Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IPD65R660CFDAATMA1

IPD65R660CFDAATMA1 полевой транзистор, N-канал, 650В, 6А, 62.5Вт

IPD65R660CFDAATMA1
;
IPD65R660CFDAATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена IPD65R660CFDAATMA1 при покупке от 1 шт 456.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPD65R660CFDAATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPD65R660CFDAATMA1

IPD65R660CFDAATMA1 — это N-канальный MOSFET от Infineon Technologies с характеристиками:

  • Номинальное напряжение (VGS(th)): 650 В
  • Номинальная токовая способность (ID(on)): 6 А
  • Пакет: TO252-3

Основные преимущества:

  • Высокая надежность: Infineon Technologies известен высоким качеством своей продукции.
  • Малый дроссельный потерь: Оптимизирован для минимального энергопотребления.
  • Широкий диапазон рабочих температур: Подходит для различных условий эксплуатации.

Недостатки:

  • Высокая стоимость по сравнению с менее премиальными вариантами.
  • Требует точной настройки и управления для достижения максимальной эффективности.

Общее назначение: Используется в различных приложениях, где требуется высокая надежность и эффективность, такие как:

  • Автомобильные системы питания и зарядки
  • Системы управления двигателей
  • Инверторы и преобразователи напряжения
  • Питание серверных систем

Данный тип MOSFET широко применяется там, где важна совокупность характеристик, таких как высокое напряжение, низкий ток дросселирования и надежность работы.

Выбрано: Показать

Характеристики IPD65R660CFDAATMA1

Техническая документация

IPD65R660CFDAATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 4078 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    456 ₽
  • 10
    292 ₽
  • 100
    198 ₽
  • 1000
    153 ₽
  • 5000
    125 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена IPD65R660CFDAATMA1 при покупке от 1 шт 456.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPD65R660CFDAATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPD65R660CFDAATMA1

IPD65R660CFDAATMA1 — это N-канальный MOSFET от Infineon Technologies с характеристиками:

  • Номинальное напряжение (VGS(th)): 650 В
  • Номинальная токовая способность (ID(on)): 6 А
  • Пакет: TO252-3

Основные преимущества:

  • Высокая надежность: Infineon Technologies известен высоким качеством своей продукции.
  • Малый дроссельный потерь: Оптимизирован для минимального энергопотребления.
  • Широкий диапазон рабочих температур: Подходит для различных условий эксплуатации.

Недостатки:

  • Высокая стоимость по сравнению с менее премиальными вариантами.
  • Требует точной настройки и управления для достижения максимальной эффективности.

Общее назначение: Используется в различных приложениях, где требуется высокая надежность и эффективность, такие как:

  • Автомобильные системы питания и зарядки
  • Системы управления двигателей
  • Инверторы и преобразователи напряжения
  • Питание серверных систем

Данный тип MOSFET широко применяется там, где важна совокупность характеристик, таких как высокое напряжение, низкий ток дросселирования и надежность работы.

Выбрано: Показать

Характеристики IPD65R660CFDAATMA1

Техническая документация

IPD65R660CFDAATMA1.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории