Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IRF530NSTRLPBF
  • В избранное
  • В сравнение
IRF530NSTRLPBF

IRF530NSTRLPBF

IRF530NSTRLPBF
;
IRF530NSTRLPBF

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    INFINEON TECHNOLOGIES
  • Артикул:
    IRF530NSTRLPBF
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAKВсе характеристики

Минимальная цена IRF530NSTRLPBF при покупке от 1 шт 288.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRF530NSTRLPBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IRF530NSTRLPBF

IRF530N - это MOSFET N-канальный транзистор с напряжением верхнего предела блокировки (VDS) 100В и током дrain (ID) 17А, предназначен для работы в пакете D2PAK.

  • Основные параметры:
    • Напряжение верхнего предела блокировки (VDS): 100В
    • Ток дrain (ID): 17А
    • Коэффициент передачи (RDS(on)): ≤35мО при токе 10А
    • Максимальная температура корпуса (Tcase(max)): 175°C
  • Плюсы:
    • Высокий коэффициент передачи, что обеспечивает низкое сопротивление при прохождении тока
    • Высокая мощность и способность обрабатывать значительные токи
    • Малые размеры и легкий вес благодаря использованию пакета D2PAK
    • Долговечность и надежность при работе в различных условиях
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения из-за высокой мощности
    • Нужна корректная защита от перегрева и перенапряжения
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных цепях, требующих высокого уровня передачи и мощности
    • Применяется в преобразователях напряжения
    • Составляющая часть систем управления двигателей
    • Используется в источниках питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Промышленном оборудовании
    • Электронных системах управления двигателем
    • Источниках питания
    • Электротехнических устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики IRF530NSTRLPBF

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    17A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    90mOhm @ 9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    37 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    920 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.8W (Ta), 70W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D2PAK
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    IRF530

Техническая документация

 IRF530NSTRLPBF.pdf
pdf. 0 kb
  • 1450 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    288 ₽
  • 10
    201 ₽
  • 250
    120 ₽
  • 800
    91 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    INFINEON TECHNOLOGIES
  • Артикул:
    IRF530NSTRLPBF
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAKВсе характеристики

Минимальная цена IRF530NSTRLPBF при покупке от 1 шт 288.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRF530NSTRLPBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IRF530NSTRLPBF

IRF530N - это MOSFET N-канальный транзистор с напряжением верхнего предела блокировки (VDS) 100В и током дrain (ID) 17А, предназначен для работы в пакете D2PAK.

  • Основные параметры:
    • Напряжение верхнего предела блокировки (VDS): 100В
    • Ток дrain (ID): 17А
    • Коэффициент передачи (RDS(on)): ≤35мО при токе 10А
    • Максимальная температура корпуса (Tcase(max)): 175°C
  • Плюсы:
    • Высокий коэффициент передачи, что обеспечивает низкое сопротивление при прохождении тока
    • Высокая мощность и способность обрабатывать значительные токи
    • Малые размеры и легкий вес благодаря использованию пакета D2PAK
    • Долговечность и надежность при работе в различных условиях
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения из-за высокой мощности
    • Нужна корректная защита от перегрева и перенапряжения
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных цепях, требующих высокого уровня передачи и мощности
    • Применяется в преобразователях напряжения
    • Составляющая часть систем управления двигателей
    • Используется в источниках питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Промышленном оборудовании
    • Электронных системах управления двигателем
    • Источниках питания
    • Электротехнических устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики IRF530NSTRLPBF

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    17A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    90mOhm @ 9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    37 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    920 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.8W (Ta), 70W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D2PAK
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    IRF530

Техническая документация

 IRF530NSTRLPBF.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IRLB8314PBFMOSFET N-CH 30V 171A TO220-3
    281Кешбэк 42 балла
    IPA50R299CPXKSA1MOSFET N-CH 550V 12A TO220-FP
    282Кешбэк 42 балла
    IRF2805PBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
    282Кешбэк 42 балла
    IRLHM620TRPBFMOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN
    282Кешбэк 42 балла
    IRFZ44NPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
    284Кешбэк 42 балла
    IRLR9343TRPBFMOSFET P-CH 55V 20A DPAK
    284Кешбэк 42 балла
    IPA60R400CEXKSA1MOSFET N-CH 600V 10.3A TO220-FP
    284Кешбэк 42 балла
    IPA65R400CEXKSA1MOSFET N-CH 650V TO220
    284Кешбэк 42 балла
    IPA50R500CEXKSA2MOSFET N-CH 500V 5.4A TO220
    286Кешбэк 42 балла
    BSP149H6327XTSA1MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
    286Кешбэк 42 балла
    IRFR3709ZTRLPBFMOSFET N-CH 30V 86A DPAK
    286Кешбэк 42 балла
    IRF640NSTRLPBFТранзистор: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
    287Кешбэк 43 балла
    IPA50R380CEXKSA2MOSFET N-CH 500V 6.3A TO220
    287Кешбэк 43 балла
    IPD053N08N3GATMA1MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
    288Кешбэк 43 балла
    BSC098N10NS5ATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 100V 60A TDSON
    288Кешбэк 43 балла
    IRLR3110ZTRPBFMOSFET N-CH 100V 42A DPAK
    288Кешбэк 43 балла
    IRF530NSTRLPBFТранзистор: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
    288Кешбэк 43 балла
    AUIRLZ44ZMOSFET N-CH 55V 51A TO220AB
    288Кешбэк 43 балла
    IRF4905LPBFТранзистор: MOSFET P-CH 55V 42A TO262
    288Кешбэк 43 балла
    IRF1310NPBFТранзистор: MOSFET N-CH 100V 42A TO220AB
    288Кешбэк 43 балла
    IRLB4132PBFТранзистор: MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
    289Кешбэк 43 балла
    BSC097N06NSATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8-6
    290Кешбэк 43 балла
    IPD60R600P6ATMA1MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
    290Кешбэк 43 балла
    BSZ040N04LSGATMA1MOSFET N-CH 40V 18A/40A 8TSDSON
    290Кешбэк 43 балла
    IPD90N04S404ATMA1MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
    290Кешбэк 43 балла
    IPD26N06S2L35ATMA2MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
    290Кешбэк 43 балла
    IRFB5620PBFMOSFET N-CH 200V 25A TO220AB
    290Кешбэк 43 балла
    IRF5305PBFТранзистор: MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB
    292Кешбэк 43 балла
    BSC0501NSIATMA1MOSFET N-CH 30V 29A/100A TDSON
    292Кешбэк 43 балла
    IPA65R1K5CEXKSA1Транзистор: MOSFET N-CH 650V 5.2A TO220
    292Кешбэк 43 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - SCR
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Полевые транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули триодных тиристоров
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диодные мосты
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Одиночные триодные тиристоры
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - JFET
    Диоды силовые
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Симисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Симисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторные модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Сборки
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП