Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IPG20N10S4L35ATMA1

IPG20N10S4L35ATMA1

IPG20N10S4L35ATMA1
;
IPG20N10S4L35ATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPG20N10S4L35ATMA1
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 8TDSONВсе характеристики

Минимальная цена IPG20N10S4L35ATMA1 при покупке от 1 шт 343.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPG20N10S4L35ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPG20N10S4L35ATMA1

IPG20N10S4L35ATMA1 Infineon Technologies Транзистор: MOSFET 2N-CH 8TDSON

  • Основные параметры:
    • Рейтингный ток: 10 А
    • Рейтингное напряжение: 35 В
    • Количество каналов: 2N-CH
    • Количество выводов: 8
    • Тип корпуса: DSON
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Эффективность работы при больших токах
    • Малый тепловой сопротивление
    • Устойчивость к электрическим шумам
    • Низкий уровень шума при работе
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с аналогичными MOSFET
    • Требует дополнительного охлаждения при работе с высокими токами
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых преобразователях
    • Работа в системах управления электропитанием
    • Применение в источниках питания
    • В составе электронных устройств для управления нагрузками
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах питания
    • Мощных преобразователях питания
    • Промышленном оборудовании
    • Системах управления электродвигателями
    • Источниках питания для вычислительной техники
Выбрано: Показать

Характеристики IPG20N10S4L35ATMA1

Техническая документация

IPG20N10S4L35ATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 24548 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    343 ₽
  • 10
    207 ₽
  • 100
    150 ₽
  • 1000
    112 ₽
  • 5000
    93 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPG20N10S4L35ATMA1
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 8TDSONВсе характеристики

Минимальная цена IPG20N10S4L35ATMA1 при покупке от 1 шт 343.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPG20N10S4L35ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPG20N10S4L35ATMA1

IPG20N10S4L35ATMA1 Infineon Technologies Транзистор: MOSFET 2N-CH 8TDSON

  • Основные параметры:
    • Рейтингный ток: 10 А
    • Рейтингное напряжение: 35 В
    • Количество каналов: 2N-CH
    • Количество выводов: 8
    • Тип корпуса: DSON
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Эффективность работы при больших токах
    • Малый тепловой сопротивление
    • Устойчивость к электрическим шумам
    • Низкий уровень шума при работе
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с аналогичными MOSFET
    • Требует дополнительного охлаждения при работе с высокими токами
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых преобразователях
    • Работа в системах управления электропитанием
    • Применение в источниках питания
    • В составе электронных устройств для управления нагрузками
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах питания
    • Мощных преобразователях питания
    • Промышленном оборудовании
    • Системах управления электродвигателями
    • Источниках питания для вычислительной техники
Выбрано: Показать

Характеристики IPG20N10S4L35ATMA1

Техническая документация

IPG20N10S4L35ATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории