Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IPS50R520CP
  • В избранное
  • В сравнение
IPS50R520CP

IPS50R520CP

IPS50R520CP
;
IPS50R520CP

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPS50R520CP
  • Описание:
    MOSFET N-CH 550V 7.1A TO251-3Все характеристики

Минимальная цена IPS50R520CP при покупке от 1 шт 58951.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPS50R520CP с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPS50R520CP

IPS50R520CP Infineon Technologies MOSFET N-CH 550V 7.1A TO251-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 550 В
    • Номинальный ток (ID(on)): 7.1 А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO251-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность благодаря использованию технологии Infineon
    • Малый ток дrain-to-source при отключенном мосте (low RDS(on))
    • Эффективная работа при высоких температурах
    • Компактный размер пакета TO251-3 для экономии места на печатной плате
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с аналогичными MOSFETами других производителей
    • Требует внимания к проектированию системы охлаждения из-за потенциальной генерации тепла
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электропитании различных устройств
    • Переключение нагрузок в системах управления
    • Ограничение тока в электрических цепях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания и управления
    • Инверторы и преобразователи
    • Устройства бытовой техники с электронным управлением
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики IPS50R520CP

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    550 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    7.1A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    520mOhm @ 3.8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    17 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    680 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    66W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO251-3-11
  • Корпус
    TO-251-3 Stub Leads, IPak
  • Base Product Number
    IPS50R

Техническая документация

 IPS50R520CP.pdf
pdf. 0 kb
  • 1 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    58 951 ₽
  • 1500
    152 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPS50R520CP
  • Описание:
    MOSFET N-CH 550V 7.1A TO251-3Все характеристики

Минимальная цена IPS50R520CP при покупке от 1 шт 58951.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPS50R520CP с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPS50R520CP

IPS50R520CP Infineon Technologies MOSFET N-CH 550V 7.1A TO251-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 550 В
    • Номинальный ток (ID(on)): 7.1 А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO251-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность благодаря использованию технологии Infineon
    • Малый ток дrain-to-source при отключенном мосте (low RDS(on))
    • Эффективная работа при высоких температурах
    • Компактный размер пакета TO251-3 для экономии места на печатной плате
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с аналогичными MOSFETами других производителей
    • Требует внимания к проектированию системы охлаждения из-за потенциальной генерации тепла
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электропитании различных устройств
    • Переключение нагрузок в системах управления
    • Ограничение тока в электрических цепях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания и управления
    • Инверторы и преобразователи
    • Устройства бытовой техники с электронным управлением
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики IPS50R520CP

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    550 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    7.1A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    520mOhm @ 3.8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    17 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    680 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    66W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO251-3-11
  • Корпус
    TO-251-3 Stub Leads, IPak
  • Base Product Number
    IPS50R

Техническая документация

 IPS50R520CP.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FDP18N50MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
    641Кешбэк 96 баллов
    FDA24N50FMOSFET N-CH 500V 24A TO3PN
    684Кешбэк 102 балла
    FDP038AN06A0MOSFET N-CH 60V 17A/80A TO220-3
    709Кешбэк 106 баллов
    HUF75344P3Транзистор: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
    713Кешбэк 106 баллов
    FCPF400N80ZMOSFET N-CH 800V 11A TO220F
    723Кешбэк 108 баллов
    FQB47P06TM_AM002MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK
    735Кешбэк 110 баллов
    FDB5800MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK
    739Кешбэк 110 баллов
    FCP11N60MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
    743Кешбэк 111 баллов
    FDP075N15A_F102MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3
    751Кешбэк 112 баллов
    FDA69N25Транзистор: MOSFET N-CH 250V 69A TO3PN
    751Кешбэк 112 баллов
    FQPF47P06MOSFET P-CH 60V 30A TO220F
    772Кешбэк 115 баллов
    FDPF18N50TMOSFET N-CH 500V 18A TO220F
    774Кешбэк 116 баллов
    FDP39N20MOSFET N-CH 200V 39A TO220-3
    778Кешбэк 116 баллов
    FDPF20N50FTMOSFET N-CH 500V 20A TO220F
    794Кешбэк 119 баллов
    FDP047AN08A0MOSFET N-CH 75V 15A TO220-3
    808Кешбэк 121 балл
    FDB2532Транзистор: MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK
    819Кешбэк 122 балла
    FDP2532MOSFET N-CH 150V 8A/79A TO220-3
    819Кешбэк 122 балла
    FDP22N50NMOSFET N-CH 500V 22A TO220-3
    874Кешбэк 131 балл
    FDB2710MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK
    880Кешбэк 132 балла
    HUF75344G3MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
    884Кешбэк 132 балла
    FQP9N90CMOSFET N-CH 900V 8A TO220-3
    920Кешбэк 138 баллов
    FQA36P15MOSFET P-CH 150V 36A TO3PN
    922Кешбэк 138 баллов
    FCP20N60MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3
    937Кешбэк 140 баллов
    FDA59N30Транзистор: MOSFET N-CH 300V 59A TO3PN
    957Кешбэк 143 балла
    FDB035AN06A0MOSFET N-CH 60V 22A/80A D2PAK
    1 008Кешбэк 151 балл
    FQB34N20LTMMOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
    1 054Кешбэк 158 баллов
    FCPF20N60MOSFET N-CH 600V 20A TO220F
    1 098Кешбэк 164 балла
    FCB20N60FTMMOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
    1 102Кешбэк 165 баллов
    FQA24N60Транзистор: MOSFET N-CH 600V 23.5A TO3PN
    1 191Кешбэк 178 баллов
    FDH055N15AMOSFET N-CH 150V 158A TO247-3
    1 214Кешбэк 182 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    IGBT транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Одиночные триодные тиристоры
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Модули драйверов питания
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Варикапы и Варакторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные диоды
    Одиночные IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Симисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторные модули
    Диоды силовые
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП