Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IPD60R600P6ATMA1

IPD60R600P6ATMA1

IPD60R600P6ATMA1
;
IPD60R600P6ATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена IPD60R600P6ATMA1 при покупке от 1 шт 267.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPD60R600P6ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPD60R600P6ATMA1

IPD60R600P6ATMA1 — это MOSFET (MOSFET N-канальный) производства Infineon Technologies с характеристиками:

  • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера (VCEO): 600 В
  • Номинальная токовая способность (ID(on)): 7,3 А
  • Тип корпуса: TO252-3

Основные преимущества:

  • Высокая надежность: Infineon Technologies известна своим качеством продукции.
  • Эффективность: Низкий коэффициент включения обеспечивает высокую эффективность работы.
  • Малый размер: Корпус TO252-3 позволяет разместить MOSFET в компактных устройствах.

Основные недостатки:

  • Высокие цены: Производство на заводах Infineon Technologies может быть более дорогим.
  • Тепловые ограничения: Несмотря на низкое значение RDS(on), тепловые характеристики могут быть ограничены.

Общее назначение:

  • Использование в источниках питания.
  • В трансформаторах для управления напряжением.
  • В системах управления двигателей.
  • Для работы в высокочастотных приложениях.

Применяется в:

  • Автомобильных системах.
  • Приборах для бытовой электроники.
  • Промышленных системах управления.
  • Устройствах для зарядки аккумуляторов.
Выбрано: Показать

Характеристики IPD60R600P6ATMA1

Техническая документация

IPD60R600P6ATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 4776 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    267 ₽
  • 10
    185 ₽
  • 100
    136 ₽
  • 1000
    95 ₽
  • 5000
    80 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена IPD60R600P6ATMA1 при покупке от 1 шт 267.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPD60R600P6ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPD60R600P6ATMA1

IPD60R600P6ATMA1 — это MOSFET (MOSFET N-канальный) производства Infineon Technologies с характеристиками:

  • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера (VCEO): 600 В
  • Номинальная токовая способность (ID(on)): 7,3 А
  • Тип корпуса: TO252-3

Основные преимущества:

  • Высокая надежность: Infineon Technologies известна своим качеством продукции.
  • Эффективность: Низкий коэффициент включения обеспечивает высокую эффективность работы.
  • Малый размер: Корпус TO252-3 позволяет разместить MOSFET в компактных устройствах.

Основные недостатки:

  • Высокие цены: Производство на заводах Infineon Technologies может быть более дорогим.
  • Тепловые ограничения: Несмотря на низкое значение RDS(on), тепловые характеристики могут быть ограничены.

Общее назначение:

  • Использование в источниках питания.
  • В трансформаторах для управления напряжением.
  • В системах управления двигателей.
  • Для работы в высокочастотных приложениях.

Применяется в:

  • Автомобильных системах.
  • Приборах для бытовой электроники.
  • Промышленных системах управления.
  • Устройствах для зарядки аккумуляторов.
Выбрано: Показать

Характеристики IPD60R600P6ATMA1

Техническая документация

IPD60R600P6ATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории