Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IRFBF30PBF
  • В избранное
  • В сравнение
IRFBF30PBF

IRFBF30PBF

IRFBF30PBF
;
IRFBF30PBF

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    IRFBF30PBF
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена IRFBF30PBF при покупке от 1 шт 614.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRFBF30PBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IRFBF30PBF

IRFBF30PBF VISHAY — это MOSFET N-канальный с напряжением блокировки 900В и током непрерывного тока 3,6А, установленный в корпусе TO220AB.

  • Основные параметры:
    • N-канальный MOSFET
    • Напряжение блокировки (VDS): 900В
    • Ток непрерывного тока (ID): 3,6А
    • Корпус: TO220AB
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение блокировки (900В)
    • Средний ток непрерывного тока (3,6А) обеспечивает хорошую способность к передаче мощности
    • Устойчивость к перегреву благодаря конструкции корпуса TO220AB
    • Низкий коэффициент транс conductance (RDS(on)) при нормальных условиях работы
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение для поддержания рабочих температур при высоких нагрузках
    • Наличие паразитных элементов может вызывать дисторсию сигнала при использовании в цифровых системах
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Регулировка напряжения
    • Переключение высоких напряжений
    • Применение в системах управления двигателей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Электронные системы управления
    • Источники питания
Выбрано: Показать

Характеристики IRFBF30PBF

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    900 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3.6A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.7Ohm @ 2.2A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    78 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1200 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    125W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IRFBF30

Техническая документация

 IRFBF30PBF.pdf
pdf. 0 kb
  • 518 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    614 ₽
  • 50
    346 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    IRFBF30PBF
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена IRFBF30PBF при покупке от 1 шт 614.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRFBF30PBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IRFBF30PBF

IRFBF30PBF VISHAY — это MOSFET N-канальный с напряжением блокировки 900В и током непрерывного тока 3,6А, установленный в корпусе TO220AB.

  • Основные параметры:
    • N-канальный MOSFET
    • Напряжение блокировки (VDS): 900В
    • Ток непрерывного тока (ID): 3,6А
    • Корпус: TO220AB
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение блокировки (900В)
    • Средний ток непрерывного тока (3,6А) обеспечивает хорошую способность к передаче мощности
    • Устойчивость к перегреву благодаря конструкции корпуса TO220AB
    • Низкий коэффициент транс conductance (RDS(on)) при нормальных условиях работы
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение для поддержания рабочих температур при высоких нагрузках
    • Наличие паразитных элементов может вызывать дисторсию сигнала при использовании в цифровых системах
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Регулировка напряжения
    • Переключение высоких напряжений
    • Применение в системах управления двигателей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Электронные системы управления
    • Источники питания
Выбрано: Показать

Характеристики IRFBF30PBF

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    900 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3.6A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.7Ohm @ 2.2A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    78 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1200 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    125W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IRFBF30

Техническая документация

 IRFBF30PBF.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BSS138NH6433XTMA1MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
    56Кешбэк 8 баллов
    BSL296SNH6327XTSA1MOSFET N-CH 100V 1.4A TSOP-6
    60Кешбэк 9 баллов
    IRLML6344TRPBFMOSFET N-CH 30V 5A MICRO3/SOT23
    61Кешбэк 9 баллов
    BSS806NEH6327XTSA1MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
    62Кешбэк 9 баллов
    IRF9393TRPBFMOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO
    63Кешбэк 9 баллов
    BSP318SL6327HTSA1MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4
    64Кешбэк 9 баллов
    IRLML9303TRPBFТранзистор: MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT23
    65Кешбэк 9 баллов
    IRFR024NTRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
    66Кешбэк 9 баллов
    BSS670S2LH6433XTMA1MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23
    68Кешбэк 10 баллов
    IRFHM8329TRPBFMOSFET N-CH 30V 16A/57A PQFN
    68Кешбэк 10 баллов
    IRLML5203TRPBFТранзистор: MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23
    69Кешбэк 10 баллов
    IPS65R1K5CEAKMA1MOSFET N-CH 650V 3.1A TO251
    69Кешбэк 10 баллов
    IRFZ34NPBFMOSFET N-CH 55V 29A TO220AB
    70Кешбэк 10 баллов
    IRLTS6342TRPBFMOSFET N-CH 30V 8.3A 6TSOP
    70Кешбэк 10 баллов
    IRLML5103TRPBFТранзистор: MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23
    72Кешбэк 10 баллов
    BSD316SNH6327XTSA1MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6
    72Кешбэк 10 баллов
    IRLML0030TRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
    72Кешбэк 10 баллов
    BSD214SNH6327XTSA1MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6
    72Кешбэк 10 баллов
    IRLML2030TRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23
    72Кешбэк 10 баллов
    IRLML2060TRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23
    72Кешбэк 10 баллов
    IRLML9301TRPBFMOSFET P-CH 30V 3.6A SOT23
    73Кешбэк 10 баллов
    IPU60R2K0C6AKMA1MOSFET N-CH 600V 2.4A TO251-3
    76Кешбэк 11 баллов
    BSC032NE2LSATMA1MOSFET N-CH 25V 22A/84A TDSON
    76Кешбэк 11 баллов
    BSS225H6327FTSA1MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
    76Кешбэк 11 баллов
    IPD075N03LGATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
    77Кешбэк 11 баллов
    BSP296NH6327XTSA1MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
    77Кешбэк 11 баллов
    IRFZ24NPBFMOSFET N-CH 55V 17A TO220AB
    78Кешбэк 11 баллов
    IRLML6401TRPBFТранзистор: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
    79Кешбэк 11 баллов
    BSS127H6327XTSA2MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
    79Кешбэк 11 баллов
    IRFTS8342TRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP
    79Кешбэк 11 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диодные мосты
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - SCR - модули
    Сборки биполярных транзисторов
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы специального назначения
    Симисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторные модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Варикапы и Варакторы
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - JFET
    Модули драйверов питания
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Модули триодных тиристоров
    Одиночные IGBT транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - ВЧ
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды - выпрямители - одиночные
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП