Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IPP60R180C7XKSA1
  • В избранное
  • В сравнение
IPP60R180C7XKSA1

IPP60R180C7XKSA1

IPP60R180C7XKSA1
;
IPP60R180C7XKSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    INFINEON TECHNOLOGIES
  • Артикул:
    IPP60R180C7XKSA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3Все характеристики

Минимальная цена IPP60R180C7XKSA1 при покупке от 1 шт 572.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPP60R180C7XKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPP60R180C7XKSA1

Информация о MOSFET IPP60R180C7XKSA1 от Infineon Technologies:

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Номинальное напряжение: 600В
  • Рейтинг тока: 13А
  • Комплектация: TO220-3

Основные параметры:

  • VGS(th): Максимальное напряжение ввода, при котором MOSFET начинает работать, обычно около 4В
  • RDS(on): Сопротивление канала MOSFET в настрочном режиме, обычно около 55 мО
  • TCASE: Температурный диапазон корпуса, от -55°C до +175°C
  • PD: Максимальная тепловая мощность, около 13 ВА

Плюсы:

  • Высокий коэффициент передачи
  • Низкое сопротивление канала в настрочном режиме
  • Устойчивость к перегреву
  • Малый размер и легкость

Минусы:

  • Необходимо правильное охлаждение для предотвращения перегрева
  • Уязвимость к электрическим шумам без правильного фильтрации

Общее назначение:

  • Контроль тока в электронных устройствах
  • Управление нагрузками в системах управления
  • Переключение высоковольтных цепей

Применяется в:

  • Мощных преобразователях питания
  • Инверторах
  • Драйверах двигателей
  • Автомобильных системах
  • Промышленной электронике
Выбрано: Показать

Характеристики IPP60R180C7XKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    13A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    180mOhm @ 5.3A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 260µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    24 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1080 pF @ 400 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    68W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO220-3-1
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IPP60R180

Техническая документация

 IPP60R180C7XKSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 441 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    572 ₽
  • 3
    517 ₽
  • 5
    502 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    INFINEON TECHNOLOGIES
  • Артикул:
    IPP60R180C7XKSA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3Все характеристики

Минимальная цена IPP60R180C7XKSA1 при покупке от 1 шт 572.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPP60R180C7XKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPP60R180C7XKSA1

Информация о MOSFET IPP60R180C7XKSA1 от Infineon Technologies:

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Номинальное напряжение: 600В
  • Рейтинг тока: 13А
  • Комплектация: TO220-3

Основные параметры:

  • VGS(th): Максимальное напряжение ввода, при котором MOSFET начинает работать, обычно около 4В
  • RDS(on): Сопротивление канала MOSFET в настрочном режиме, обычно около 55 мО
  • TCASE: Температурный диапазон корпуса, от -55°C до +175°C
  • PD: Максимальная тепловая мощность, около 13 ВА

Плюсы:

  • Высокий коэффициент передачи
  • Низкое сопротивление канала в настрочном режиме
  • Устойчивость к перегреву
  • Малый размер и легкость

Минусы:

  • Необходимо правильное охлаждение для предотвращения перегрева
  • Уязвимость к электрическим шумам без правильного фильтрации

Общее назначение:

  • Контроль тока в электронных устройствах
  • Управление нагрузками в системах управления
  • Переключение высоковольтных цепей

Применяется в:

  • Мощных преобразователях питания
  • Инверторах
  • Драйверах двигателей
  • Автомобильных системах
  • Промышленной электронике
Выбрано: Показать

Характеристики IPP60R180C7XKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    13A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    180mOhm @ 5.3A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 260µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    24 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1080 pF @ 400 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    68W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO220-3-1
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IPP60R180

Техническая документация

 IPP60R180C7XKSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FQD1N80TMMOSFET N-CH 800V 1A DPAK
    253Кешбэк 37 баллов
    FDS9431AP-CHANNEL 2.5V SPECIFIED MOSFET
    254Кешбэк 38 баллов
    FCPF400N80ZL1MOSFET N-CH 800V 11A TO220F
    255Кешбэк 38 баллов
    FCP190N60MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
    255Кешбэк 38 баллов
    FQU20N06LTUMOSFET N-CH 60V 17.2A IPAK
    257Кешбэк 38 баллов
    FQP16N25MOSFET N-CH 250V 16A TO220-3
    257Кешбэк 38 баллов
    NTTFS5116PLTAGMOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
    259Кешбэк 38 баллов
    FDN86246MOSFET N-CH 150V 1.6A SUPERSOT3
    259Кешбэк 38 баллов
    ECH8308-TL-HMOSFET P-CH 12V 10A 8ECH
    259Кешбэк 38 баллов
    FDMS8820MOSFET N-CH 30V 28A/116A 8PQFN
    261Кешбэк 39 баллов
    FDB13AN06A0MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK
    261Кешбэк 39 баллов
    NTD4302T4GMOSFET N-CH 30V 8.4A/68A DPAK
    261Кешбэк 39 баллов
    FQD16N25CTMMOSFET N-CH 250V 16A DPAK
    263Кешбэк 39 баллов
    ECH8420-TL-HMOSFET N-CH 20V 14A 8ECH
    263Кешбэк 39 баллов
    FQP17P06MOSFET P-CH 60V 17A TO220-3
    263Кешбэк 39 баллов
    NTB6413ANT4GMOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
    263Кешбэк 39 баллов
    FDPF8N60ZUTMOSFET N-CH 600V 6.5A TO220F
    265Кешбэк 39 баллов
    ECH8310-TL-HMOSFET P-CH 30V 9A 8ECH
    266Кешбэк 39 баллов
    FDS3590MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC
    266Кешбэк 39 баллов
    NVGS5120PT1GMOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
    268Кешбэк 40 баллов
    NVTFS4C13NWFTWGMOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
    268Кешбэк 40 баллов
    NTMFS4854NST3GMOSFET N-CH 25V 15.2A/149A SO8FL
    268Кешбэк 40 баллов
    FCD620N60ZFMOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
    268Кешбэк 40 баллов
    FDMS8025SMOSFET N-CH 30V 24A/49A 8PQFN
    270Кешбэк 40 баллов
    NDT3055Транзистор: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
    270Кешбэк 40 баллов
    FDS6673BZMOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
    272Кешбэк 40 баллов
    NTMFS4937NT1GMOSFET N-CH 30V 10.2A/70A 5DFN
    274Кешбэк 41 балл
    FDME510PZTMOSFET P-CH 20V 6A MICROFET
    274Кешбэк 41 балл
    NTMS5P02R2GMOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC
    274Кешбэк 41 балл
    NDT014LMOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4
    276Кешбэк 41 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы специального назначения
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Одиночные IGBT транзисторы
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    IGBT транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диодные мосты
    Симисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Одиночные триодные тиристоры
    Тиристоры - TRIACs
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторные модули
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Модули триодных тиристоров
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды силовые
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП