Вход/Регистрация
IPD50P03P4L11ATMA1MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3
IPD80R1K4CEATMA1
IPD80R1K4CEATMA1
- Производитель:INFINEON
- Артикул:IPD80R1K4CEATMA1
- Описание:MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3Все характеристики
Минимальная цена IPD80R1K4CEATMA1 при покупке от 1 шт 340.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPD80R1K4CEATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
- 7402 шт3-6 недель
- КоличествоЦена
- 1340 ₽
- 10217 ₽
- 500105 ₽
- 500079 ₽
Кешбэк 1 балл
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
- Производитель:INFINEON
- Артикул:IPD80R1K4CEATMA1
- Описание:MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3Все характеристики
Минимальная цена IPD80R1K4CEATMA1 при покупке от 1 шт 340.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPD80R1K4CEATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Описание IPD80R1K4CEATMA1
IPD80R1K4CEATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
- Основные параметры:
- Номинальное напряжение (VDS(on)): 800В
- Номинальный ток (ID(on)): 3.9А
- Тип: N-канальный MOSFET
- Пакет: TO252-3
- Плюсы:
- Высокое напряжения срабатывания
- Умеренный ток пропуска
- Эффективность в работе
- Устойчивость к перегреву
- Минусы:
- Средний ток пропуска по сравнению с другими типами MOSFET
- Большой размер корпуса по сравнению с SMD-компонентами
- Общее назначение:
- Использование в электронных устройствах, требующих регулирования напряжения
- Применяется в преобразователях напряжения
- Используется в системах управления двигателем
- Входит в состав инверторов и других источников питания
- В каких устройствах применяется:
- Автомобильная электроника
- Питание серверных систем
- Промышленное оборудование
- Мощные преобразователи
Выбрано: Показать
Характеристики IPD80R1K4CEATMA1
Техническая документация
IPD80R1K4CEATMA1.pdf pdf. 0 kb