Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IPL60R185C7AUMA1
  • В избранное
  • В сравнение
IPL60R185C7AUMA1

IPL60R185C7AUMA1

IPL60R185C7AUMA1
;
IPL60R185C7AUMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPL60R185C7AUMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 13A 4VSONВсе характеристики

Минимальная цена IPL60R185C7AUMA1 при покупке от 1 шт 528.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPL60R185C7AUMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPL60R185C7AUMA1

IPL60R185C7AUMA1 — это MOSFET (MOS-FET) типа N-канальный с напряжением включения 600 В от компании Infineon Technologies. Вот основные параметры:

  • Напряжение включения: 600 В
  • Рейтинг тока: 13 А
  • Номинальное напряжение управления: 4 В
  • Сборка: 4ВSON (4-пиновый корпус)

Плюсы:

  • Высокая надежность: Infineon Technologies известна качеством своих продуктов.
  • Короткий времени включения: 185 нс, что позволяет эффективно использовать MOSFET в различных приложениях.
  • Низкое напряжение управления: 4 В делает его подходящим для современных логических сигналов.

Минусы:

  • Высокий тепловой поток: MOSFETы высокого напряжения могут генерировать значительное количество тепла, что требует эффективной системы охлаждения.
  • Высокие цены: Производители премиум-класса, такие как Infineon, обычно имеют более высокую стоимость.

Общее назначение:

  • Изоляция: Используется для электрической изоляции между высоким и низким уровнями напряжений.
  • Управление током: Реализует управление током в электрических цепях.
  • Дросселирование: Используется для ограничения тока или напряжения.

Применение:

  • Автомобильная электроника: Управление электроприводами, системами безопасности и другими устройствами.
  • Промышленное оборудование: Системы управления двигателей, преобразователи напряжения.
  • Энергетика: Преобразователи и регуляторы напряжения.
Выбрано: Показать

Характеристики IPL60R185C7AUMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    13A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    185mOhm @ 5.3A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 260µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    24 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1080 pF @ 400 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    77W (Tc)
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-VSON-4
  • Корпус
    4-PowerTSFN
  • Base Product Number
    IPL60R185

Техническая документация

 IPL60R185C7AUMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 2662 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    528 ₽
  • 10
    356 ₽
  • 100
    285 ₽
  • 500
    245 ₽
  • 1000
    226 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPL60R185C7AUMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 13A 4VSONВсе характеристики

Минимальная цена IPL60R185C7AUMA1 при покупке от 1 шт 528.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPL60R185C7AUMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPL60R185C7AUMA1

IPL60R185C7AUMA1 — это MOSFET (MOS-FET) типа N-канальный с напряжением включения 600 В от компании Infineon Technologies. Вот основные параметры:

  • Напряжение включения: 600 В
  • Рейтинг тока: 13 А
  • Номинальное напряжение управления: 4 В
  • Сборка: 4ВSON (4-пиновый корпус)

Плюсы:

  • Высокая надежность: Infineon Technologies известна качеством своих продуктов.
  • Короткий времени включения: 185 нс, что позволяет эффективно использовать MOSFET в различных приложениях.
  • Низкое напряжение управления: 4 В делает его подходящим для современных логических сигналов.

Минусы:

  • Высокий тепловой поток: MOSFETы высокого напряжения могут генерировать значительное количество тепла, что требует эффективной системы охлаждения.
  • Высокие цены: Производители премиум-класса, такие как Infineon, обычно имеют более высокую стоимость.

Общее назначение:

  • Изоляция: Используется для электрической изоляции между высоким и низким уровнями напряжений.
  • Управление током: Реализует управление током в электрических цепях.
  • Дросселирование: Используется для ограничения тока или напряжения.

Применение:

  • Автомобильная электроника: Управление электроприводами, системами безопасности и другими устройствами.
  • Промышленное оборудование: Системы управления двигателей, преобразователи напряжения.
  • Энергетика: Преобразователи и регуляторы напряжения.
Выбрано: Показать

Характеристики IPL60R185C7AUMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    13A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    185mOhm @ 5.3A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 260µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    24 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1080 pF @ 400 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    77W (Tc)
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-VSON-4
  • Корпус
    4-PowerTSFN
  • Base Product Number
    IPL60R185

Техническая документация

 IPL60R185C7AUMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FDN339ANMOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
    69Кешбэк 10 баллов
    IRFR420TRLPBFMOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
    233Кешбэк 34 балла
    TN2510N8-GMOSFET N-CH 100V 730MA TO243AA
    250Кешбэк 37 баллов
    IRFR5305TRLPBFТранзистор: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
    209Кешбэк 31 балл
    STU6N65M2MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
    289Кешбэк 43 балла
    IRF6713STRPBFMOSFET N-CH 25V 22A/95A DIRECTFT
    295Кешбэк 44 балла
    DMTH6010LPSQ-13MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060
    300Кешбэк 45 баллов
    CSD18540Q5BTMOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
    767Кешбэк 115 баллов
    SIRA10DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
    168Кешбэк 25 баллов
    ATP405-TL-HMOSFET N-CH 100V 40A ATPAK
    463Кешбэк 69 баллов
    STL30N10F7Транзистор: MOSFET N-CH 100V 30A POWERFLAT
    167Кешбэк 25 баллов
    DMP2130LDM-7MOSFET P-CH 20V 3.4A SOT-26
    122Кешбэк 18 баллов
    STL21N65M5MOSFET N-CH 650V 17A PWRFLAT HV
    508Кешбэк 76 баллов
    SIHP12N60E-E3MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
    439Кешбэк 65 баллов
    2N7002E-T1-GE3Транзистор: MOSFET N-CH 60V 240MA TO236
    77Кешбэк 11 баллов
    MTP3055VLТранзистор: MOSFET N-CH 60V 12A TO220-3
    378Кешбэк 56 баллов
    TPH12008NH,L1QMOSFET N-CH 80V 24A 8SOP
    230Кешбэк 34 балла
    SI3438DV-T1-E3MOSFET N-CH 40V 7.4A 6TSOP
    304Кешбэк 45 баллов
    PSMN5R0-80PS,127MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB
    974Кешбэк 146 баллов
    AO3400AТранзистор: MOSFET N-CH 30V 5.7A SOT23-3L
    76Кешбэк 11 баллов
    BUK9675-55A,118MOSFET N-CH 55V 20A D2PAK
    332Кешбэк 49 баллов
    CSD19502Q5BTMOSFET N-CH 80V 100A 8VSON
    652Кешбэк 97 баллов
    SI7868ADP-T1-E3MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
    999Кешбэк 149 баллов
    IRFU9214PBFТранзистор: MOSFET P-CH 250V 2.7A TO251AA
    383Кешбэк 57 баллов
    BSZ0501NSIATMA1MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
    296Кешбэк 44 балла
    SI7686DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
    426Кешбэк 63 балла
    AUIRFR4615TRLMOSFET N-CH 150V 33A DPAK
    537Кешбэк 80 баллов
    AOD480MOSFET N-CH 30V 25A TO252
    72Кешбэк 10 баллов
    FDMC7660DCMOSFET N-CH 30V 30A/40A DLCOOL33
    319Кешбэк 47 баллов
    AUIRF8739L2TRMOSFET N-CH 40V 57A DIRECTFET
    1 573Кешбэк 235 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Модули драйверов питания
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диодные мосты
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Симисторы - Модули
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Принадлежности
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП