Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IPP60R180C7XKSA1
  • В избранное
  • В сравнение
IPP60R180C7XKSA1

IPP60R180C7XKSA1

IPP60R180C7XKSA1
;
IPP60R180C7XKSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    INFINEON TECHNOLOGIES
  • Артикул:
    IPP60R180C7XKSA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3Все характеристики

Минимальная цена IPP60R180C7XKSA1 при покупке от 1 шт 572.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPP60R180C7XKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPP60R180C7XKSA1

Информация о MOSFET IPP60R180C7XKSA1 от Infineon Technologies:

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Номинальное напряжение: 600В
  • Рейтинг тока: 13А
  • Комплектация: TO220-3

Основные параметры:

  • VGS(th): Максимальное напряжение ввода, при котором MOSFET начинает работать, обычно около 4В
  • RDS(on): Сопротивление канала MOSFET в настрочном режиме, обычно около 55 мО
  • TCASE: Температурный диапазон корпуса, от -55°C до +175°C
  • PD: Максимальная тепловая мощность, около 13 ВА

Плюсы:

  • Высокий коэффициент передачи
  • Низкое сопротивление канала в настрочном режиме
  • Устойчивость к перегреву
  • Малый размер и легкость

Минусы:

  • Необходимо правильное охлаждение для предотвращения перегрева
  • Уязвимость к электрическим шумам без правильного фильтрации

Общее назначение:

  • Контроль тока в электронных устройствах
  • Управление нагрузками в системах управления
  • Переключение высоковольтных цепей

Применяется в:

  • Мощных преобразователях питания
  • Инверторах
  • Драйверах двигателей
  • Автомобильных системах
  • Промышленной электронике
Выбрано: Показать

Характеристики IPP60R180C7XKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    13A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    180mOhm @ 5.3A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 260µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    24 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1080 pF @ 400 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    68W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO220-3-1
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IPP60R180

Техническая документация

 IPP60R180C7XKSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 441 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    572 ₽
  • 3
    517 ₽
  • 5
    502 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    INFINEON TECHNOLOGIES
  • Артикул:
    IPP60R180C7XKSA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3Все характеристики

Минимальная цена IPP60R180C7XKSA1 при покупке от 1 шт 572.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPP60R180C7XKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPP60R180C7XKSA1

Информация о MOSFET IPP60R180C7XKSA1 от Infineon Technologies:

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Номинальное напряжение: 600В
  • Рейтинг тока: 13А
  • Комплектация: TO220-3

Основные параметры:

  • VGS(th): Максимальное напряжение ввода, при котором MOSFET начинает работать, обычно около 4В
  • RDS(on): Сопротивление канала MOSFET в настрочном режиме, обычно около 55 мО
  • TCASE: Температурный диапазон корпуса, от -55°C до +175°C
  • PD: Максимальная тепловая мощность, около 13 ВА

Плюсы:

  • Высокий коэффициент передачи
  • Низкое сопротивление канала в настрочном режиме
  • Устойчивость к перегреву
  • Малый размер и легкость

Минусы:

  • Необходимо правильное охлаждение для предотвращения перегрева
  • Уязвимость к электрическим шумам без правильного фильтрации

Общее назначение:

  • Контроль тока в электронных устройствах
  • Управление нагрузками в системах управления
  • Переключение высоковольтных цепей

Применяется в:

  • Мощных преобразователях питания
  • Инверторах
  • Драйверах двигателей
  • Автомобильных системах
  • Промышленной электронике
Выбрано: Показать

Характеристики IPP60R180C7XKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    13A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    180mOhm @ 5.3A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 260µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    24 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1080 pF @ 400 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    68W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO220-3-1
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IPP60R180

Техническая документация

 IPP60R180C7XKSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IPP037N08N3GXKSA1MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
    558Кешбэк 83 балла
    IPD90N04S304ATMA1MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
    560Кешбэк 84 балла
    IRFS4310ZTRLPBFMOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
    562Кешбэк 84 балла
    IRFP3703PBFMOSFET N-CH 30V 210A TO247AC
    562Кешбэк 84 балла
    IRF6727MTRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
    564Кешбэк 84 балла
    IPB80N06S2L11ATMA2MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
    564Кешбэк 84 балла
    IRL3705ZSTRLPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
    564Кешбэк 84 балла
    AUIRFR4105ZTRLMOSFET N-CH 55V 20A DPAK
    566Кешбэк 84 балла
    BSC030N08NS5ATMA1MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
    568Кешбэк 85 баллов
    IPL65R165CFDAUMA1MOSFET N-CH 650V 21.3A 4VSON
    570Кешбэк 85 баллов
    IPP60R180C7XKSA1MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3
    572Кешбэк 85 баллов
    IRF4104SPBFMOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
    574Кешбэк 86 баллов
    IPL60R180P6AUMA1MOSFET N-CH 600V 22.4A 4VSON
    582Кешбэк 87 баллов
    IRF2204PBFMOSFET N-CH 40V 210A TO220AB
    582Кешбэк 87 баллов
    IRF6623TRPBFMOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
    584Кешбэк 87 баллов
    AUIRFR8401TRLMOSFET N-CH 40V 100A DPAK
    584Кешбэк 87 баллов
    AUIRFR4292TRLMOSFET N-CH 250V 9.3A DPAK
    586Кешбэк 87 баллов
    IPB80N06S2L07ATMA3MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
    586Кешбэк 87 баллов
    IPP60R125P6XKSA1MOSFET N-CH 600V 30A TO220-3
    586Кешбэк 87 баллов
    IPL65R230C7AUMA1MOSFET N-CH 650V 10A 4VSON
    587Кешбэк 88 баллов
    IRL3705NSTRLPBFMOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
    587Кешбэк 88 баллов
    SPA15N60C3XKSA1MOSFET N-CH 650V 15A TO220-FP
    587Кешбэк 88 баллов
    IPA65R225C7XKSA1MOSFET N-CH 650V 7A TO220-FP
    589Кешбэк 88 баллов
    IRF6613TRPBFMOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET
    591Кешбэк 88 баллов
    IRLH5030TRPBFMOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN
    591Кешбэк 88 баллов
    IRFB4310ZPBFMOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
    593Кешбэк 88 баллов
    IRF3415STRLPBFMOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
    595Кешбэк 89 баллов
    IRFI4110GPBFMOSFET N-CH 100V 72A TO220AB FP
    595Кешбэк 89 баллов
    IPA60R280E6600V 0.28OHM N-CHANNEL MOSFET
    595Кешбэк 89 баллов
    IPL65R130C7AUMA1MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON
    595Кешбэк 89 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Модули триодных тиристоров
    Диодные мосты
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Транзисторные модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - TRIACs
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Одиночные триодные тиристоры
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Одиночные биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды силовые
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП