Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
IPW60R190E6FKSA1
  • В избранное
  • В сравнение
IPW60R190E6FKSA1

IPW60R190E6FKSA1

IPW60R190E6FKSA1
;
IPW60R190E6FKSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    INFINEON
  • Артикул:
    IPW60R190E6FKSA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3Все характеристики

Минимальная цена IPW60R190E6FKSA1 при покупке от 1 шт 809.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPW60R190E6FKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPW60R190E6FKSA1

IPW60R190E6FKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 600В
    • Размер токопроводимости: 20.2А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO247-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Малый сопротивление при прохождении тока
    • Устойчивость к перегреву
    • Малое влияние на электромагнитное поле
  • Минусы:
    • Сложность в проектировании системы охлаждения из-за необходимости эффективного отвода тепла
    • Необходимость использования специальных методов для предотвращения ударных токов
  • Общее назначение:
    • Использование в различных электронных устройствах, где требуется управление током
    • Применяется в источниках питания, преобразователях энергии, инверторах и других системах управления
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания для компьютеров и серверов
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Преобразователи энергии для бытовой техники
    • Инверторы для солнечных батарей
    • Системы управления промышленным оборудованием
Выбрано: Показать

Характеристики IPW60R190E6FKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    20.2A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    190mOhm @ 9.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.5V @ 630µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    63 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1400 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    151W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO247-3-1
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    IPW60R190

Техническая документация

 IPW60R190E6FKSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 172 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    809 ₽
  • 10
    605 ₽
  • 100
    489 ₽
  • 500
    340 ₽
  • 1000
    334 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    INFINEON
  • Артикул:
    IPW60R190E6FKSA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3Все характеристики

Минимальная цена IPW60R190E6FKSA1 при покупке от 1 шт 809.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPW60R190E6FKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IPW60R190E6FKSA1

IPW60R190E6FKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 600В
    • Размер токопроводимости: 20.2А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO247-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Малый сопротивление при прохождении тока
    • Устойчивость к перегреву
    • Малое влияние на электромагнитное поле
  • Минусы:
    • Сложность в проектировании системы охлаждения из-за необходимости эффективного отвода тепла
    • Необходимость использования специальных методов для предотвращения ударных токов
  • Общее назначение:
    • Использование в различных электронных устройствах, где требуется управление током
    • Применяется в источниках питания, преобразователях энергии, инверторах и других системах управления
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания для компьютеров и серверов
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Преобразователи энергии для бытовой техники
    • Инверторы для солнечных батарей
    • Системы управления промышленным оборудованием
Выбрано: Показать

Характеристики IPW60R190E6FKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    20.2A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    190mOhm @ 9.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.5V @ 630µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    63 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1400 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    151W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO247-3-1
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    IPW60R190

Техническая документация

 IPW60R190E6FKSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BSC080N12LSGATMA1TRENCH >=100V PG-TDSON-8
    709Кешбэк 106 баллов
    IPB65R190CFDATMA1MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK
    714Кешбэк 107 баллов
    IPB320N20N3GATMA1MOSFET N-CH 200V 34A D2PAK
    716Кешбэк 107 баллов
    SPP17N80C3XKSA1Транзистор: MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
    729Кешбэк 109 баллов
    IPAN80R280P7XKSA1MOSFET N-CH 800V 17A TO220
    732Кешбэк 109 баллов
    BSC010N04LSTATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 40V 39A/100A TDSON
    734Кешбэк 110 баллов
    IPB60R145CFD7ATMA1MOSFET N-CH 600V 16A TO263-3-2
    734Кешбэк 110 баллов
    IPB65R190CFD7AATMA1MOSFET N-CH 650V 14A TO263-3
    738Кешбэк 110 баллов
    IPT60R150G7XTMA1MOSFET N-CH 650V 17A 8HSOF
    745Кешбэк 111 баллов
    IPB80N04S2H4ATMA2MOSFET N-CHANNEL_30/40V
    745Кешбэк 111 баллов
    IPB019N08NF2SATMA1TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
    756Кешбэк 113 баллов
    IPB80P04P4L04ATMA2MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
    776Кешбэк 116 баллов
    IPB180P04P403ATMA2MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
    792Кешбэк 118 баллов
    SPB17N80C3ATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
    805Кешбэк 120 баллов
    IST007N04NM6AUMA1MOSFET N-CH 40V 54A/440A HSOF-5
    805Кешбэк 120 баллов
    IPW60R190E6FKSA1MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
    809Кешбэк 121 балл
    IAUA250N04S6N005AUMA1OPTIMOS POWER MOSFET
    818Кешбэк 122 балла
    IPB60R125CFD7ATMA1MOSFET N-CH 650V 18A TO263-3-2
    829Кешбэк 124 балла
    IPW65R155CFD7XKSA1HIGH POWER_NEW
    836Кешбэк 125 баллов
    BSC670N25NSFDATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 250V 24A TDSON-8-1
    836Кешбэк 125 баллов
    BSC13DN30NSFDATMA1MOSFET N-CH 300V 16A TDSON-8-1
    861Кешбэк 129 баллов
    IPP039N10N5AKSA1MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
    863Кешбэк 129 баллов
    IAUA250N04S6N007AUMA1MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
    865Кешбэк 129 баллов
    BSC014N06NSATMA1MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON7
    872Кешбэк 130 баллов
    BSC0402NSATMA1150V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL,
    878Кешбэк 131 балл
    IPW60R160C6FKSA1MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247-3
    878Кешбэк 131 балл
    SPB11N60C3ATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
    883Кешбэк 132 балла
    BSC040N10NS5SCATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 100V 140A WSON-8
    898Кешбэк 134 балла
    IAUA250N04S6N006AUMA1MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
    901Кешбэк 135 баллов
    IRF60SC241ARMA1MOSFET N-CH 60V 360A TO263-7
    905Кешбэк 135 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные триодные тиристоры
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Диоды силовые
    Диодные мосты
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Симисторы - Модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - SCR
    Транзисторные модули
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Модули драйверов питания
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы специального назначения
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП