IRF7389TRPBF

IRF7389TRPBF Infineon Technologies — это MOSFET N-канальный транзистор с низким напряжением врубки и высокими характеристиками.

• Основные параметры:
• Напряжение врубки (V_GS(th)): ≤ 2.5 В
• Размеры пакета: 8-SOIC
• Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером (V_CE(max)): 30 В
• Максимальная токовая способность (I_D(max)): 10 А
• Температурный диапазон работы: −55°C до +175°C
• Плюсы:
• Низкое напряжение врубки обеспечивает эффективное управление нагрузкой при низких входных сигналах.
• Высокая надежность и долговечность благодаря качественной сборке и использованию современных технологий.
• Малый размер пакета позволяет экономить место на печатной плате.
• Минусы:
• Высокие токовые характеристики могут потребовать дополнительного охлаждения при работе на полном токе.
• Стоимость может быть выше по сравнению с менее дорогими моделями.
• Общее назначение:
• Использование в электронных устройствах для управления нагрузками.
• Применяется в системах питания и преобразованиях энергии.
• Входит в состав регуляторов напряжения и стабилизаторов.
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы питания и управления.
• Приборы бытовой техники.
• Устройства связи и радиоэлектроники.
• Системы управления приводами и моторами.
• Приборы измерений и тестового оборудования.