Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
IPSA70R2K0P7SAKMA1
  • В избранное
  • В сравнение
IPSA70R2K0P7SAKMA1

IPSA70R2K0P7SAKMA1

IPSA70R2K0P7SAKMA1
;
IPSA70R2K0P7SAKMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPSA70R2K0P7SAKMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 700V 3A TO251-3Все характеристики

Минимальная цена IPSA70R2K0P7SAKMA1 при покупке от 1 шт 70.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPSA70R2K0P7SAKMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPSA70R2K0P7SAKMA1

IPSA70R2K0P7SAKMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 700V 3A TO251-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжениеGBT (VGS(TH)) - 7 V
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера (VCEO) - 700 В
    • Номинальный ток прямого тока (ID) - 3 А
    • Тип MOSFET - N-канальный
    • Пакет - TO251-3
  • Плюсы:
    • Высокое значение напряжения коллектора-эмиттера (700 В)
    • Высокая плотность мощности благодаря компактному пакету TO251-3
    • Низкое сопротивление в ON-состоянии (RDS(on))
    • Устойчивость к статическому электричеству (ESD)
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение для обеспечения надежной работы при высоких токах
    • Возможны проблемы с утечкой тока при низких значениях напряжения GST
  • Общее назначение:
    • Используется в различных приложениях, где требуется управление током при высоких напряжениях
    • Подходит для применения в системах управления двигателей, источниках питания, преобразователях энергии
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах питания
    • Преобразователях энергии для бытовой техники
    • Системах управления двигателей
    • Источниках питания для компьютеров и серверов
Выбрано: Показать

Характеристики IPSA70R2K0P7SAKMA1

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    700 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2Ohm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.5V @ 30µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    3.8 nC @ 400 V
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    130 pF @ 400 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    17.6W (Tc)
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO251-3-347
  • Корпус
    TO-251-3 Stub Leads, IPak
  • Base Product Number
    IPSA70

Техническая документация

 IPSA70R2K0P7SAKMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 205 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    70 ₽
  • 100
    47 ₽
  • 1000
    38 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPSA70R2K0P7SAKMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 700V 3A TO251-3Все характеристики

Минимальная цена IPSA70R2K0P7SAKMA1 при покупке от 1 шт 70.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPSA70R2K0P7SAKMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPSA70R2K0P7SAKMA1

IPSA70R2K0P7SAKMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 700V 3A TO251-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжениеGBT (VGS(TH)) - 7 V
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера (VCEO) - 700 В
    • Номинальный ток прямого тока (ID) - 3 А
    • Тип MOSFET - N-канальный
    • Пакет - TO251-3
  • Плюсы:
    • Высокое значение напряжения коллектора-эмиттера (700 В)
    • Высокая плотность мощности благодаря компактному пакету TO251-3
    • Низкое сопротивление в ON-состоянии (RDS(on))
    • Устойчивость к статическому электричеству (ESD)
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение для обеспечения надежной работы при высоких токах
    • Возможны проблемы с утечкой тока при низких значениях напряжения GST
  • Общее назначение:
    • Используется в различных приложениях, где требуется управление током при высоких напряжениях
    • Подходит для применения в системах управления двигателей, источниках питания, преобразователях энергии
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах питания
    • Преобразователях энергии для бытовой техники
    • Системах управления двигателей
    • Источниках питания для компьютеров и серверов
Выбрано: Показать

Характеристики IPSA70R2K0P7SAKMA1

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    700 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2Ohm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.5V @ 30µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    3.8 nC @ 400 V
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    130 pF @ 400 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    17.6W (Tc)
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO251-3-347
  • Корпус
    TO-251-3 Stub Leads, IPak
  • Base Product Number
    IPSA70

Техническая документация

 IPSA70R2K0P7SAKMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    YJL3401AP-CH MOSFET 30V 4.4A SOT-23-3L
    9.7Кешбэк 1 балл
    SIDR610DP-T1-GE3MOSFET N-CH 200V 8.9A/39.6A PPAK
    824Кешбэк 123 балла
    AONR66922MOSFET N-CH 100V 15A/50A 8DFN
    367Кешбэк 55 баллов
    BS170-D75ZMOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
    49Кешбэк 7 баллов
    BSZ0589NSATMA1MOSFET N-CH 30V 17A TSDSON
    196Кешбэк 29 баллов
    FDBL86566-F085MOSFET N-CH 60V 240A 8HPSOF
    467Кешбэк 70 баллов
    IRFL210TRPBF-BE3Транзистор: MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
    230Кешбэк 34 балла
    DMP2110UW-7MOSFET P-CH 20V 2A SOT323
    70Кешбэк 10 баллов
    SIDR392DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 82A/100A PPAK
    582Кешбэк 87 баллов
    SISH112DN-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK
    376Кешбэк 56 баллов
    2SK1274-T-AZSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    141Кешбэк 21 балл
    SQ1464EEH-T1_GE3MOSFET N-CH 60V 440MA SC70-6
    91Кешбэк 13 баллов
    MTSF3N03HDR2SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    59Кешбэк 8 баллов
    IAUA250N04S6N005AUMA1OPTIMOS POWER MOSFET
    580Кешбэк 87 баллов
    NTD360N65S3HPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    493Кешбэк 73 балла
    SIHJ6N65E-T1-GE3MOSFET N-CH 650V 5.6A PPAK SO-8
    545Кешбэк 81 балл
    SQS486CENW-T1_GE3AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
    185Кешбэк 27 баллов
    IPD50P04P413ATMA2MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
    300Кешбэк 45 баллов
    RQ6E045TNTRMOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
    130Кешбэк 19 баллов
    ISC036N04NM5ATMA140V 3.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
    252Кешбэк 37 баллов
    IPB60R280P7ATMA1MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
    434Кешбэк 65 баллов
    SSM6K810R,LFSMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=10
    133Кешбэк 19 баллов
    SUD19P06-60-BE3MOSFET P-CH 60V 18.3A DPAK
    319Кешбэк 47 баллов
    FDMS3D5N08LCMOSFET N-CH 80V 19A/136A 8PQFN
    661Кешбэк 99 баллов
    SISS61DN-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK
    241Кешбэк 36 баллов
    IRFPC423.9A, 1000V, 4.2 OHM, N-CHANNEL
    296Кешбэк 44 балла
    SSM3J371R,LXHFSMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
    87Кешбэк 13 баллов
    SQJ488EP-T1_BE3MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
    427Кешбэк 64 балла
    SQJ488EP-T1_GE3MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
    426Кешбэк 63 балла
    PJS6417_S1_0000120V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    126Кешбэк 18 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диодные мосты
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Варикапы и Варакторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Симисторы - Модули
    IGBT транзисторы
    Симисторы
    Диоды силовые
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные диоды
    Диодные мосты - Модули
    Принадлежности
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - JFET
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - Специального назначения
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП