Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IRF624PBF
  • В избранное
  • В сравнение
IRF624PBF

IRF624PBF

IRF624PBF
;
IRF624PBF

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    IRF624PBF
  • Описание:
    MOSFET N-CH 250V 4.4A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена IRF624PBF при покупке от 1 шт 438.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRF624PBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IRF624PBF

IRF624PBF — это N-канальный MOSFET от компании Vishay Semiconductors. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение блокировки (VGS(th)): 250В
  • Номинальная токовая способность (ID(on)): 4.4А
  • Тип пакета: TO220AB

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность благодаря использованию технологии MOSFET.
  • Низкое сопротивление на проводимость при рабочем напряжении.
  • Малые потери энергии при работе.
  • Устойчивость к скачкам напряжения.

Минусы:

  • Требует использования дополнительных компонентов для защиты от перегрузок.
  • Необходимо соблюдение правил охлаждения при высоких токах.

Общее назначение:

  • Использование в электронных устройствах для управления токами.
  • Контроль электрических цепей в различных приборах.
  • Переключение нагрузок в системах управления.

Применяется в:

  • Автомобильной электронике.
  • Системах управления двигателей.
  • Электроприборах.
  • Медицинской технике.
Выбрано: Показать

Характеристики IRF624PBF

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    250 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4.4A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.1Ohm @ 2.6A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    14 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    260 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    50W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IRF624

Техническая документация

 IRF624PBF.pdf
pdf. 0 kb
  • 616 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    438 ₽
  • 10
    275 ₽
  • 100
    181 ₽
  • 1000
    124 ₽
  • 5000
    112 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    IRF624PBF
  • Описание:
    MOSFET N-CH 250V 4.4A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена IRF624PBF при покупке от 1 шт 438.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRF624PBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IRF624PBF

IRF624PBF — это N-канальный MOSFET от компании Vishay Semiconductors. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение блокировки (VGS(th)): 250В
  • Номинальная токовая способность (ID(on)): 4.4А
  • Тип пакета: TO220AB

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность благодаря использованию технологии MOSFET.
  • Низкое сопротивление на проводимость при рабочем напряжении.
  • Малые потери энергии при работе.
  • Устойчивость к скачкам напряжения.

Минусы:

  • Требует использования дополнительных компонентов для защиты от перегрузок.
  • Необходимо соблюдение правил охлаждения при высоких токах.

Общее назначение:

  • Использование в электронных устройствах для управления токами.
  • Контроль электрических цепей в различных приборах.
  • Переключение нагрузок в системах управления.

Применяется в:

  • Автомобильной электронике.
  • Системах управления двигателей.
  • Электроприборах.
  • Медицинской технике.
Выбрано: Показать

Характеристики IRF624PBF

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    250 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4.4A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.1Ohm @ 2.6A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    14 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    260 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    50W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IRF624

Техническая документация

 IRF624PBF.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SIS892DN-T1-GE3MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
    405Кешбэк 60 баллов
    IRFU9214PBFТранзистор: MOSFET P-CH 250V 2.7A TO251AA
    407Кешбэк 61 балл
    IRF840BPBFТранзистор: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
    409Кешбэк 61 балл
    IRFU214PBFMOSFET N-CH 250V 2.2A TO251AA
    409Кешбэк 61 балл
    SI3430DV-T1-E3MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP
    411Кешбэк 61 балл
    IRFR014TRLPBFMOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
    411Кешбэк 61 балл
    IRLR120PBFMOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
    411Кешбэк 61 балл
    IRL510STRLPBFMOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
    413Кешбэк 61 балл
    SIR402DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
    415Кешбэк 62 балла
    IRFR024TRLPBFMOSFET N-CH 60V 14A DPAK
    417Кешбэк 62 балла
    IRFR310TRLPBFMOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
    419Кешбэк 62 балла
    SI4477DY-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 26.6A 8SO
    421Кешбэк 63 балла
    SI7423DN-T1-E3MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK1212-8
    421Кешбэк 63 балла
    SI4420BDY-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO
    421Кешбэк 63 балла
    IRFBF20PBFMOSFET N-CH 900V 1.7A TO220AB
    424Кешбэк 63 балла
    SI7806ADN-T1-E3MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8
    428Кешбэк 64 балла
    SIR164DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
    428Кешбэк 64 балла
    IRL530PBFТранзистор: MOSFET N-CH 100V 15A TO220AB
    430Кешбэк 64 балла
    SI7623DN-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
    432Кешбэк 64 балла
    IRFR224TRLPBFMOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
    434Кешбэк 65 баллов
    IRF9Z10PBFMOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
    434Кешбэк 65 баллов
    IRF624PBFMOSFET N-CH 250V 4.4A TO220AB
    438Кешбэк 65 баллов
    SIR166DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
    440Кешбэк 66 баллов
    IRFU430APBFMOSFET N-CH 500V 5A TO251AA
    440Кешбэк 66 баллов
    SIR418DP-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
    442Кешбэк 66 баллов
    SIHD6N62E-GE3MOSFET N-CH 620V 6A DPAK
    444Кешбэк 66 баллов
    SI4464DY-T1-E3MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO
    446Кешбэк 66 баллов
    IRFR120TRLPBFMOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
    446Кешбэк 66 баллов
    IRFU9010PBFMOSFET P-CH 50V 5.3A TO251AA
    448Кешбэк 67 баллов
    IRFZ14SPBFMOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
    448Кешбэк 67 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные диоды
    Диоды силовые
    Сборки биполярных транзисторов
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Симисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - одиночные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диодные мосты
    Модули драйверов питания
    Симисторы
    Транзисторные модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы специального назначения
    Диоды - мостовые выпрямители
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП