Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IPT007N06NATMA1
IPT007N06NATMA1

IPT007N06NATMA1

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPT007N06NATMA1
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOFВсе характеристики

Минимальная цена IPT007N06NATMA1 при покупке от 1 шт 1067.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPT007N06NATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IPT007N06NATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
    Package Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
    Package Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
    Package Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
    Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
    Технология MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
    Напряжение сток-исток ( (Vdss) 60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    300A (Tc)
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 300A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    0.75mOhm @ 150A, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.75mOhm @ 150A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.3V @ 280µA
    Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 3.3V @ 280µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    287 nC @ 10 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 287 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
    Vgs (Max) ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    16000 pF @ 30 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 16000 pF @ 30 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    375W (Tc)
    Рассеивание мощности (Макс) 375W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
    Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
    Вид монтажа Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-HSOF-8-1
    Исполнение корпуса PG-HSOF-8-1
  • Корпус
    8-PowerSFN
    Корпус 8-PowerSFN
  • Base Product Number
    IPT007
    Base Product Number IPT007
Техническая документация
 IPT007N06NATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 11832 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 067 ₽
  • 10
    818 ₽
  • 100
    648 ₽
  • 2000
    530 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPT007N06NATMA1
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOFВсе характеристики

Минимальная цена IPT007N06NATMA1 при покупке от 1 шт 1067.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPT007N06NATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IPT007N06NATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
    Package Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
    Package Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
    Package Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
    Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
    Технология MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
    Напряжение сток-исток ( (Vdss) 60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    300A (Tc)
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 300A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    0.75mOhm @ 150A, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.75mOhm @ 150A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.3V @ 280µA
    Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 3.3V @ 280µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    287 nC @ 10 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 287 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
    Vgs (Max) ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    16000 pF @ 30 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 16000 pF @ 30 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    375W (Tc)
    Рассеивание мощности (Макс) 375W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
    Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
    Вид монтажа Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-HSOF-8-1
    Исполнение корпуса PG-HSOF-8-1
  • Корпус
    8-PowerSFN
    Корпус 8-PowerSFN
  • Base Product Number
    IPT007
    Base Product Number IPT007
Техническая документация
 IPT007N06NATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RS1G150MNTBТранзистор: MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP
    IPB60R280P6ATMA1MOSFET N-CH 600V 13.8A D2PAK
    BSP92PL6327HTSA1MOSFET P-CH 250V 260MA SOT223-4
    BUK9608-55B,118MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
    SI2323CDS-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
    DMP6023LSS-13MOSFET P-CH 60V 6.6A 8SO
    FQAF13N80MOSFET N-CH 800V 8A TO3PF
    IRLR3105TRPBFMOSFET N-CH 55V 25A DPAK
    FQAF90N08MOSFET N-CH 80V 56A TO3PF
    IPA50R380CEXKSA2MOSFET N-CH 500V 6.3A TO220
    TP2502N8-GMOSFET P-CH 20V 630MA TO243AA
    NVTFS4C06NTAGMOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
    FDG330PMOSFET P-CH 12V 2A SC88
    IPI50R199CPXKSA1MOSFET N-CH 500V 17A TO262-3
    BUK624R5-30C,118PFET, 90A I(D), 30V, 0.0075OHM,
    PSMN2R5-30YL,115MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
    FDH038AN08A1MOSFET N-CH 75V 22A/80A TO247-3
    PHK04P02T,518TRANSISTORS>100MHZ
    FDU8796MOSFET N-CH 25V 35A IPAK
    FDMS7656ASMOSFET N-CH 30V 31A/49A 8PQFN

Мы рекомендуем

Все товары
Мы рекомендуем
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Драйверы питания - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Принадлежности
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - Специального назначения
    Полевые транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды силовые
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - TRIACs
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диодные мосты
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП