Каталог товаров
Доставка
Оплата
Кешбэк
Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров

Как заказать

О компании

8 800 550-00-22 info@eicom.ru

Доставка Оплата Кешбэк Контакты

Загрузить BOM

Избранное Сравнение Корзина

Вход/Регистрация

% Акции Разъемы Реле Вентиляторы Микросхемы Датчики и сенсоры Транзисторы и диоды Конденсаторы Предохранители Весь каталог

Избранное

Войти

Дискретные полупроводники

Полевые транзисторы - Одиночные

IRF1310NSPBF

В избранное
В сравнение

IRF1310NSPBF

IRF1310NSPBF

IRF1310NSPBF

;

IRF1310NSPBF

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
IR
Артикул:
IRF1310NSPBF
Описание:
HEXFET POWER MOSFETВсе характеристики

Минимальная цена IRF1310NSPBF при покупке от 9 шт 796.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRF1310NSPBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики IRF1310NSPBF

Package
Tube
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
36mOhm @ 22A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1900 pF @ 25 V
Рассеивание мощности (Макс)
3.8W (Ta), 160W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
D2PAK
Корпус
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Техническая документация

IRF1310NSPBF.pdf

pdf. 0 kb

33 шт
3-6 недель

Минимально и кратно 9 шт

Количество
Цена
9
796 ₽
20
724 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
IR
Артикул:
IRF1310NSPBF
Описание:
HEXFET POWER MOSFETВсе характеристики

Минимальная цена IRF1310NSPBF при покупке от 9 шт 796.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRF1310NSPBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики IRF1310NSPBF

Package
Tube
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
36mOhm @ 22A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1900 pF @ 25 V
Рассеивание мощности (Макс)
3.8W (Ta), 160W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
D2PAK
Корпус
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Техническая документация

IRF1310NSPBF.pdf

pdf. 0 kb

Доставка

Похожие товары

Все товары

Похожие товары

IRFH5110TRPBF MOSFET N-CH 100V 11A/63A 8PQFN

413Кешбэк 61 балл

IPD65R600E6ATMA1 MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3

427Кешбэк 64 балла

IRFSL7730PBF MOSFET N-CH 75V 195A TO262

428Кешбэк 64 балла

BSZ013NE2LS5IATMA1 MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON

432Кешбэк 64 балла

AUIRLR3410TRL MOSFET N-CH 100V 17A DPAK

441Кешбэк 66 баллов

IPB80N04S404ATMA1 MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2

445Кешбэк 66 баллов

IPB80N04S4L04ATMA1 MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

454Кешбэк 68 баллов

IRFH7787TRPBF MOSFET N-CH 75V 68A PQFN

461Кешбэк 69 баллов

IPA60R190E6XKSA1 MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP

534Кешбэк 80 баллов

IPP086N10N3GXKSA1 MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3

541Кешбэк 81 балл

IPA60R385CPXKSA1 MOSFET N-CH 600V 9A TO220-FP

563Кешбэк 84 балла

BSC100N10NSFGATMA1 Транзистор: MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSON

568Кешбэк 85 баллов

IRFB3407ZPBF MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB

598Кешбэк 89 баллов

AUIRLR120NTRL MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

604Кешбэк 90 баллов

IPP65R190C6XKSA1 MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220-3

636Кешбэк 95 баллов

IRFP4668PBF MOSFET N-CH 200V 130A TO247AC

643Кешбэк 96 баллов

SPA11N65C3XKSA1 MOSFET N-CH 650V 11A TO220-FP

650Кешбэк 97 баллов

IRFP4768PBF MOSFET N-CH 250V 93A TO247AC

661Кешбэк 99 баллов

AUIRF3205Z Транзистор: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

668Кешбэк 100 баллов

AUIRFR2905ZTRL MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

675Кешбэк 101 балл

IPD70N10S3L12ATMA1 Транзистор: MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3

675Кешбэк 101 балл

IRF7748L1TRPBF MOSFET N-CH 60V 28A DIRECTFET

718Кешбэк 107 баллов

IRF8301MTRPBF MOSFET N-CH 30V 34A DIRECTFET

732Кешбэк 109 баллов

IRF2804STRL7PP MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK

777Кешбэк 116 баллов

SPA11N60C3XKSA1 MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3

777Кешбэк 116 баллов

IPB70N10S3L12ATMA1 MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3

782Кешбэк 117 баллов

SPW20N60CFDFKSA1 MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3

786Кешбэк 117 баллов

IRF1310NSPBF HEXFET POWER MOSFET

796Кешбэк 119 баллов

IRFP4127PBF MOSFET N-CH 200V 75A TO247AC

802Кешбэк 120 баллов

IRF6715MTRPBF MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET

811Кешбэк 121 балл

Похожие категории

Все товары

Похожие категории

Симисторы

Одиночные IGBT транзисторы

Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки

Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные

Диоды - мостовые выпрямители

Сборки биполярных транзисторов

Транзисторные модули

Динисторы (DIAC, SIDAC)

Диоды - выпрямители - массивы

IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)

Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ

Полевые транзисторы - Сборки

Полевые транзисторы - Одиночные

Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)

Диодные мосты - Модули

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы

Высокочастотные биполярные транзисторы

Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением

Диоды силовые

Диоды - ВЧ

Диоды - выпрямители - одиночные

Биполярные транзисторы

Диоды выпрямительные - Одиночные

Модули драйверов питания

Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы

Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением

Транзисторы - JFET

Симисторы - Модули

Полевые транзисторы - Модули

Тиристоры - SCR

IGBT транзисторы

Диодные мосты

Одиночные триодные тиристоры

Транзисторы - программируемые однопереходные

Диоды и транзисторы для регулирования тока

Принадлежности для дискретных полупроводников

Высокочастотные полевые транзисторы

Варикапы и Варакторы

Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные

Программируемые однопереходные транзисторы

Высокочастотные диоды

Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)

Модули триодных тиристоров

Одиночные биполярные транзисторы

Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ

Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)

Транзисторы - IGBT - модули

Диоды выпрямительные - Модули

Диоды выпрямительные - Сборки

Модули драйверов питания

Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)

Тиристоры - TRIACs

Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET

Транзисторы специального назначения

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами

Тиристоры - SCR - модули

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором

Минимально и кратно 9 шт

Оставьте оценку на Яндексе

Каталог товаров
Доставка
Оплата
Производители
Акции

Как купить
Кешбэк
Как сделать заказ
Загрузка BOM-листа
Возврат и обмен
Состояние заказа

О компании
Отзывы
Новости
Статьи
Вакансии
Правовая информация
Контакты

8 800 550-00-22

Пн-Пт 9:30 - 17:30

Оставьте оценку на Яндексе

Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.

© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали