Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
IPG20N04S4L07AATMA1
  • В избранное
  • В сравнение
IPG20N04S4L07AATMA1

IPG20N04S4L07AATMA1

IPG20N04S4L07AATMA1
;
IPG20N04S4L07AATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPG20N04S4L07AATMA1
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 8TDSONВсе характеристики

Минимальная цена IPG20N04S4L07AATMA1 при покупке от 1 шт 416.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPG20N04S4L07AATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPG20N04S4L07AATMA1

IPG20N04S4L07AATMA1 Infineon Technologies Транзистор: MOSFET 2N-CH 8TDSON

  • Основные параметры:
    • Рейтинг по току насыщения (IDS(on)): 10 А
    • Номинальный коэффициент передачи (VGS(th)): 3.5 В
    • Максимальное напряжение между дреном и собранием (VDS(max)): 45 В
    • Максимальное напряжение между собранием и гнездом (VGS(max)): 20 В
    • Тип корпуса: 8-ти контактная DSON
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность
    • Низкий коэффициент передачи при низком напряжении
    • Устойчивость к перегреву
    • Надежность и долговечность
    • Компактный размер
  • Минусы:
    • Высокое напряжение может вызвать повреждение
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Управление токами в электрических цепях
    • Изменение напряжений
    • Эффективное управление мощностью в различных устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Промышленных системах управления
    • Электронных устройствах питания
    • Системах с частотным преобразованием
    • Беспроводных устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики IPG20N04S4L07AATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    20A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.2mOhm @ 17A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.2V @ 30µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    50nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3980pF @ 25V
  • Рассеивание мощности
    65W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount, Wettable Flank
  • Корпус
    8-PowerVDFN
  • Исполнение корпуса
    PG-TDSON-8-10
  • Base Product Number
    IPG20N04

Техническая документация

 IPG20N04S4L07AATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 5948 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    416 ₽
  • 10
    265 ₽
  • 100
    183 ₽
  • 1000
    135 ₽
  • 10000
    108 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPG20N04S4L07AATMA1
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 8TDSONВсе характеристики

Минимальная цена IPG20N04S4L07AATMA1 при покупке от 1 шт 416.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPG20N04S4L07AATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPG20N04S4L07AATMA1

IPG20N04S4L07AATMA1 Infineon Technologies Транзистор: MOSFET 2N-CH 8TDSON

  • Основные параметры:
    • Рейтинг по току насыщения (IDS(on)): 10 А
    • Номинальный коэффициент передачи (VGS(th)): 3.5 В
    • Максимальное напряжение между дреном и собранием (VDS(max)): 45 В
    • Максимальное напряжение между собранием и гнездом (VGS(max)): 20 В
    • Тип корпуса: 8-ти контактная DSON
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность
    • Низкий коэффициент передачи при низком напряжении
    • Устойчивость к перегреву
    • Надежность и долговечность
    • Компактный размер
  • Минусы:
    • Высокое напряжение может вызвать повреждение
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Управление токами в электрических цепях
    • Изменение напряжений
    • Эффективное управление мощностью в различных устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Промышленных системах управления
    • Электронных устройствах питания
    • Системах с частотным преобразованием
    • Беспроводных устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики IPG20N04S4L07AATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    20A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.2mOhm @ 17A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.2V @ 30µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    50nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3980pF @ 25V
  • Рассеивание мощности
    65W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount, Wettable Flank
  • Корпус
    8-PowerVDFN
  • Исполнение корпуса
    PG-TDSON-8-10
  • Base Product Number
    IPG20N04

Техническая документация

 IPG20N04S4L07AATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    TT8M1TRТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8
    149Кешбэк 22 балла
    QS8J4TRТранзистор: MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
    302Кешбэк 45 баллов
    SH8J66TB1Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 9A SOP8
    574Кешбэк 86 баллов
    QS8J5TRТранзистор: MOSFET 2P-CH 30V 5A TSMT8
    394Кешбэк 59 баллов
    EM6M2T2RТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6
    91Кешбэк 13 баллов
    QS8K13TCRТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8
    348Кешбэк 52 балла
    UM6K31NTNТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6
    83Кешбэк 12 баллов
    TT8J11TCRТранзистор: MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSST8
    178Кешбэк 26 баллов
    QH8MA3TCRТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V TSMT8
    213Кешбэк 31 балл
    SH8M24TB1Транзистор: MOSFET N/P-CH 45V 4.5A/3.5A SOP8
    408Кешбэк 61 балл
    SH8J65TB1Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 7A SOP8
    456Кешбэк 68 баллов
    SH8M14TB1Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A SOP
    417Кешбэк 62 балла
    SH8K12TB1Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOP
    287Кешбэк 43 балла
    UM6J1NTNТранзистор: MOSFET 2P-CH 30V 0.2A UMT6
    132Кешбэк 19 баллов
    QH8MA4TCRТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V TSMT8
    259Кешбэк 38 баллов
    QS6M3TRТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
    162Кешбэк 24 балла
    SH8M41TB1Транзистор: MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A SOP8
    363Кешбэк 54 балла
    SP8J2TBТранзистор: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-SOIC
    353Кешбэк 52 балла
    TT8J21TRТранзистор: MOSFET 2P-CH 20V 2.5A TSST8
    248Кешбэк 37 баллов
    HP8KA1TBТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 14A HSOP8
    324Кешбэк 48 баллов
    QH8MA2TCRТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
    175Кешбэк 26 баллов
    US6J11TRТранзистор: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
    171Кешбэк 25 баллов
    QS6J11TRТранзистор: MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
    182Кешбэк 27 баллов
    VT6M1T2CRТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
    70Кешбэк 10 баллов
    HS8K11TBТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
    184Кешбэк 27 баллов
    EM5K5T2RТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 0.3A EMT5
    118Кешбэк 17 баллов
    SSM6N44FE,LMТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
    66Кешбэк 9 баллов
    SSM6L39TU,LFТранзистор
    112Кешбэк 16 баллов
    SSM6P41FE(TE85L,F)Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 0.72A ES6
    108Кешбэк 16 баллов
    SSM6N7002CFU,LFТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.17A US6
    27.6Кешбэк 4 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Симисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    IGBT транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диодные мосты
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Триодные тиристоры - Модули
    Принадлежности
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП