Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
IPG20N06S4L14AATMA1
  • В избранное
  • В сравнение
IPG20N06S4L14AATMA1

IPG20N06S4L14AATMA1

IPG20N06S4L14AATMA1
;
IPG20N06S4L14AATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPG20N06S4L14AATMA1
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSONВсе характеристики

Минимальная цена IPG20N06S4L14AATMA1 при покупке от 1 шт 274.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPG20N06S4L14AATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPG20N06S4L14AATMA1

IPG20N06S4L14AATMA1 Infineon Technologies

  • MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON

Основные параметры:

  • Номинальный напряжение коллектора-эмиттера (VDS(on)): 60В
  • Номинальный ток при VDS(on) = 20В (ID(on)): 20А
  • Тип контура: N-канальный
  • Количество каналов: 2
  • Объемная оболочка: 8-ти контактный DSON

Плюсы:

  • Высокая проводимость при низком напряжении на включении (VDS(on))
  • Низкий коэффициент температурной зависимости RDS(on)
  • Малые динамические потери
  • Высокая надежность и долгий срок службы
  • Компактность и легкость в установке

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
  • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от перегрузки

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения в электропитании устройств
  • Приведение к общему уровню напряжения в системах питания
  • Управление токами в электрических цепях
  • Использование в источниках питания для бытовой техники, компьютеров и других устройств

В каких устройствах применяется:

  • Источники питания
  • Электронные устройства управления
  • Автомобильные системы питания
  • Системы управления двигателей
  • Мобильные устройства и зарядные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики IPG20N06S4L14AATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    20A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    13.7mOhm @ 17A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.2V @ 20µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    39nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2890pF @ 25V
  • Рассеивание мощности
    50W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount, Wettable Flank
  • Корпус
    8-PowerVDFN
  • Исполнение корпуса
    PG-TDSON-8-10
  • Base Product Number
    IPG20N

Техническая документация

 IPG20N06S4L14AATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 5875 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    274 ₽
  • 10
    194 ₽
  • 500
    134 ₽
  • 2500
    115 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPG20N06S4L14AATMA1
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSONВсе характеристики

Минимальная цена IPG20N06S4L14AATMA1 при покупке от 1 шт 274.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPG20N06S4L14AATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPG20N06S4L14AATMA1

IPG20N06S4L14AATMA1 Infineon Technologies

  • MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON

Основные параметры:

  • Номинальный напряжение коллектора-эмиттера (VDS(on)): 60В
  • Номинальный ток при VDS(on) = 20В (ID(on)): 20А
  • Тип контура: N-канальный
  • Количество каналов: 2
  • Объемная оболочка: 8-ти контактный DSON

Плюсы:

  • Высокая проводимость при низком напряжении на включении (VDS(on))
  • Низкий коэффициент температурной зависимости RDS(on)
  • Малые динамические потери
  • Высокая надежность и долгий срок службы
  • Компактность и легкость в установке

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
  • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от перегрузки

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения в электропитании устройств
  • Приведение к общему уровню напряжения в системах питания
  • Управление токами в электрических цепях
  • Использование в источниках питания для бытовой техники, компьютеров и других устройств

В каких устройствах применяется:

  • Источники питания
  • Электронные устройства управления
  • Автомобильные системы питания
  • Системы управления двигателей
  • Мобильные устройства и зарядные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики IPG20N06S4L14AATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    20A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    13.7mOhm @ 17A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.2V @ 20µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    39nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2890pF @ 25V
  • Рассеивание мощности
    50W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount, Wettable Flank
  • Корпус
    8-PowerVDFN
  • Исполнение корпуса
    PG-TDSON-8-10
  • Base Product Number
    IPG20N

Техническая документация

 IPG20N06S4L14AATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FDMC89521LТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 8.2A 8POWER33
    545Кешбэк 81 балл
    NTMFD4C20NT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V SO8FL
    547Кешбэк 82 балла
    FDMS3600SТранзистор: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    611Кешбэк 91 балл
    FDMS9600SТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A POWER56
    638Кешбэк 95 баллов
    FDPC8014SТранзистор: MOSFET 2N-CH 25V 8PWRCLIP
    687Кешбэк 103 балла
    FDMQ86530LТранзистор: MOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLP
    813Кешбэк 121 балл
    FDMC8097ACТранзистор: MOSFET N/P-CH 150V
    1 002Кешбэк 150 баллов
    FDMS8090Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 10A PWR56
    1 387Кешбэк 208 баллов
    PMDPB95XNE,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6
    15.6Кешбэк 2 балла
    2N7002BKS,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
    54Кешбэк 8 баллов
    NX3020NAKS,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 180MA 6TSSOP
    56Кешбэк 8 баллов
    2N7002PS,125Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
    56Кешбэк 8 баллов
    2N7002PS,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
    56Кешбэк 8 баллов
    BSS84AKS,115Транзистор: MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP
    60Кешбэк 9 баллов
    BSS138BKS,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
    62Кешбэк 9 баллов
    NX3008PBKS,115Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 0.2A 6TSSOP
    66Кешбэк 9 баллов
    NX3008CBKS,115Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 6TSSOP
    68Кешбэк 10 баллов
    BSS84AKV,115Транзистор: MOSFET 2P-CH 50V 170MA SOT666
    74Кешбэк 11 баллов
    2N7002BKV,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 340MA SOT666
    80Кешбэк 12 баллов
    PMGD780SN,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP
    80Кешбэк 12 баллов
    NX3008NBKV,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 400MA SOT666
    80Кешбэк 12 баллов
    NX1029X,115Транзистор: MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT666
    82Кешбэк 12 баллов
    NX3008CBKV,115Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V SOT666
    84Кешбэк 12 баллов
    PMDT290UNE,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
    88Кешбэк 13 баллов
    PMGD175XNEXТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 870MA 6TSSOP
    107Кешбэк 16 баллов
    PMDPB70EN,115Транзистор: PMDPB70EN - SMALL SIGNAL, HUSON6
    113Кешбэк 16 баллов
    PMDPB95XNE2XТранзистор: MOSFET 2 N-CH 30V 2.7A 6HUSON
    121Кешбэк 18 баллов
    PMDPB28UN,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 4.6A HUSON6
    124Кешбэк 18 баллов
    PMDPB42UN,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6
    124Кешбэк 18 баллов
    PMDPB56XN,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6
    124Кешбэк 18 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды силовые
    Диодные мосты
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Модули триодных тиристоров
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Модули драйверов питания
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторные модули
    Транзисторы специального назначения
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Симисторы - Модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - TRIACs
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - JFET
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули драйверов питания
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП