Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IPP034NE7N3GXKSA1
  • В избранное
  • В сравнение
IPP034NE7N3GXKSA1

IPP034NE7N3GXKSA1

IPP034NE7N3GXKSA1
;
IPP034NE7N3GXKSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    INFINEON TECHNOLOGIES
  • Артикул:
    IPP034NE7N3GXKSA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3Все характеристики

Минимальная цена IPP034NE7N3GXKSA1 при покупке от 1 шт 782.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPP034NE7N3GXKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPP034NE7N3GXKSA1

Информация о MOSFET Infineon Technologies IPP034NE7N3GXKSA1:

  • Тип: MOSFET N-канальный
  • Номинальное напряжение (VDS(on)): 75В
  • Номинальный ток (ID(on)): 100А
  • Пакет: TO220-3

Основные параметры:

  • VGS(th): Низкое пороговое напряжение обеспечивает быстрый включаемый канал
  • RDS(on): Низкое значение указывает на низкий сопротивление канала при рабочем токе
  • QG: Небольшое значение указывает на низкую емкость входа
  • TCASE: Высокая термальная conductance позволяет эффективно отводить тепло

Плюсы:

  • Высокая проводимость: Низкое сопротивление канала обеспечивает эффективную передачу тока
  • Низкое энергопотребление: Небольшая емкость входа и низкое сопротивление канала снижают энергопотребление
  • Быстрый включение/выключение: Низкое пороговое напряжение обеспечивает быструю работу
  • Высокая надежность: Высокий коэффициент прочности и долговечность

Минусы:

  • Высокая стоимость: Сравнительно высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
  • Требуется дополнительное охлаждение: При высоких нагрузках может потребоваться дополнительное охлаждение

Общее назначение:

  • Драйверы: Используются для управления мощными электрическими цепями
  • Приводы двигателей: Управляют током для приводов постоянных токовых двигателей
  • Системы управления: Используются для управления мощными нагрузками в различных системах

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы: Управление электромоторами, регулирование световых фар
  • Промышленное оборудование: Управление двигателями и электродвигателями
  • Энергосистемы: Управление нагрузками в системах энергоснабжения
Выбрано: Показать

Характеристики IPP034NE7N3GXKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    75 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    100A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.4mOhm @ 100A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.8V @ 155µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    117 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    8130 pF @ 37.5 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    214W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO220-3
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IPP034

Техническая документация

 IPP034NE7N3GXKSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 107 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    782 ₽
  • 2
    705 ₽
  • 3
    643 ₽
  • 10
    445 ₽
  • 20
    429 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    INFINEON TECHNOLOGIES
  • Артикул:
    IPP034NE7N3GXKSA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3Все характеристики

Минимальная цена IPP034NE7N3GXKSA1 при покупке от 1 шт 782.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPP034NE7N3GXKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPP034NE7N3GXKSA1

Информация о MOSFET Infineon Technologies IPP034NE7N3GXKSA1:

  • Тип: MOSFET N-канальный
  • Номинальное напряжение (VDS(on)): 75В
  • Номинальный ток (ID(on)): 100А
  • Пакет: TO220-3

Основные параметры:

  • VGS(th): Низкое пороговое напряжение обеспечивает быстрый включаемый канал
  • RDS(on): Низкое значение указывает на низкий сопротивление канала при рабочем токе
  • QG: Небольшое значение указывает на низкую емкость входа
  • TCASE: Высокая термальная conductance позволяет эффективно отводить тепло

Плюсы:

  • Высокая проводимость: Низкое сопротивление канала обеспечивает эффективную передачу тока
  • Низкое энергопотребление: Небольшая емкость входа и низкое сопротивление канала снижают энергопотребление
  • Быстрый включение/выключение: Низкое пороговое напряжение обеспечивает быструю работу
  • Высокая надежность: Высокий коэффициент прочности и долговечность

Минусы:

  • Высокая стоимость: Сравнительно высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
  • Требуется дополнительное охлаждение: При высоких нагрузках может потребоваться дополнительное охлаждение

