Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
IPW60R037P7XKSA1
  • В избранное
  • В сравнение
IPW60R037P7XKSA1

IPW60R037P7XKSA1

IPW60R037P7XKSA1
;
IPW60R037P7XKSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPW60R037P7XKSA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3Все характеристики

Минимальная цена IPW60R037P7XKSA1 при покупке от 1 шт 1632.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPW60R037P7XKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPW60R037P7XKSA1

IPW60R037P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3

  • Основные параметры:
    • Напряжение РДС(ON): 3.7 V
    • Размер токов: 76 A (режим разряда), 82 A (режим заряда)
    • Номинальное напряжение: 650 V
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO247-3
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкое напряжение РДС(ON)
    • Высокий коэффициент сопротивления при переключении
    • Устойчивость к ударным нагрузкам
  • Минусы:
    • Высокая тепловая мощность может потребовать дополнительного охлаждения
    • Заменители могут быть менее доступны или дороже
  • Общее назначение:
    • Использование в высокочастотных электронных устройствах
    • Регуляторы напряжения
    • Приводы двигателей
    • Автомобильная электроника
    • Питание мобильных устройств
  • В каких устройствах применяется:
    • Системы управления двигателем
    • Инверторы
    • Блоки питания
    • Приводы для промышленной электроники
    • Автомобильные системы управления
Выбрано: Показать

Характеристики IPW60R037P7XKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    76A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    37mOhm @ 29.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 1.48mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    121 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    5243 pF @ 400 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    255W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO247-3
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    IPW60R037

Техническая документация

 IPW60R037P7XKSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 3495 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 632 ₽
  • 30
    958 ₽
  • 120
    809 ₽
  • 510
    750 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPW60R037P7XKSA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3Все характеристики

Минимальная цена IPW60R037P7XKSA1 при покупке от 1 шт 1632.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPW60R037P7XKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPW60R037P7XKSA1

IPW60R037P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3

  • Основные параметры:
    • Напряжение РДС(ON): 3.7 V
    • Размер токов: 76 A (режим разряда), 82 A (режим заряда)
    • Номинальное напряжение: 650 V
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO247-3
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкое напряжение РДС(ON)
    • Высокий коэффициент сопротивления при переключении
    • Устойчивость к ударным нагрузкам
  • Минусы:
    • Высокая тепловая мощность может потребовать дополнительного охлаждения
    • Заменители могут быть менее доступны или дороже
  • Общее назначение:
    • Использование в высокочастотных электронных устройствах
    • Регуляторы напряжения
    • Приводы двигателей
    • Автомобильная электроника
    • Питание мобильных устройств
  • В каких устройствах применяется:
    • Системы управления двигателем
    • Инверторы
    • Блоки питания
    • Приводы для промышленной электроники
    • Автомобильные системы управления
Выбрано: Показать

Характеристики IPW60R037P7XKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    76A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    37mOhm @ 29.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 1.48mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    121 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    5243 pF @ 400 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    255W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO247-3
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    IPW60R037

Техническая документация

 IPW60R037P7XKSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IPB054N06N3GATMA1MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
    472Кешбэк 70 баллов
    NVTFS5C454NLTAGMOSFET N-CHANNEL 40V 85A 8WDFN
    320Кешбэк 48 баллов
    BUK7M8R5-40HXMOSFET N-CH 40V 40A LFPAK33
    227Кешбэк 34 балла
    IPBE65R230CFD7AATMA1MOSFET N-CH 650V 11A TO263-7
    695Кешбэк 104 балла
    IPSA70R360P7SAKMA1Транзистор: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO251-3
    126Кешбэк 18 баллов
    SUD50P08-25L-BE3MOSFET P-CH 80V 12.5A/50A DPAK
    627Кешбэк 94 балла
    NVMFS5C646NLWFAFT1GMOSFET N-CH 60V 20A/93A 5DFN
    532Кешбэк 79 баллов
    NTMFS024N06CT1GMOSFET N-CH 60V 8A/25A 5DFN
    149Кешбэк 22 балла
    IPS70R1K4CEAKMA1MOSFET N-CH 700V 5.4A TO251
    147Кешбэк 22 балла
    IAUA250N04S6N007AUMA1MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
    838Кешбэк 125 баллов
    SUM70090E-GE3MOSFET N-CH 100V 50A TO263
    379Кешбэк 56 баллов
    NVBLS1D1N08HMOSFET N-CH 80V 41A/351A 8HPSOF
    1 525Кешбэк 228 баллов
    NTMFS016N06CT1GMOSFET N-CH 60V 10A/33A 5DFN
    160Кешбэк 24 балла
    IPB60R125CPATMA1MOSFET N-CH 600V 25A TO263-3
    1 104Кешбэк 165 баллов
    IPB010N06NATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7
    946Кешбэк 141 балл
    FQP3N50CN-CHANNEL POWER MOSFET
    110Кешбэк 16 баллов
    NTMFS6H801NLT1GMOSFET N-CH 80V 24A/160A 5DFN
    500Кешбэк 75 баллов
    2SJ176-EP-CHANNEL POWER MOSFET
    521Кешбэк 78 баллов
    SQJA60EP-T1_GE3MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
    164Кешбэк 24 балла
    NVTFWS003N04CTAGMOSFET N-CH 40V 22A/103A 8WDFN
    411Кешбэк 61 балл
    IPTG018N10NM5ATMA1TRENCH >=100V PG-HSOG-8
    950Кешбэк 142 балла
    NVTFWS015P03P8ZTAGPT8P PORTFOLIO EXPANSION
    294Кешбэк 44 балла
    NVMFS5C406NLWFT1GMOSFET N-CH 40V 53A/362A 5DFN
    1 089Кешбэк 163 балла
    IMZA120R007M1HXKSA1SIC DISCRETE
    8 223Кешбэк 1 233 балла
    ISC046N04NM5ATMA140V 4.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
    219Кешбэк 32 балла
    SQD19P06-60L_GE3MOSFET P-CH 60V 20A TO252
    369Кешбэк 55 баллов
    NVD5407NT4GMOSFET N-CH 40V 7.6A/38A DPAK
    74Кешбэк 11 баллов
    NVMFD6H852NLT1GMOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL
    273Кешбэк 40 баллов
    FDS6692SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    145Кешбэк 21 балл
    IRF9610PBF-BE3MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB
    446Кешбэк 66 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Принадлежности
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Модули драйверов питания
    Диоды силовые
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - JFET
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП