IPN60R3K4CEATMA1

IPN60R3K4CEATMA1

IPN60R3K4CEATMA1

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IPN60R3K4CEATMA1
Описание:
MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223Все характеристики

Минимальная цена IPN60R3K4CEATMA1 при покупке от 1 шт 129.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPN60R3K4CEATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPN60R3K4CEATMA1

IPN60R3K4CEATMA1 — это MOSFET (MOS-FET) производства Infineon Technologies. Он является ненасыщенным полупроводниковым транзистором с негативным зарядом.

Основные параметры:

Номинальное напряжение (V_DS(on)): 600В
Размер тока при V_DS(on): 2.6А
Объемный корпус: SOT223

Плюсы:

Высокое значение V_DS(on), что позволяет использовать его в широком диапазоне напряжений
Малый размер корпуса SOT223, что упрощает монтаж и экономит пространство на плате
Хорошая термическая стабильность

Минусы:

Средний уровень тока, что может ограничивать его применение в высокотоковых цепях

Общее назначение: IPN60R3K4CEATMA1 используется для управления токами в различных электронных устройствах, где требуется высоковольтная трансформация или управление нагрузками. Он подходит для применения в источниках питания, преобразователях напряжения, инверторах и других системах.

Применение:

Источники питания
Преобразователи напряжения
Инверторы
Электронные системы управления

Техническая документация