Общее назначение:

  • Драйверы: Используются для управления мощными электрическими цепями
  • Приводы двигателей: Управляют током для приводов постоянных токовых двигателей
  • Системы управления: Используются для управления мощными нагрузками в различных системах

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы: Управление электромоторами, регулирование световых фар
  • Промышленное оборудование: Управление двигателями и электродвигателями
  • Энергосистемы: Управление нагрузками в системах энергоснабжения
Выбрано: Показать

Характеристики IPP034NE7N3GXKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    75 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    100A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.4mOhm @ 100A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.8V @ 155µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    117 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    8130 pF @ 37.5 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    214W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO220-3
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IPP034

Техническая документация

 IPP034NE7N3GXKSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STS5N15F3MOSFET N-CH 150V 5A 8SO
    215Кешбэк 32 балла
    STF6N62K3MOSFET N-CH 620V 5.5A TO220FP
    216Кешбэк 32 балла
    STD10P10F6MOSFET P-CH 100V 10A DPAK
    218Кешбэк 32 балла
    STS6P3LLH6MOSFET P-CH 30V 6A 8SO
    218Кешбэк 32 балла
    STB150N3LH6MOSFET N CH 30V 80A D2PAK
    224Кешбэк 33 балла
    STD4NK60ZT4MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
    225Кешбэк 33 балла
    STD18NF03LMOSFET N-CH 30V 17A DPAK
    225Кешбэк 33 балла
    STD8N65M5MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
    227Кешбэк 34 балла
    STD1NK60T4MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
    229Кешбэк 34 балла
    STD7N65M2MOSFET N-CH 650V 5A DPAK
    229Кешбэк 34 балла
    STU6NF10MOSFET N-CH 100V 6A IPAK
    230Кешбэк 34 балла
    STD13N65M2MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
    230Кешбэк 34 балла
    STP55NF06LТранзистор: MOSFET N-CH 60V 55A TO220AB
    231Кешбэк 34 балла
    STP5NK80ZFPТранзистор: MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220FP
    232Кешбэк 34 балла
    STL8P4LLF6MOSFET P-CH 40V POWERFLAT
    235Кешбэк 35 баллов
    STF2LN60K3MOSFET N CH 600V 2A TO-220FP
    237Кешбэк 35 баллов
    STN4NF06LMOSFET N-CH 60V 4A SOT-223
    239Кешбэк 35 баллов
    STD5N20LT4Транзистор: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
    241Кешбэк 36 баллов
    STL56N3LLH5MOSFET N-CH 30V 56A POWERFLAT
    241Кешбэк 36 баллов
    STS10N3LH5MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
    241Кешбэк 36 баллов
    STP9NK65ZMOSFET N-CH 650V 6.4A TO220AB
    241Кешбэк 36 баллов
    STB11NK40ZT4MOSFET N-CH 400V 9A D2PAK
    243Кешбэк 36 баллов
    STF8NM50NMOSFET N-CH 500V 5A TO220FP
    243Кешбэк 36 баллов
    STN1HNK60MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
    244Кешбэк 36 баллов
    STD15NF10T4MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
    244Кешбэк 36 баллов
    STD5NM60T4MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
    245Кешбэк 36 баллов
    STL18NM60NMOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT
    246Кешбэк 36 баллов
    STU3N62K3MOSFET N-CH 620V 2.7A IPAK
    248Кешбэк 37 баллов
    STL12P6F6MOSFET P-CH 60V 4A POWERFLAT
    249Кешбэк 37 баллов
    STS5NF60LMOSFET N-CH 60V 5A 8SO
    250Кешбэк 37 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы специального назначения
    Тиристоры - SCR - модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    IGBT транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Варикапы и Варакторы
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды выпрямительные - Модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды силовые
    Одиночные биполярные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные триодные тиристоры
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Симисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные диоды
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Модули драйверов питания
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторные модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Модули триодных тиристоров
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП