252
    347Кешбэк 52 балла
    UF3C065040K3SMOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
    3 336Кешбэк 500 баллов
    IPP60R180P7XKSA1MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3
    656Кешбэк 98 баллов
    PJA3460_R1_00001SOT-23, MOSFET
    63Кешбэк 9 баллов
    NTPF125N65S3HPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    934Кешбэк 140 баллов
    NVDS015N15MCT4GPTNG 150V 15MOHM DPAK AUTOMOTIVE
    510Кешбэк 76 баллов
    IPB065N15N3GATMA1MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
    831Кешбэк 124 балла
    SI4090BDY-T1-GE3N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SO-
    332Кешбэк 49 баллов
    DMPH4015SK3Q-13MOSFET P-CH 40V 14A/45A TO252
    235Кешбэк 35 баллов
    DMG1012T-13MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523 T&R
    50Кешбэк 7 баллов
    NVD5C478NT4GMOSFET N-CH 40V 14A/43A DPAK
    440Кешбэк 66 баллов
    IPC70N04S5L4R2ATMA1MOSFET N-CH 40V 70A 8TDSON-34
    177Кешбэк 26 баллов
    NVMFS5C628NLAFT1GMOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN
    620Кешбэк 93 балла
    TK15S04N1L,LXHQMOSFET N-CH 40V 15A DPAK
    176Кешбэк 26 баллов
    SIDR610DP-T1-RE3N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET
    603Кешбэк 90 баллов
    FQB85N06TMN-CHANNEL POWER MOSFET
    250Кешбэк 37 баллов
    TSM035NB04CZMOSFET N-CH 40V 18A/157A TO220
    504Кешбэк 75 баллов
    SFW9510TMP-CHANNEL POWER MOSFET
    103Кешбэк 15 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Модули драйверов питания
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Симисторы
    Диодные мосты - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды силовые
    Симисторы - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП