Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IPI075N15N3GXKSA1
  • В избранное
  • В сравнение
IPI075N15N3GXKSA1

IPI075N15N3GXKSA1

IPI075N15N3GXKSA1
;
IPI075N15N3GXKSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPI075N15N3GXKSA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3Все характеристики

Минимальная цена IPI075N15N3GXKSA1 при покупке от 1 шт 1163.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPI075N15N3GXKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPI075N15N3GXKSA1

IPI075N15N3GXKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-Ч 150В 100А TO262-3

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Номинальный напряжение коллектора-эмиттера: 150В
    • Номинальная токовая способность: 100А
    • Форм-фактор: TO262-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Компактность благодаря малому размеру корпуса
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый динамический сопротивление
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Необходимость дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Регулирование напряжения
    • Переключение высоких токов
    • Автомобильных системах
  • В каких устройствах применяется:
    • Системах управления двигателем
    • Мощных электронных преобразователях
    • Автомобильных аккумуляторах
    • Промышленных преобразователях
Выбрано: Показать

Характеристики IPI075N15N3GXKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    150 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    100A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    8V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.5mOhm @ 100A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 270µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    93 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    5470 pF @ 75 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    300W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO262-3
  • Корпус
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Base Product Number
    IPI075

Техническая документация

 IPI075N15N3GXKSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 410 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 163 ₽
  • 10
    539 ₽
  • 500
    517 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPI075N15N3GXKSA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3Все характеристики

Минимальная цена IPI075N15N3GXKSA1 при покупке от 1 шт 1163.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPI075N15N3GXKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPI075N15N3GXKSA1

IPI075N15N3GXKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-Ч 150В 100А TO262-3

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Номинальный напряжение коллектора-эмиттера: 150В
    • Номинальная токовая способность: 100А
    • Форм-фактор: TO262-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Компактность благодаря малому размеру корпуса
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый динамический сопротивление
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Необходимость дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Регулирование напряжения
    • Переключение высоких токов
    • Автомобильных системах
  • В каких устройствах применяется:
    • Системах управления двигателем
    • Мощных электронных преобразователях
    • Автомобильных аккумуляторах
    • Промышленных преобразователях
Выбрано: Показать

Характеристики IPI075N15N3GXKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    150 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    100A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    8V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.5mOhm @ 100A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 270µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    93 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    5470 pF @ 75 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    300W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO262-3
  • Корпус
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Base Product Number
    IPI075

Техническая документация

 IPI075N15N3GXKSA1.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NP90N055VUK-E1-AYMOSFET N-CH 55V 90A TO252-3
    567Кешбэк 85 баллов
    NP50P06SDG-E1-AYMOSFET P-CH 60V 50A TO-252
    608Кешбэк 91 балл
    RJK03M1DPA-00#J5AMOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
    612Кешбэк 91 балл
    NP50P03YDG-E1-AYMOSFET P-CH 30V 50A 8HSON
    614Кешбэк 92 балла
    N0603N-S23-AYMOSFET N-CH 60V 100A TO262
    616Кешбэк 92 балла
    RJK1055DPB-00#J5MOSFET N-CH 100V 23A LFPAK
    620Кешбэк 93 балла
    N0413N-ZK-E1-AYMOSFET N-CH 40V 100A TO263
    652Кешбэк 97 баллов
    RJK0655DPB-00#J5MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK
    696Кешбэк 104 балла
    RJK1056DPB-00#J5MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK
    730Кешбэк 109 баллов
    RJK0656DPB-00#J5MOSFET N-CH 60V 40A LFPAK
    740Кешбэк 111 баллов
    NP83P06PDG-E1-AYMOSFET P-CH 60V 83A TO263
    934Кешбэк 140 баллов
    NP83P04PDG-E1-AYMOSFET P-CH 40V 83A TO-263
    936Кешбэк 140 баллов
    NP110N04PUK-E1-AYТранзистор: MOSFET N-CH 40V 110A TO263-3
    1 131Кешбэк 169 баллов
    NP100P06PDG-E1-AYMOSFET P-CH 60V 100A TO263
    1 185Кешбэк 177 баллов
    NP100P06PLG-E1-AYMOSFET P-CH 60V 100A TO263
    1 193Кешбэк 178 баллов
    NP180N04TUK-E1-AYMOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
    1 297Кешбэк 194 балла
    C3M0280090DSICFET N-CH 900V 11.5A TO247-3
    1 988Кешбэк 298 баллов
    C2M0280120DТранзистор: SICFET N-CH 1200V 10A TO247-3
    2 324Кешбэк 348 баллов
    C2M1000170JТранзистор: SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK
    2 467Кешбэк 370 баллов
    C2M1000170J-TRSICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK-7
    2 512Кешбэк 376 баллов
    C2M0040120DSICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
    11 122Кешбэк 1 668 баллов
    C2M0025120DSICFET N-CH 1200V 90A TO247-3
    14 751Кешбэк 2 212 баллов
    SI8406DB-T2-E1MOSFET N-CH 20V 16A 6MICRO FOOT
    96Кешбэк 14 баллов
    SI8466EDB-T2-E1MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
    96Кешбэк 14 баллов
    SI5442DU-T1-GE3MOSFET N-CH 20V 25A PPAK
    104Кешбэк 15 баллов
    SI1424EDH-T1-GE3MOSFET N-CH 20V 4A SOT-363
    108Кешбэк 16 баллов
    SI1077X-T1-GE3MOSFET P-CH 20V SC89-6
    122Кешбэк 18 баллов
    SI8810EDB-T2-E1MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
    122Кешбэк 18 баллов
    SIS435DNT-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8
    124Кешбэк 18 баллов
    SI3464DV-T1-GE3MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
    126Кешбэк 18 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные биполярные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Модули
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - JFET
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды силовые
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    IGBT транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - SCR
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Одиночные триодные тиристоры
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диодные мосты
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Симисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Модули драйверов питания
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторные модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП