IPG20N06S415ATMA2

IPG20N06S415ATMA2 Infineon Technologies — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с характеристиками, подходящими для широкого спектра приложений.

• Основные параметры:
• V_GS(TH) (Предел напряжения управления): 3.0 V – 6.5 V
• I_D(on) (Разрядный ток в режиме включения): 20 A
• R_DS(on) (Сопротивление при включении): 0.017 Ω
• V_DS (Максимальное напряжение между дреном и источником): 65 V
• T_CASE (Температура корпуса): -55°C до +175°C
• Плюсы:
• Низкое сопротивление при включении, обеспечивающее эффективность в различных приложениях
• Высокая надежность и стабильность
• Универсальность использования в различных электронных устройствах
• Минусы:
• Высокие цены по сравнению с менее сложными моделями
• Необходимость соблюдения специальных условий охлаждения при высоких нагрузках
• Общее назначение:
• Использование в электронных системах для управления током
• Применение в преобразователях напряжения
• Встроенные в блоки питания устройств
• В автомобилестроении для систем управления двигателем и зарядки аккумуляторов
• В каких устройствах применяется:
• Блоки питания
• Автомобильные системы
• Преобразователи напряжения
• Инверторы для бытовой техники