Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IRF1310NPBF
  • В избранное
  • В сравнение
IRF1310NPBF

IRF1310NPBF

IRF1310NPBF
;
IRF1310NPBF

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    INFINEON TECHNOLOGIES
  • Артикул:
    IRF1310NPBF
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 100V 42A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена IRF1310NPBF при покупке от 1 шт 288.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRF1310NPBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IRF1310NPBF

IRF1310NPBF INFINEON TECHNOLOGIES Транзистор: MOSFET N-CH 100V 42A TO220AB

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 100В
    • Номинальный ток проводимости (ID(TH)): 42А
    • Коллектор-эмиттерное сопротивление в режиме открытия (RDS(on)): не указано, но обычно около 0,05 Ом при 25°C
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO220AB
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость (низкое RDS(on))
    • Устойчивость к напряжению
    • Малый размер и легкий вес
    • Низкая тепловая индуктивность
    • Эффективность в различных приложениях
  • Минусы:
    • Могут быть ограничения по температуре при длительной работе
    • Необходимо правильное охлаждение для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных цепях, где требуется высокая проводимость и низкое сопротивление
    • Подключение и управление потребителями с высокими токами
    • Регулировка напряжения и тока в различных устройствах
  • Применение:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Системы питания
    • Питание и управление электроприборами
    • Инверторы и преобразователи напряжения
    • Инверторы для домашнего использования
Выбрано: Показать

Характеристики IRF1310NPBF

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    42A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    36mOhm @ 22A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    110 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1900 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    160W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IRF1310

Техническая документация

 IRF1310NPBF.pdf
pdf. 0 kb
  • 91 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    288 ₽
  • 10
    219 ₽
  • 50
    181 ₽
  • 250
    151 ₽
  • 750
    133 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    INFINEON TECHNOLOGIES
  • Артикул:
    IRF1310NPBF
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 100V 42A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена IRF1310NPBF при покупке от 1 шт 288.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRF1310NPBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IRF1310NPBF

IRF1310NPBF INFINEON TECHNOLOGIES Транзистор: MOSFET N-CH 100V 42A TO220AB

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 100В
    • Номинальный ток проводимости (ID(TH)): 42А
    • Коллектор-эмиттерное сопротивление в режиме открытия (RDS(on)): не указано, но обычно около 0,05 Ом при 25°C
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO220AB
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость (низкое RDS(on))
    • Устойчивость к напряжению
    • Малый размер и легкий вес
    • Низкая тепловая индуктивность
    • Эффективность в различных приложениях
  • Минусы:
    • Могут быть ограничения по температуре при длительной работе
    • Необходимо правильное охлаждение для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных цепях, где требуется высокая проводимость и низкое сопротивление
    • Подключение и управление потребителями с высокими токами
    • Регулировка напряжения и тока в различных устройствах
  • Применение:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Системы питания
    • Питание и управление электроприборами
    • Инверторы и преобразователи напряжения
    • Инверторы для домашнего использования
Выбрано: Показать

Характеристики IRF1310NPBF

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    42A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    36mOhm @ 22A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    110 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1900 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    160W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IRF1310

Техническая документация

 IRF1310NPBF.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IRLB8314PBFMOSFET N-CH 30V 171A TO220-3
    281Кешбэк 42 балла
    IPA50R299CPXKSA1MOSFET N-CH 550V 12A TO220-FP
    282Кешбэк 42 балла
    IRF2805PBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
    282Кешбэк 42 балла
    IRLHM620TRPBFMOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN
    282Кешбэк 42 балла
    IRFZ44NPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
    284Кешбэк 42 балла
    IRLR9343TRPBFMOSFET P-CH 55V 20A DPAK
    284Кешбэк 42 балла
    IPA60R400CEXKSA1MOSFET N-CH 600V 10.3A TO220-FP
    284Кешбэк 42 балла
    IPA65R400CEXKSA1MOSFET N-CH 650V TO220
    284Кешбэк 42 балла
    IPA50R500CEXKSA2MOSFET N-CH 500V 5.4A TO220
    286Кешбэк 42 балла
    BSP149H6327XTSA1MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
    286Кешбэк 42 балла
    IRFR3709ZTRLPBFMOSFET N-CH 30V 86A DPAK
    286Кешбэк 42 балла
    IRF640NSTRLPBFТранзистор: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
    287Кешбэк 43 балла
    IPA50R380CEXKSA2MOSFET N-CH 500V 6.3A TO220
    287Кешбэк 43 балла
    IPD053N08N3GATMA1MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
    288Кешбэк 43 балла
    BSC098N10NS5ATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 100V 60A TDSON
    288Кешбэк 43 балла
    IRLR3110ZTRPBFMOSFET N-CH 100V 42A DPAK
    288Кешбэк 43 балла
    IRF530NSTRLPBFТранзистор: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
    288Кешбэк 43 балла
    AUIRLZ44ZMOSFET N-CH 55V 51A TO220AB
    288Кешбэк 43 балла
    IRF4905LPBFТранзистор: MOSFET P-CH 55V 42A TO262
    288Кешбэк 43 балла
    IRF1310NPBFТранзистор: MOSFET N-CH 100V 42A TO220AB
    288Кешбэк 43 балла
    IRLB4132PBFТранзистор: MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
    289Кешбэк 43 балла
    BSC097N06NSATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8-6
    290Кешбэк 43 балла
    IPD60R600P6ATMA1MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
    290Кешбэк 43 балла
    BSZ040N04LSGATMA1MOSFET N-CH 40V 18A/40A 8TSDSON
    290Кешбэк 43 балла
    IPD90N04S404ATMA1MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
    290Кешбэк 43 балла
    IPD26N06S2L35ATMA2MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
    290Кешбэк 43 балла
    IRFB5620PBFMOSFET N-CH 200V 25A TO220AB
    290Кешбэк 43 балла
    IRF5305PBFТранзистор: MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB
    292Кешбэк 43 балла
    BSC0501NSIATMA1MOSFET N-CH 30V 29A/100A TDSON
    292Кешбэк 43 балла
    IPA65R1K5CEXKSA1Транзистор: MOSFET N-CH 650V 5.2A TO220
    292Кешбэк 43 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - JFET
    Диодные мосты
    Тиристоры - SCR - модули
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Диоды - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - TRIACs
    Сборки биполярных транзисторов
    Высокочастотные диоды
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные биполярные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторные модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Симисторы
    Биполярные транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП