Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
IPG20N06S415ATMA2
  • В избранное
  • В сравнение
IPG20N06S415ATMA2

IPG20N06S415ATMA2

IPG20N06S415ATMA2
;
IPG20N06S415ATMA2

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPG20N06S415ATMA2
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 8TDSONВсе характеристики

Минимальная цена IPG20N06S415ATMA2 при покупке от 1 шт 374.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPG20N06S415ATMA2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPG20N06S415ATMA2

IPG20N06S415ATMA2 Infineon Technologies — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с характеристиками, подходящими для широкого спектра приложений.

  • Основные параметры:
    • VGS(TH) (Предел напряжения управления): 3.0 V – 6.5 V
    • ID(on) (Разрядный ток в режиме включения): 20 A
    • RDS(on) (Сопротивление при включении): 0.017 Ω
    • VDS (Максимальное напряжение между дреном и источником): 65 V
    • TCASE (Температура корпуса): -55°C до +175°C
  • Плюсы:
    • Низкое сопротивление при включении, обеспечивающее эффективность в различных приложениях
    • Высокая надежность и стабильность
    • Универсальность использования в различных электронных устройствах
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с менее сложными моделями
    • Необходимость соблюдения специальных условий охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных системах для управления током
    • Применение в преобразователях напряжения
    • Встроенные в блоки питания устройств
    • В автомобилестроении для систем управления двигателем и зарядки аккумуляторов
  • В каких устройствах применяется:
    • Блоки питания
    • Автомобильные системы
    • Преобразователи напряжения
    • Инверторы для бытовой техники

Выбрано: Показать

Характеристики IPG20N06S415ATMA2

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    20A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    15.5mOhm @ 17A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 20µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    29nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2260pF @ 25V
  • Рассеивание мощности
    50W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-PowerVDFN
  • Исполнение корпуса
    PG-TDSON-8-4
  • Base Product Number
    IPG20N

Техническая документация

 IPG20N06S415ATMA2.pdf
pdf. 0 kb
  • 321 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    374 ₽
  • 10
    239 ₽
  • 100
    161 ₽
  • 1000
    117 ₽
  • 10000
    97 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPG20N06S415ATMA2
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 8TDSONВсе характеристики

Минимальная цена IPG20N06S415ATMA2 при покупке от 1 шт 374.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPG20N06S415ATMA2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPG20N06S415ATMA2

IPG20N06S415ATMA2 Infineon Technologies — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с характеристиками, подходящими для широкого спектра приложений.

  • Основные параметры:
    • VGS(TH) (Предел напряжения управления): 3.0 V – 6.5 V
    • ID(on) (Разрядный ток в режиме включения): 20 A
    • RDS(on) (Сопротивление при включении): 0.017 Ω
    • VDS (Максимальное напряжение между дреном и источником): 65 V
    • TCASE (Температура корпуса): -55°C до +175°C
  • Плюсы:
    • Низкое сопротивление при включении, обеспечивающее эффективность в различных приложениях
    • Высокая надежность и стабильность
    • Универсальность использования в различных электронных устройствах
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с менее сложными моделями
    • Необходимость соблюдения специальных условий охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных системах для управления током
    • Применение в преобразователях напряжения
    • Встроенные в блоки питания устройств
    • В автомобилестроении для систем управления двигателем и зарядки аккумуляторов
  • В каких устройствах применяется:
    • Блоки питания
    • Автомобильные системы
    • Преобразователи напряжения
    • Инверторы для бытовой техники

Выбрано: Показать

Характеристики IPG20N06S415ATMA2

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    20A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    15.5mOhm @ 17A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 20µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    29nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2260pF @ 25V
  • Рассеивание мощности
    50W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-PowerVDFN
  • Исполнение корпуса
    PG-TDSON-8-4
  • Base Product Number
    IPG20N

Техническая документация

 IPG20N06S415ATMA2.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IPG16N10S4L61AATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
    351Кешбэк 52 балла
    BSZ215CHXTMA1Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 8TSDSON
    359Кешбэк 53 балла
    IPG20N10S436AATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
    363Кешбэк 54 балла
    IPG20N10S4L35ATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 8TDSON
    367Кешбэк 55 баллов
    IPG20N06S2L35ATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
    367Кешбэк 55 баллов
    IPG20N06S415ATMA2Транзистор: MOSFET 2N-CH 8TDSON
    374Кешбэк 56 баллов
    IPG20N06S2L35AATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 55V 2A 8TDSON
    376Кешбэк 56 баллов
    IPG20N10S4L35AATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
    376Кешбэк 56 баллов
    IPG20N10S4L22AATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8
    389Кешбэк 58 баллов
    IPG20N04S4L07AATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 8TDSON
    429Кешбэк 64 балла
    IPG20N10S4L22ATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 8TDSON
    445Кешбэк 66 баллов
    IPG20N06S4L11AATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 8TDSON
    452Кешбэк 67 баллов
    BSG0810NDIATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
    509Кешбэк 76 баллов
    BSG0811NDATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON
    511Кешбэк 76 баллов
    BSG0813NDIATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A TISON8
    549Кешбэк 82 балла
    IRFH4253DTRPBFТранзистор: MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN
    608Кешбэк 91 балл
    IRF3546MTRPBFТранзистор: MOSFET 4N-CH 25V 16A/20A 41PQFN
    807Кешбэк 121 балл
    AUIRF7316QTRТранзистор: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC
    809Кешбэк 121 балл
    FDY2000PZТранзистор: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    26.6Кешбэк 3 балла
    MCH6626-TL-EТранзистор: PCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
    26.6Кешбэк 3 балла
    MCH6603-TL-HТранзистор: MOSFET 2P-CH 50V 0.14A MCPH6
    30.4Кешбэк 4 балла
    MCH6613-TL-EТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V MCPH6
    30.4Кешбэк 4 балла
    MCH6602-TL-EТранзистор
    30.4Кешбэк 4 балла
    CPH6636R-TL-WТранзистор: MOSFET 2N-CH 24V 6A CPH6
    32Кешбэк 4 балла
    MCH6604-TL-EТранзистор: MOSFET 2N-CH 50V 0.25A MCPH6
    38Кешбэк 5 баллов
    MCH6660-TL-HТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A MCPH6
    40Кешбэк 6 баллов
    EMH2417R-TL-HТранзистор: MOSFET 2N-CH 12V 11A EMH8
    40Кешбэк 6 баллов
    MCH6605-TL-EТранзистор: MOSFET 2P-CH 50V 0.14A MCPH6
    40Кешбэк 6 баллов
    EFC4618R-P-TRТранзистор: MOSFET 2N-CH EFCP1818
    47.5Кешбэк 7 баллов
    CPH6635-TL-HТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V/20V CPH6
    47.5Кешбэк 7 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Одиночные триодные тиристоры
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды силовые
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные биполярные транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Полевые транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Симисторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Модули драйверов питания
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторные модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диодные мосты
    Транзисторы специального назначения
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Модули драйверов питания
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП