Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IPT020N10N3ATMA1

IPT020N10N3ATMA1

IPT020N10N3ATMA1
;
IPT020N10N3ATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена IPT020N10N3ATMA1 при покупке от 1 шт 919.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPT020N10N3ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPT020N10N3ATMA1

IPT020N10N3ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100В 300А 8HSOF — это мощный полупроводниковый транзистор на основе MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства Infineon Technologies. Вот основные параметры и характеристики:

  • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера (VCEO): 100В
  • Номинальная токовая способность (ID(on)): 300А
  • Количество пакетов (Package): 8HSOF

Плюсы:

  • Высокая проводимость в режиме насыщения (ID(on))
  • Малое сопротивление при открытом цепи (RDS(on))
  • Высокая надежность и долговечность
  • Устойчивость к перегреву

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
  • Требуют соблюдения правил охлаждения для предотвращения перегрева

Общее назначение:

  • Используется в различных приложениях, требующих высокой проводимости и надежности
  • Применяется в промышленных и бытовых электронных устройствах
  • Используется в системах управления двигателей, преобразователях мощности, источниках питания и других приборах
Выбрано: Показать

Характеристики IPT020N10N3ATMA1

Техническая документация

IPT020N10N3ATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 1705 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    919 ₽
  • 10
    630 ₽
  • 25
    615 ₽
  • 100
    450 ₽
  • 500
    428 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена IPT020N10N3ATMA1 при покупке от 1 шт 919.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPT020N10N3ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPT020N10N3ATMA1

IPT020N10N3ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100В 300А 8HSOF — это мощный полупроводниковый транзистор на основе MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства Infineon Technologies. Вот основные параметры и характеристики:

  • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера (VCEO): 100В
  • Номинальная токовая способность (ID(on)): 300А
  • Количество пакетов (Package): 8HSOF

Плюсы:

  • Высокая проводимость в режиме насыщения (ID(on))
  • Малое сопротивление при открытом цепи (RDS(on))
  • Высокая надежность и долговечность
  • Устойчивость к перегреву

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
  • Требуют соблюдения правил охлаждения для предотвращения перегрева

Общее назначение:

  • Используется в различных приложениях, требующих высокой проводимости и надежности
  • Применяется в промышленных и бытовых электронных устройствах
  • Используется в системах управления двигателей, преобразователях мощности, источниках питания и других приборах
Выбрано: Показать

Характеристики IPT020N10N3ATMA1

Техническая документация

IPT020N10N3ATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории