Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IPD90N04S404ATMA1
  • В избранное
  • В сравнение
IPD90N04S404ATMA1

IPD90N04S404ATMA1

IPD90N04S404ATMA1
;
IPD90N04S404ATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    INFINEON TECHNOLOGIES
  • Артикул:
    IPD90N04S404ATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3Все характеристики

Минимальная цена IPD90N04S404ATMA1 при покупке от 1 шт 290.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPD90N04S404ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPD90N04S404ATMA1

IPD90N04S404ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 40В
    • Номинальный ток (ID(on)): 90А
    • Пакет: TO252-3
  • Плюсы:
    • Высокая токовая способность (90А)
    • Малый вольтаж включенного состояния (VGS(th))
    • Хорошая термическая стабильность
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Малое сопротивление при включенном состоянии
  • Минусы:
    • Высокие тепловые потери при частых переключениях
    • Требуется дополнительное охлаждение для высоких токов
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых преобразователях
    • Для управления мощными электрическими цепями
    • В системах питания и преобразования энергии
    • В автомобилях для управления электродвигателями
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Силовые преобразователи
    • Питание электронных устройств с высокими потреблениями
    • Системы управления мощными нагрузками
Выбрано: Показать

Характеристики IPD90N04S404ATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    90A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.1mOhm @ 90A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 35.2mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    43 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3440 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    71W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TO252-3-313
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    IPD90N

Техническая документация

 IPD90N04S404ATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 2259 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    290 ₽
  • 5
    228 ₽
  • 10
    198 ₽
  • 25
    167 ₽
  • 100
    157 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    INFINEON TECHNOLOGIES
  • Артикул:
    IPD90N04S404ATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3Все характеристики

Минимальная цена IPD90N04S404ATMA1 при покупке от 1 шт 290.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPD90N04S404ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPD90N04S404ATMA1

IPD90N04S404ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 40В
    • Номинальный ток (ID(on)): 90А
    • Пакет: TO252-3
  • Плюсы:
    • Высокая токовая способность (90А)
    • Малый вольтаж включенного состояния (VGS(th))
    • Хорошая термическая стабильность
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Малое сопротивление при включенном состоянии
  • Минусы:
    • Высокие тепловые потери при частых переключениях
    • Требуется дополнительное охлаждение для высоких токов
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых преобразователях
    • Для управления мощными электрическими цепями
    • В системах питания и преобразования энергии
    • В автомобилях для управления электродвигателями
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Силовые преобразователи
    • Питание электронных устройств с высокими потреблениями
    • Системы управления мощными нагрузками
Выбрано: Показать

Характеристики IPD90N04S404ATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    90A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.1mOhm @ 90A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 35.2mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    43 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3440 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    71W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TO252-3-313
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    IPD90N

Техническая документация

 IPD90N04S404ATMA1.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RT1A060APTRMOSFET P-CH 12V 6A 8TSST
    85Кешбэк 12 баллов
    RUE003N02TLТранзистор: MOSFET N-CH 20V 300MA EMT3
    89Кешбэк 13 баллов
    RSU002P03T106MOSFET P-CH 30V 250MA UMT3
    93Кешбэк 13 баллов
    RQ3E120BNTBMOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
    101Кешбэк 15 баллов
    RQ3E120GNTBMOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
    102Кешбэк 15 баллов
    RUM003N02T2LMOSFET N-CH 20V 300MA VMT3
    105Кешбэк 15 баллов
    RJK005N03T146MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3
    105Кешбэк 15 баллов
    2SK2731T146MOSFET N-CH 30V 200MA SMT3
    105Кешбэк 15 баллов
    RQ6E035ATTCRMOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
    105Кешбэк 15 баллов
    RQ3E080BNTBТранзистор: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
    107Кешбэк 16 баллов
    RQ5E035ATTCLMOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT3
    109Кешбэк 16 баллов
    RQ5A030APTLMOSFET P-CH 12V 3A TSMT3
    111Кешбэк 16 баллов
    RAL025P01TCRMOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
    111Кешбэк 16 баллов
    RQ3E160ADTBMOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT
    113Кешбэк 16 баллов
    RZF013P01TLMOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
    113Кешбэк 16 баллов
    RRF015P03TLMOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3
    116Кешбэк 17 баллов
    RQ3E070BNTBMOSFET N-CH 30V 7A 8HSMT
    121Кешбэк 18 баллов
    RUF015N02TLMOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3
    123Кешбэк 18 баллов
    RHK003N06T146MOSFET N-CH 60V 300MA SMT3
    123Кешбэк 18 баллов
    RSF015N06TLMOSFET N-CH 60V 1.5A TUMT3
    125Кешбэк 18 баллов
    QS6U24TRMOSFET P-CH 30V 1A TSMT6
    125Кешбэк 18 баллов
    RQ6E045BNTCRMOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT
    125Кешбэк 18 баллов
    RUF020N02TLMOSFET N-CH 20V 2A TUMT3
    127Кешбэк 19 баллов
    RQ3E100BNTBMOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
    127Кешбэк 19 баллов
    RTF016N05TLMOSFET N-CH 45V 1.6A TUMT3
    127Кешбэк 19 баллов
    RAQ045P01TCRMOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
    127Кешбэк 19 баллов
    US5U1TRMOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5
    127Кешбэк 19 баллов
    RTR025N03TLMOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
    127Кешбэк 19 баллов
    RQ3E180BNTBMOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
    129Кешбэк 19 баллов
    RRQ020P03TCRMOSFET P-CH 30V 2A TSMT6
    129Кешбэк 19 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    IGBT транзисторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Модули драйверов питания
    Диоды - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные диоды
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Модули триодных тиристоров
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторные модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы специального назначения
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Сборки биполярных транзисторов
    Программируемые однопереходные транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП