Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
IPT60R022S7XTMA1
  • В избранное
  • В сравнение
IPT60R022S7XTMA1

IPT60R022S7XTMA1

IPT60R022S7XTMA1
;
IPT60R022S7XTMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPT60R022S7XTMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOFВсе характеристики

Минимальная цена IPT60R022S7XTMA1 при покупке от 1 шт 1962.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPT60R022S7XTMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPT60R022S7XTMA1

IPT60R022S7XTMA1 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства Infineon Technologies. Это ненасыщенный транзистор с низким напряжением включенного состояния, который используется в различных электронных устройствах.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 600В
    • Размер токов: 23А
    • Формат корпуса: 8HSOF (8-разъемный SOF)

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность благодаря качественному производству.
  • Малый напряжением включенного состояния, что снижает энергопотери.
  • Компактный размер корпуса, что позволяет экономить место на печатной плате.

Минусы:

  • Требует дополнительного охлаждения при работе с высокими токами.
  • Могут быть проблемы с устойчивостью к шумам в некоторых применениях.

Общее назначение: Используется для управления токами в различных приложениях, таких как:

  • Блоки питания
  • Инверторы
  • Автомобильные системы
  • Промышленное оборудование

Этот транзистор применяется там, где требуется эффективное управление токами с небольшими размерами и высокой надежностью.

Выбрано: Показать

Характеристики IPT60R022S7XTMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    23A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    12V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    22mOhm @ 23A, 12V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 1.44mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    150 nC @ 12 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    5639 pF @ 300 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    390W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-HSOF-8-2
  • Корпус
    8-PowerSFN
  • Base Product Number
    IPT60R022

Техническая документация

 IPT60R022S7XTMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 2613 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 962 ₽
  • 10
    1 363 ₽
  • 100
    1 164 ₽
  • 2000
    1 005 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPT60R022S7XTMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOFВсе характеристики

Минимальная цена IPT60R022S7XTMA1 при покупке от 1 шт 1962.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPT60R022S7XTMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPT60R022S7XTMA1

IPT60R022S7XTMA1 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства Infineon Technologies. Это ненасыщенный транзистор с низким напряжением включенного состояния, который используется в различных электронных устройствах.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 600В
    • Размер токов: 23А
    • Формат корпуса: 8HSOF (8-разъемный SOF)

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность благодаря качественному производству.
  • Малый напряжением включенного состояния, что снижает энергопотери.
  • Компактный размер корпуса, что позволяет экономить место на печатной плате.

Минусы:

  • Требует дополнительного охлаждения при работе с высокими токами.
  • Могут быть проблемы с устойчивостью к шумам в некоторых применениях.

Общее назначение: Используется для управления токами в различных приложениях, таких как:

  • Блоки питания
  • Инверторы
  • Автомобильные системы
  • Промышленное оборудование

Этот транзистор применяется там, где требуется эффективное управление токами с небольшими размерами и высокой надежностью.

Выбрано: Показать

Характеристики IPT60R022S7XTMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    23A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    12V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    22mOhm @ 23A, 12V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 1.44mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    150 nC @ 12 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    5639 pF @ 300 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    390W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-HSOF-8-2
  • Корпус
    8-PowerSFN
  • Base Product Number
    IPT60R022

Техническая документация

 IPT60R022S7XTMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DMP2305UQ-7MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
    100Кешбэк 15 баллов
    DMP1055USW-7MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363
    102Кешбэк 15 баллов
    DMN2029UVT-7MOSFET N-CH 6.8A TSOT26
    104Кешбэк 15 баллов
    DMPH6250S-7MOSFET P-CH 60V 2.4A SOT23
    106Кешбэк 15 баллов
    DMP2040UVT-7MOSFET P-CH 20V TSOT26
    106Кешбэк 15 баллов
    DMPH6250S-13MOSFET P-CH 60V 2.4A SOT23
    106Кешбэк 15 баллов
    DMP2067LVT-7MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT26
    108Кешбэк 16 баллов
    DMN3028LQ-7MOSFET BVDSS: 25V~30V,SOT23,T&R,
    110Кешбэк 16 баллов
    DMG3402LQ-13MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
    110Кешбэк 16 баллов
    DMN3009LFV-7MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
    110Кешбэк 16 баллов
    DMP2040USS-13MOSFET P-CH 20V 7A/15A 8SO T&R 2
    110Кешбэк 16 баллов
    DMG3402LQ-7MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
    110Кешбэк 16 баллов
    DMP6350S-7MOSFET P-CH 60V 1.5A SOT23
    110Кешбэк 16 баллов
    DMN2990UFO-7BMOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
    111Кешбэк 16 баллов
    DMN24H11DSQ-13MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R
    113Кешбэк 16 баллов
    DMN3025LFV-13MOSFET N-CH 30V 25A POWERDI3333
    113Кешбэк 16 баллов
    ZXMN3A14FQTAMOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3
    113Кешбэк 16 баллов
    DMN3025LFV-7MOSFET N-CH 30V 25A POWERDI3333
    113Кешбэк 16 баллов
    DMN6070SY-13MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3
    113Кешбэк 16 баллов
    DMN2080UCB4-7MOSFET N-CH 20V 3A X2-WLB0606-4
    113Кешбэк 16 баллов
    DMN6069SE-13MOSFET N-CH 60V 4.3A/10A SOT223
    115Кешбэк 17 баллов
    DMP45H150DHE-13MOSFET P-CH 450V 250MA SOT223
    117Кешбэк 17 баллов
    DMN1008UFDF-13MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN
    117Кешбэк 17 баллов
    DMP2035UQ-7MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
    117Кешбэк 17 баллов
    DMG3415UQ-7MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
    118Кешбэк 17 баллов
    DMN24H11DSQ-7MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R
    119Кешбэк 17 баллов
    DMP2035UFDF-7MOSFET P-CH 20V 8.1A 6UDFN
    121Кешбэк 18 баллов
    DMN3021LFDF-7MOSFET N-CH 30V 11.8A 6UDFN
    121Кешбэк 18 баллов
    DMP2035UVTQ-13MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
    121Кешбэк 18 баллов
    DMN3042LFDF-7MOSFET N-CH 30V 7A 6UDFN
    121Кешбэк 18 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы специального назначения
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторные модули
    Тиристоры - TRIACs
    Высокочастотные полевые транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Одиночные триодные тиристоры
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    Диоды силовые
    Модули драйверов питания
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Модули триодных тиристоров
    Симисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Одиночные IGBT транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП