Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
IRF7341TRPBF
  • В избранное
  • В сравнение
IRF7341TRPBF

IRF7341TRPBF

IRF7341TRPBF
;
IRF7341TRPBF

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IRF7341TRPBF
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOICВсе характеристики

Минимальная цена IRF7341TRPBF при покупке от 1 шт 235.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRF7341TRPBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IRF7341TRPBF

IRF7341TRPBF Infineon Technologies - MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VDS(on)): 55 В
    • Номинальная токовая способность (ID): 4.7 А
    • Количество выводов: 8-SOIC
    • Тип: MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме насыщения
    • Низкое сопротивление в режиме насыщения
    • Малый размер и высокая плотность компонентов
    • Надежность и стабильность работы
  • Минусы:
    • Необходимо дополнительное охлаждение при больших нагрузках
    • Уязвимость к электрическим помехам
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных схемах для управления токами
    • Применение в источниках питания
    • Работа в системах управления мощностью
    • Использование в бытовой технике и электротехнических устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Системы управления двигателей
    • Автомобильная электроника
    • Бытовая техника
    • Мобильные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики IRF7341TRPBF

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    55V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4.7A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    50mOhm @ 4.7A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    36nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    740pF @ 25V
  • Рассеивание мощности
    2W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-SO
  • Base Product Number
    IRF7341

Техническая документация

 IRF7341TRPBF.pdf
pdf. 0 kb
  • 19256 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    235 ₽
  • 10
    148 ₽
  • 500
    76 ₽
  • 2000
    64 ₽
  • 8000
    54 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IRF7341TRPBF
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOICВсе характеристики

Минимальная цена IRF7341TRPBF при покупке от 1 шт 235.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRF7341TRPBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IRF7341TRPBF

IRF7341TRPBF Infineon Technologies - MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VDS(on)): 55 В
    • Номинальная токовая способность (ID): 4.7 А
    • Количество выводов: 8-SOIC
    • Тип: MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме насыщения
    • Низкое сопротивление в режиме насыщения
    • Малый размер и высокая плотность компонентов
    • Надежность и стабильность работы
  • Минусы:
    • Необходимо дополнительное охлаждение при больших нагрузках
    • Уязвимость к электрическим помехам
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных схемах для управления токами
    • Применение в источниках питания
    • Работа в системах управления мощностью
    • Использование в бытовой технике и электротехнических устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Системы управления двигателей
    • Автомобильная электроника
    • Бытовая техника
    • Мобильные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики IRF7341TRPBF

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    55V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4.7A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    50mOhm @ 4.7A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    36nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    740pF @ 25V
  • Рассеивание мощности
    2W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-SO
  • Base Product Number
    IRF7341

Техническая документация

 IRF7341TRPBF.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SI6926ADQ-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
    274Кешбэк 41 балл
    SI1967DH-T1-E3Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
    121Кешбэк 18 баллов
    SIA906EDJ-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
    162Кешбэк 24 балла
    SI7922DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
    460Кешбэк 69 баллов
    SIA975DJ-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC-70-6
    186Кешбэк 27 баллов
    SI9933CDY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
    127Кешбэк 19 баллов
    SI7252DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO
    533Кешбэк 79 баллов
    SIA923AEDJ-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6L
    169Кешбэк 25 баллов
    SIZ918DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
    451Кешбэк 67 баллов
    SI7212DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8
    302Кешбэк 45 баллов
    SI7220DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 3.4A 1212-8
    460Кешбэк 69 баллов
    SIA910EDJ-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6
    108Кешбэк 16 баллов
    SIA913ADJ-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6
    162Кешбэк 24 балла
    SIA931DJ-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6L
    145Кешбэк 21 балл
    SI7942DP-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
    719Кешбэк 107 баллов
    SIA537EDJ-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 12V/20V SC-70-6L
    171Кешбэк 25 баллов
    SI4948BEY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC
    342Кешбэк 51 балл
    SI1034CX-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V SC89-6
    92Кешбэк 13 баллов
    SI7216DN-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 6A 1212-8
    405Кешбэк 60 баллов
    SI7923DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8
    423Кешбэк 63 балла
    SI1553CDL-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
    112Кешбэк 16 баллов
    SI4909DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO
    289Кешбэк 43 балла
    SI4554DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SO
    215Кешбэк 32 балла
    SI7949DP-T1-E3Транзистор: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
    436Кешбэк 65 баллов
    SI7998DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8
    394Кешбэк 59 баллов
    SQJ844AEP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
    322Кешбэк 48 баллов
    SI7232DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212-8
    94Кешбэк 14 баллов
    SIA923EDJ-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6
    186Кешбэк 27 баллов
    SI7234DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 12V 60A PPAK SO-8
    725Кешбэк 108 баллов
    SIA533EDJ-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
    123Кешбэк 18 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Симисторы
    Транзисторы - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диодные мосты
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    IGBT транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП