Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IPP052N06L3GXKSA1
  • В избранное
  • В сравнение
IPP052N06L3GXKSA1

IPP052N06L3GXKSA1

IPP052N06L3GXKSA1
;
IPP052N06L3GXKSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    INFINEON TECHNOLOGIES
  • Артикул:
    IPP052N06L3GXKSA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3Все характеристики

Минимальная цена IPP052N06L3GXKSA1 при покупке от 1 шт 389.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPP052N06L3GXKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPP052N06L3GXKSA1

Информация о MOSFET IPP052N06L3GXKSA1 от Infineon Technologies:

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Номинальное напряжение: 60В
  • Номинальный ток: 80А
  • Форм-фактор: TO220-3

Основные параметры:

  • VDS(on): Максимальное напряжение между дреном и собирателем при минимальном токе
  • RDS(on): Сопротивление между дреном и собирателем в режиме провода
  • Питание: Работает на низком напряжении, обеспечивает высокую скорость включения/выключения

Плюсы:

  • Эффективность: Низкое сопротивление в режиме провода (RDS(on)) обеспечивает высокую эффективность
  • Высокая мощность: Подходит для работы с высокими токами
  • Размеры: Компактный форм-фактор TO220-3 позволяет легко интегрировать в дизайн

Минусы:

  • Тепло: При работе с высокими токами может нагреваться, требует эффективного охлаждения
  • Цена: Может быть дороже аналогичных компонентов из-за качества и производительности

Общее назначение:

  • Управление током в электронных цепях
  • Изоляция сигналов
  • Переключение нагрузок в различных приложениях

Применяется в:

  • Автомобильной электронике
  • Питательных системах
  • Системах управления двигателем
  • Инверторах и преобразователях
  • Мощных электронных устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики IPP052N06L3GXKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    80A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5mOhm @ 80A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.2V @ 58µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    50 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    8400 pF @ 30 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    115W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO220-3
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IPP052

Техническая документация

 IPP052N06L3GXKSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 37 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    389 ₽
  • 10
    260 ₽
  • 20
    236 ₽
  • 50
    210 ₽
  • 100
    192 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    INFINEON TECHNOLOGIES
  • Артикул:
    IPP052N06L3GXKSA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3Все характеристики

Минимальная цена IPP052N06L3GXKSA1 при покупке от 1 шт 389.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPP052N06L3GXKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPP052N06L3GXKSA1

Информация о MOSFET IPP052N06L3GXKSA1 от Infineon Technologies:

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Номинальное напряжение: 60В
  • Номинальный ток: 80А
  • Форм-фактор: TO220-3

Основные параметры:

  • VDS(on): Максимальное напряжение между дреном и собирателем при минимальном токе
  • RDS(on): Сопротивление между дреном и собирателем в режиме провода
  • Питание: Работает на низком напряжении, обеспечивает высокую скорость включения/выключения

Плюсы:

  • Эффективность: Низкое сопротивление в режиме провода (RDS(on)) обеспечивает высокую эффективность
  • Высокая мощность: Подходит для работы с высокими токами
  • Размеры: Компактный форм-фактор TO220-3 позволяет легко интегрировать в дизайн

Минусы:

  • Тепло: При работе с высокими токами может нагреваться, требует эффективного охлаждения
  • Цена: Может быть дороже аналогичных компонентов из-за качества и производительности

Общее назначение:

  • Управление током в электронных цепях
  • Изоляция сигналов
  • Переключение нагрузок в различных приложениях

Применяется в:

  • Автомобильной электронике
  • Питательных системах
  • Системах управления двигателем
  • Инверторах и преобразователях
  • Мощных электронных устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики IPP052N06L3GXKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    80A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5mOhm @ 80A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.2V @ 58µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    50 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    8400 pF @ 30 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    115W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO220-3
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IPP052

Техническая документация

 IPP052N06L3GXKSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SIHF10N40D-E3MOSFET N-CH 400V 10A TO220
    272Кешбэк 40 баллов
    IRF9Z24STRRPBFMOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
    335Кешбэк 50 баллов
    IRFZ24STRLPBFMOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
    368Кешбэк 55 баллов
    SI4451DY-T1-E3MOSFET P-CH 12V 10A 8SO
    1 588Кешбэк 238 баллов
    IRFD210PBFMOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
    149Кешбэк 22 балла
    SIHW33N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 33A TO247AD
    982Кешбэк 147 баллов
    SI4408DY-T1-E3MOSFET N-CH 20V 14A 8SO
    663Кешбэк 99 баллов
    IRF740ASTRRPBFMOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
    414Кешбэк 62 балла
    IRFR9120TRPBFMOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
    486Кешбэк 72 балла
    IRLR014MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
    260Кешбэк 39 баллов
    IRFP264PBFТранзистор: MOSFET N-CH 250V 38A TO247-3
    2 009Кешбэк 301 балл
    SI2308BDS-T1-GE3Транзистор: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
    77Кешбэк 11 баллов
    SUD50P04-09L-E3MOSFET P-CH 40V 50A TO252
    442Кешбэк 66 баллов
    STB16N65M5MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
    753Кешбэк 112 баллов
    ZXMN15A27KTCMOSFET N-CH 150V 1.7A TO252-3
    276Кешбэк 41 балл
    IRFD9113-0.6A, -80V, 1.6 OHM, P-CHANNEL
    324Кешбэк 48 баллов
    HUF75329D3SMOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
    162Кешбэк 24 балла
    FDD5670POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
    231Кешбэк 34 балла
    MTM761110LBFMOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6
    84Кешбэк 12 баллов
    MTM761230LBFMOSFET P-CH 20V 3A WSMINI6
    119Кешбэк 17 баллов
    MTM982400BBFMOSFET N-CH 40V 7A SO8-F1-B
    166Кешбэк 24 балла
    FK3306010LMOSFET N-CH 60V 100MA SSSMINI3
    60Кешбэк 9 баллов
    RFP15N05LMOSFET N-CH 50V 15A TO220-3
    249Кешбэк 37 баллов
    TK13E25D,S1X(SMOSFET N-CH 250V 13A TO220-3
    359Кешбэк 53 балла
    RSD220N06TLMOSFET N-CH 60V 22A CPT3
    924Кешбэк 138 баллов
    RAL045P01TCRMOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT6
    79Кешбэк 11 баллов
    RTQ035P02TRMOSFET P-CH 20V 3.5A TSMT6
    90Кешбэк 13 баллов
    RZE002P02TLMOSFET P-CH 20V 200MA EMT3
    27Кешбэк 4 балла
    RSD201N10TLMOSFET N-CH 100V 20A CPT3
    332Кешбэк 49 баллов
    AOD478MOSFET N-CH 100V 2.5A/11A TO252
    119Кешбэк 17 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Модули драйверов питания
    Триодные тиристоры - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - программируемые однопереходные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП