Каталог товаров
Доставка
Оплата
Кешбэк
Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров

Как заказать

О компании

8 800 550-00-22

Доставка Оплата Кешбэк Контакты

Загрузить BOM

Избранное Сравнение Корзина

Вход/Регистрация

Избранное

Войти

Каталог товаров

Дискретные полупроводники

Полевые транзисторы - Одиночные

IPD90N10S406ATMA1

IPD90N10S406ATMA1

IPD90N10S406ATMA1

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IPD90N10S406ATMA1
Описание:
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3Все характеристики

Минимальная цена IPD90N10S406ATMA1 при покупке от 1 шт 454.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPD90N10S406ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики IPD90N10S406ATMA1

Package
Tape & Reel (TR)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.7mOhm @ 90A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 90µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4870 pF @ 25 V
Рассеивание мощности (Макс)
136W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
PG-TO252-3-313
Корпус
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
IPD90N

Техническая документация

IPD90N10S406ATMA1.pdf

pdf. 0 kb

В избранное
В сравнение

2709 шт
3-6 недель

Количество
Цена
1
454 ₽
10
296 ₽
100
232 ₽
500
195 ₽
1000
186 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IPD90N10S406ATMA1
Описание:
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3Все характеристики

Минимальная цена IPD90N10S406ATMA1 при покупке от 1 шт 454.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPD90N10S406ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики IPD90N10S406ATMA1

Package
Tape & Reel (TR)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.7mOhm @ 90A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 90µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4870 pF @ 25 V
Рассеивание мощности (Макс)
136W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
PG-TO252-3-313
Корпус
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
IPD90N

Техническая документация

IPD90N10S406ATMA1.pdf

pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары

Похожие товары

SI7135DP-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8

361Кешбэк 54 балла

FQPF8N60CYDTU MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F-3

239Кешбэк 35 баллов

FCD850N80Z MOSFET N-CH 800V 6A DPAK

196Кешбэк 29 баллов

PMFPB8040XP,115 MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6

43Кешбэк 6 баллов

NTHS5443T1G MOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFET

80Кешбэк 12 баллов

BSP225,115 Транзистор: MOSFET P-CH 250V 225MA SOT223

155Кешбэк 23 балла

DMJ70H1D3SJ3 MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251

295Кешбэк 44 балла

IRFU9120PBF Транзистор: MOSFET P-CH 100V 5.6A TO251AA

258Кешбэк 38 баллов

NTD4809NT4G MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK

104Кешбэк 15 баллов

SIA811ADJ-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6

144Кешбэк 21 балл

STY112N65M5 MOSFET N-CH 650V 96A MAX247

5 818Кешбэк 872 балла

MCH6431-TL-H MOSFET N-CH 30V 5A 6MCPH

41Кешбэк 6 баллов

FDMA410NZ MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET

190Кешбэк 28 баллов

APT60M75L2FLLG MOSFET N-CH 600V 73A 264 MAX

9 442Кешбэк 1 416 баллов

IPD30N06S215ATMA2 MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31

188Кешбэк 28 баллов

IXFB40N110Q3 MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264

8 633Кешбэк 1 294 балла

FDD8780 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

170Кешбэк 25 баллов

BSC440N10NS3GATMA1 Транзистор: MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TDSON

227Кешбэк 34 балла

IRFS7430TRL7PP MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK

574Кешбэк 86 баллов

STB11N65M5 MOSFET N CH 650V 9A D2PAK

472Кешбэк 70 баллов

FDC855N MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6

65Кешбэк 9 баллов

AUIRLR3410TRL MOSFET N-CH 100V 17A DPAK

580Кешбэк 87 баллов

3LN01S-K-TL-E MOSFET N-CH 30V 0.15A SMCP

28Кешбэк 4 балла

IXTH12N65X2 MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3

986Кешбэк 147 баллов

IRFB3206PBF MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB

303Кешбэк 45 баллов

BSL296SNH6327XTSA1 MOSFET N-CH 100V 1.4A TSOP-6

56Кешбэк 8 баллов

SPI15N60C3 N-CHANNEL POWER MOSFET

285Кешбэк 42 балла

FQAF9P25 MOSFET P-CH 250V 7.1A TO3PF

255Кешбэк 38 баллов

NTD23N03RT4 MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A DPAK

26Кешбэк 3 балла

STP5NK50Z MOSFET N-CH 500V 4.4A TO220AB

358Кешбэк 53 балла

Похожие категории

Все товары

Похожие категории

Оставьте оценку на Яндексе

Каталог товаров
Доставка
Оплата
Производители
Акции

Как купить
Кешбэк
Как сделать заказ
Загрузка BOM-листа
Возврат и обмен
Состояние заказа

О компании
Отзывы
Новости
Вакансии
Правовая информация
Контакты

8 800 550-00-22

Пн-Пт 9:30 - 17:30

Оставьте оценку на Яндексе

Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.

© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали