Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
IPDD60R125CFD7XTMA1
IPDD60R125CFD7XTMA1

IPDD60R125CFD7XTMA1

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPDD60R125CFD7XTMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 27A HDSOP-10Все характеристики

Минимальная цена IPDD60R125CFD7XTMA1 при покупке от 1 шт 685.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPDD60R125CFD7XTMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IPDD60R125CFD7XTMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    27A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    125mOhm @ 6.8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 340µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    31 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1329 pF @ 400 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    176W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-HDSOP-10-1
  • Корпус
    10-PowerSOP Module
  • Base Product Number
    IPDD60

Техническая документация

 IPDD60R125CFD7XTMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 1688 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    685 ₽
  • 10
    502 ₽
  • 100
    354 ₽
  • 500
    322 ₽
  • 1700
    263 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPDD60R125CFD7XTMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 27A HDSOP-10Все характеристики

Минимальная цена IPDD60R125CFD7XTMA1 при покупке от 1 шт 685.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPDD60R125CFD7XTMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IPDD60R125CFD7XTMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    27A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    125mOhm @ 6.8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 340µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    31 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1329 pF @ 400 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    176W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-HDSOP-10-1
  • Корпус
    10-PowerSOP Module
  • Base Product Number
    IPDD60

Техническая документация

 IPDD60R125CFD7XTMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    PMN100EPAXMOSFET P-CH 60V 2.5A 6TSOP
    85Кешбэк 12 баллов
    SIR165DP-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
    380Кешбэк 57 баллов
    DMTH10H1M7STLW-13MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
    977Кешбэк 146 баллов
    C3M0016120KSICFET N-CH 1.2KV 115A TO247-4
    9 728Кешбэк 1 459 баллов
    FDMC7678-L701PT8 N 30/20V MLP3.3X3.3
    254Кешбэк 38 баллов
    RS1L151ATTB1PCH -60V -56A, HSOP8, POWER MOSF
    702Кешбэк 105 баллов
    IXFP14N85XMMOSFET N-CHANNEL 850V 14A TO220
    1 136Кешбэк 170 баллов
    IRF830BPBF-BE3Транзистор: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
    300Кешбэк 45 баллов
    R6006KND3TL1MOSFET N-CH 600V 6A TO252
    527Кешбэк 79 баллов
    IPTG111N20NM3FDATMA1TRENCH >=100V PG-HSOG-8
    1 470Кешбэк 220 баллов
    SPP80N06S209N-CHANNEL POWER MOSFET
    167Кешбэк 25 баллов
    SQS850EN-T1_BE3N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
    284Кешбэк 42 балла
    BUK7D36-60EXMOSFET N-CH 60V 5.5A/14A 6DFN
    95Кешбэк 14 баллов
    NVD5C460NT4GMOSFET N-CH 40V 18A/70A DPAK
    445Кешбэк 66 баллов
    SIR104DP-T1-RE3MOSFET N-CH 100V 18.3A/79A PPAK
    576Кешбэк 86 баллов
    AONS32310MOSFET N-CH 30V 60A/400A 8DFN
    516Кешбэк 77 баллов
    SIRC16DP-T1-RE3N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET W/SC
    345Кешбэк 51 балл
    2SK3570-ZK-E1-AZPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
    262Кешбэк 39 баллов
    IPLK80R1K4P7ATMA1MOSFET 800V TDSON-8
    302Кешбэк 45 баллов
    R6012JNXC7GMOSFET N-CH 600V 12A TO220FM
    394Кешбэк 59 баллов
    STU6N90K5MOSFET N-CH 900V 6A IPAK
    505Кешбэк 75 баллов
    PJE138L_R1_0000160V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    71Кешбэк 10 баллов
    IPLK70R2K0P7ATMA1MOSFET N-CH 700V TDSON-8
    236Кешбэк 35 баллов
    SVD5867NLT4GMOSFET N-CH 60V 22A DPAK-3
    224Кешбэк 33 балла
    NVMFS6H824NT1GMOSFET N-CH 80V 19A/103A 5DFN
    402Кешбэк 60 баллов
    RJK0358DPA-00#J0N-CHANNEL POWER MOSFET
    256Кешбэк 38 баллов
    RBA250N04AHPF-4UA01#GB0POWER TRS2 AUTOMOTIVE MOS MP-25L
    1 152Кешбэк 172 балла
    RJK4006DPP-G1#T2N-CHANNEL POWER MOSFET
    273Кешбэк 40 баллов
    STWA75N60DM6MOSFET N-CH 600V 72A TO247
    1 968Кешбэк 295 баллов
    2SK3058-Z-E1-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    331Кешбэк 49 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные диоды
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR
    Симисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Драйверы питания - Модули
    Диодные мосты - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
    Диодные мосты
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Триодные тиристоры - Модули
    Принадлежности
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП