Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
IPG20N04S412AATMA1
  • В избранное
  • В сравнение
IPG20N04S412AATMA1

IPG20N04S412AATMA1

IPG20N04S412AATMA1
;
IPG20N04S412AATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPG20N04S412AATMA1
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSONВсе характеристики

Минимальная цена IPG20N04S412AATMA1 при покупке от 1 шт 276.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPG20N04S412AATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPG20N04S412AATMA1

IPG20N04S412AATMA1 Infineon Technologies Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VGS(th)): 4 V
    • Номинальная токовая способность (ID(on)): 20 A
    • Номинальное напряжение на дренаже (VDS(on)): 40 V
    • Количество термопараллельных путей: 8
  • Плюсы:
    • Высокая токовая способность
    • Низкое напряжение включенного состояния
    • Малый размер и высокая плотность компоновки
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Требует использования радиатора для охлаждения при высоких нагрузках
    • Возможны проблемы с электромагнитной совместимостью без правильного размещения и фильтрации
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных системах
    • Переключение высоких токов
    • Изоляция сигналов между различными цепями
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Системы управления двигателем
    • Промышленное оборудование
    • Бытовая техника
    • Энергоэффективные системы питания
Выбрано: Показать

Характеристики IPG20N04S412AATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    20A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    12.2mOhm @ 17A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 15µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1470pF @ 25V
  • Рассеивание мощности
    41W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount, Wettable Flank
  • Корпус
    8-PowerVDFN
  • Исполнение корпуса
    PG-TDSON-8-10
  • Base Product Number
    IPG20N04

Техническая документация

 IPG20N04S412AATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 16413 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    276 ₽
  • 10
    174 ₽
  • 500
    102 ₽
  • 2500
    87 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPG20N04S412AATMA1
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSONВсе характеристики

Минимальная цена IPG20N04S412AATMA1 при покупке от 1 шт 276.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPG20N04S412AATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPG20N04S412AATMA1

IPG20N04S412AATMA1 Infineon Technologies Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VGS(th)): 4 V
    • Номинальная токовая способность (ID(on)): 20 A
    • Номинальное напряжение на дренаже (VDS(on)): 40 V
    • Количество термопараллельных путей: 8
  • Плюсы:
    • Высокая токовая способность
    • Низкое напряжение включенного состояния
    • Малый размер и высокая плотность компоновки
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Требует использования радиатора для охлаждения при высоких нагрузках
    • Возможны проблемы с электромагнитной совместимостью без правильного размещения и фильтрации
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных системах
    • Переключение высоких токов
    • Изоляция сигналов между различными цепями
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Системы управления двигателем
    • Промышленное оборудование
    • Бытовая техника
    • Энергоэффективные системы питания
Выбрано: Показать

Характеристики IPG20N04S412AATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    20A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    12.2mOhm @ 17A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 15µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1470pF @ 25V
  • Рассеивание мощности
    41W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount, Wettable Flank
  • Корпус
    8-PowerVDFN
  • Исполнение корпуса
    PG-TDSON-8-10
  • Base Product Number
    IPG20N04

Техническая документация

 IPG20N04S412AATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    ZXMN6A11DN8TAТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC
    229Кешбэк 34 балла
    ZXMN2A04DN8TAТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC
    509Кешбэк 76 баллов
    DMHC3025LSD-13Транзистор: MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO
    213Кешбэк 31 балл
    ZXMHC10A07T8TAТранзистор: MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8
    498Кешбэк 74 балла
    ZXMC3F31DN8TAТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
    198Кешбэк 29 баллов
    ZXMP6A18DN8TAТранзистор: MOSFET 2P-CH 60V 3.7A 8-SOIC
    389Кешбэк 58 баллов
    DMN63D8LDW-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
    31.5Кешбэк 4 балла
    ZXMN6A09DN8TAТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC
    498Кешбэк 74 балла
    DMN3190LDW-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
    37Кешбэк 5 баллов
    ZXMP6A16DN8QTAТранзистор: MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
    378Кешбэк 56 баллов
    DMN3033LSDQ-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
    152Кешбэк 22 балла
    DMN3135LVT-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26
    104Кешбэк 15 баллов
    ZXMN3A06DN8TAТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
    322Кешбэк 48 баллов
    DMC3016LSD-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8SO
    148Кешбэк 22 балла
    ZXMC4559DN8TAТранзистор: MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC
    324Кешбэк 48 баллов
    DMC4029SSD-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 40V 7A/5.1A 8SO
    217Кешбэк 32 балла
    ZXMP3A16DN8TAТранзистор: MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8-SOIC
    378Кешбэк 56 баллов
    ZXMC3A17DN8TAТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
    268Кешбэк 40 баллов
    ZXMN6A25DN8TAТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC
    356Кешбэк 53 балла
    DI9952TMOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8-SOIC
    291Кешбэк 43 балла
    DMC4028SSD-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 40V 8SOIC
    256Кешбэк 38 баллов
    DMC3028LSD-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO
    148Кешбэк 22 балла
    DMP4050SSD-13Транзистор: MOSFET 2P-CH 40V 4A 8SO
    265Кешбэк 39 баллов
    ZXMN2AMCTAТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 2.9A DFN
    282Кешбэк 42 балла
    PMDXB1200UPEZТранзистор: MOSFET 2P-CH 30V 0.41A 6DFN
    44.5Кешбэк 6 баллов
    AO4882Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
    213Кешбэк 31 балл
    AO4629Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC
    128Кешбэк 19 баллов
    AON7804Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8DFN
    139Кешбэк 20 баллов
    AO6604Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP
    145Кешбэк 21 балл
    AO4818BТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
    222Кешбэк 33 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Принадлежности
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - SCR
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Симисторы
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    IGBT транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП