Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
IPSA70R2K0P7SAKMA1
  • В избранное
  • В сравнение
IPSA70R2K0P7SAKMA1

IPSA70R2K0P7SAKMA1

IPSA70R2K0P7SAKMA1
;
IPSA70R2K0P7SAKMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPSA70R2K0P7SAKMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 700V 3A TO251-3Все характеристики

Минимальная цена IPSA70R2K0P7SAKMA1 при покупке от 1 шт 137.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPSA70R2K0P7SAKMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPSA70R2K0P7SAKMA1

IPSA70R2K0P7SAKMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 700V 3A TO251-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжениеGBT (VGS(TH)) - 7 V
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера (VCEO) - 700 В
    • Номинальный ток прямого тока (ID) - 3 А
    • Тип MOSFET - N-канальный
    • Пакет - TO251-3
  • Плюсы:
    • Высокое значение напряжения коллектора-эмиттера (700 В)
    • Высокая плотность мощности благодаря компактному пакету TO251-3
    • Низкое сопротивление в ON-состоянии (RDS(on))
    • Устойчивость к статическому электричеству (ESD)
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение для обеспечения надежной работы при высоких токах
    • Возможны проблемы с утечкой тока при низких значениях напряжения GST
  • Общее назначение:
    • Используется в различных приложениях, где требуется управление током при высоких напряжениях
    • Подходит для применения в системах управления двигателей, источниках питания, преобразователях энергии
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах питания
    • Преобразователях энергии для бытовой техники
    • Системах управления двигателей
    • Источниках питания для компьютеров и серверов
Выбрано: Показать

Характеристики IPSA70R2K0P7SAKMA1

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    700 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2Ohm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.5V @ 30µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    3.8 nC @ 400 V
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    130 pF @ 400 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    17.6W (Tc)
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO251-3-347
  • Корпус
    TO-251-3 Stub Leads, IPak
  • Base Product Number
    IPSA70

Техническая документация

 IPSA70R2K0P7SAKMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 205 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    137 ₽
  • 100
    59 ₽
  • 1000
    39 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPSA70R2K0P7SAKMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 700V 3A TO251-3Все характеристики

Минимальная цена IPSA70R2K0P7SAKMA1 при покупке от 1 шт 137.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPSA70R2K0P7SAKMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPSA70R2K0P7SAKMA1

IPSA70R2K0P7SAKMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 700V 3A TO251-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжениеGBT (VGS(TH)) - 7 V
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера (VCEO) - 700 В
    • Номинальный ток прямого тока (ID) - 3 А
    • Тип MOSFET - N-канальный
    • Пакет - TO251-3
  • Плюсы:
    • Высокое значение напряжения коллектора-эмиттера (700 В)
    • Высокая плотность мощности благодаря компактному пакету TO251-3
    • Низкое сопротивление в ON-состоянии (RDS(on))
    • Устойчивость к статическому электричеству (ESD)
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение для обеспечения надежной работы при высоких токах
    • Возможны проблемы с утечкой тока при низких значениях напряжения GST
  • Общее назначение:
    • Используется в различных приложениях, где требуется управление током при высоких напряжениях
    • Подходит для применения в системах управления двигателей, источниках питания, преобразователях энергии
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах питания
    • Преобразователях энергии для бытовой техники
    • Системах управления двигателей
    • Источниках питания для компьютеров и серверов
Выбрано: Показать

Характеристики IPSA70R2K0P7SAKMA1

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    700 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2Ohm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.5V @ 30µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    3.8 nC @ 400 V
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    130 pF @ 400 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    17.6W (Tc)
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO251-3-347
  • Корпус
    TO-251-3 Stub Leads, IPak
  • Base Product Number
    IPSA70

Техническая документация

 IPSA70R2K0P7SAKMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SCTW100N65G2AGSICFET N-CH 650V 100A HIP247
    5 413Кешбэк 811 баллов
    SCTW70N120G2VTRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247
    5 424Кешбэк 813 баллов
    SCTWA50N120SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
    5 443Кешбэк 816 баллов
    SCTL90N65G2VSILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
    5 570Кешбэк 835 баллов
    SCTH100N65G2-7AGSICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7
    5 574Кешбэк 836 баллов
    MSC090SMA070BSICFET N-CH 700V TO247-3
    839Кешбэк 125 баллов
    APT4F120SMOSFET N-CH 1200V 4A D3PAK
    859Кешбэк 128 баллов
    APT9M100SMOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK
    1 042Кешбэк 156 баллов
    MSC060SMA070BSICFET N-CH 700V 39A TO247-3
    1 074Кешбэк 161 балл
    MSC750SMA170B4TRANS SJT 1700V TO247-4
    1 080Кешбэк 162 балла
    MSC060SMA070SSICFET N-CH 700V 37A D3PAK
    1 165Кешбэк 174 балла
    MSC360SMA120BMOSFET SIC 1200 V 360 MOHM TO-24
    1 209Кешбэк 181 балл
    APT7F120SMOSFET N-CH 1200V 7A D3PAK
    1 230Кешбэк 184 балла
    MSC060SMA070B4TRANS SJT N-CH 700V 39A TO247-4
    1 261Кешбэк 189 баллов
    MSC035SMA070SMOSFET N-CH 700V D3PAK
    1 712Кешбэк 256 баллов
    MSC080SMA120B4SICFET N-CH 1200V 37A TO247-4
    1 779Кешбэк 266 баллов
    MSC035SMA070B4TRANS SJT N-CH 700V 77A TO247-4
    2 199Кешбэк 329 баллов
    APT10M19BVRGMOSFET N-CH 100V 75A TO247
    2 343Кешбэк 351 балл
    APT5017BVRGMOSFET N-CH 500V 30A TO247
    2 374Кешбэк 356 баллов
    APT6030BVRGMOSFET N-CH 600V 21A TO247
    2 411Кешбэк 361 балл
    APT5017BVFRGMOSFET N-CH 500V 30A TO247
    2 513Кешбэк 376 баллов
    APT6029BLLGMOSFET N-CH 600V 21A TO247
    2 517Кешбэк 377 баллов
    APT10M19SVRGMOSFET N-CH 100V 75A D3PAK
    2 545Кешбэк 381 балл
    APT5015BVFRGMOSFET N-CH 500V 32A TO247
    2 572Кешбэк 385 баллов
    APT8052BLLGMOSFET N-CH 800V 15A TO247
    2 871Кешбэк 430 баллов
    APT6025BVRGMOSFET N-CH 600V 25A TO247
    2 959Кешбэк 443 балла
    APT8056BVRGMOSFET N-CH 800V 16A TO247
    2 984Кешбэк 447 баллов
    MSC015SMA070BSICFET N-CH 700V 131A TO247-3
    3 443Кешбэк 516 баллов
    APT5010LVRGMOSFET N-CH 500V 47A TO264
    3 550Кешбэк 532 балла
    MSC015SMA070SSICFET N-CH 700V 126A D3PAK
    3 616Кешбэк 542 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Сборки биполярных транзисторов
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    IGBT транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторные модули
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Модули триодных тиристоров
    Диоды силовые
    Модули драйверов питания
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы специального назначения
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Модули
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Симисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Одиночные IGBT транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Тиристоры - SCR - модули
    Одиночные биполярные транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП